羅慶，李榮振

1.泰安市口腔醫(yī)院醫(yī)務科，山東泰安 271000；2.泰安市口腔醫(yī)院牙體牙髓科，山東泰安 271000

慢性牙周炎（chronic periodontitis, CP）是以口臭、牙周袋、牙齦出血等為主要表現(xiàn)的口腔科常見病、多發(fā)病，不僅會造成牙齒松動移位、牙槽骨吸收、咀嚼無力、牙槽骨高度降低，也可能會誘發(fā)或加重胃潰瘍及慢性胃炎，甚至影響呼吸系統(tǒng)、內分泌系統(tǒng)等，故需盡早診療[1-3]?，F(xiàn)階段常對CP 患者進行根面平整、齦下刮治等牙周基礎治療，雖然可以緩解癥狀，不過由于中重度CP 患者牙周袋較深，難以徹底治療，所以尚需配合某些輔助治療方案[4]。半導體激光是治療牙周疾病的新型手段，該法借助熱效應、生物刺激效應等，可以徹底清除病變組織，促進牙周組織再生，恰好彌補牙周基礎治療的不足[5]。不過關于其與牙周基礎治療聯(lián)合應用在中重度CP 患者的效果尚待驗證。因此，本文選擇2022年1 月—2023 年3 月泰安市口腔醫(yī)院收治的90 例中重度CP 患者，就半導體激光+牙周基礎治療應用在中重度CP 患者中的效果展開分析?，F(xiàn)報道如下。

1 資料與方法

1.1 一般資料

納入本院收治的90 例中重度CP 患者，參照隨機數表法劃分對照組（45 例）、觀察組（45 例）。對照組男27 例，女18 例；年齡33～78 歲，平均（55.4±6.1）歲；患病時間9～45 個月，平均（27.0±2.8）個月。觀察組男24 例，女21 例；年齡36～77 歲，平均（56.0±5.8）歲；患病時間11～46 個月，平均（27.3±2.6）個月。兩組患者一般資料（患病時間等）比較，差異無統(tǒng)計學意義（P＞0.05），具有可比性。本研究所選病例經過倫理委員會批準，患者或家屬知情同意。

1.2 診斷標準

參照《臨床牙周病學》[6]。

1.3 納入與排除標準

納入標準：①基于口腔CT、X 線等確診，Ⅲ度以上根分叉病變，無明顯患牙松動，無牙周牙髓聯(lián)合病變，無全冠修復體，全口除卻第三磨牙外有超過20 顆天然牙；②積極配合治療者。

排除標準：①近3 個月有牙周治療史者；②哺乳、妊娠、備孕者；③吸煙、酗酒者；④急性牙周膿腫者；⑤近3 個月有免疫抑制劑、非激素類抗炎藥、抗生素服用史者；⑥夜磨牙者；⑦牙本質敏感者；⑧明顯錯頜畸形者；⑨感染性疾病者；⑩溝通、精神、視聽障礙者。

1.4 方法

對照組（行牙周基礎治療）：以口腔X 線等明確口腔內牙齒情況，介紹牙線與牙刷用法等相關口腔健康知識，針對口腔污染較重者，實施齦上潔治術，清潔患牙處結塊、菌斑等，術后刮除殘留斑塊。

觀察組（加用半導體激光治療）：牙周基礎治療同對照組，同時行DENLAS 半導體激光儀（武漢博激世紀科技有限公司）治療，功率2 W，波長980 nm，光纖頭與牙周袋內壁呈20°，自下往上照射牙周袋，每個觀測點30 s，之后刮治牙周袋內壁，需要在牙周袋內插入光纖頭，呈Z字形移動。徹底清除感染腐質與肉芽組織，期間持續(xù)用生理鹽水沖洗。

1.5 觀察指標

（1）牙周參數：包括：①齦溝出血指數（sulcus bleeding index, SBI），以鈍頭牙周探針輕探入袋內或齦溝，取出探針30 s，評估出血情況，分為5 分（自動出血）、4 分（出血滿溢出齦溝）、3 分（沿牙齦緣擴散）、2 分（點狀出血）、1 分（不出血但存在炎癥改變）、0 分（牙齦健康）[7]；②臨床附著喪失（clinical attachment loss, CAL）、牙周探診深度（probing depth,PD），以Florida 電子壓力探針（美國美泰克斯商貿有限公司）檢查。

（2）齦溝液炎性因子：評價指標為白細胞介素-1（interleukin-1, IL-1β）、腫瘤壞死因子-α（tumor necrosis factor-alpha, TNF-α）、白細胞介素-6（interleukin-6, IL-6）。常規(guī)去除牙齦菌斑、污垢，吹干牙面，在唇側齦溝底插入Whatman I 號濾紙條，30 s 后取出，置入放有PBS 緩沖液（0.2 mL）的Ep 管，離心10 min，以上清液+酶聯(lián)免疫吸附法檢測。

（3）牙齦疼痛情況：采用視覺模擬評分法（Visual Analog Scoring, VAS）：在0～10 cm 的直線（代表0～10 分）上標記牙齦疼痛情況，隨著分值降低，提示牙齦疼痛感減輕[8]。

（4）齦下菌群：評價指標為乳桿菌、梭桿菌、擬桿菌。以無菌刮勺刮取齦下菌斑且置于玻片，以2%剛果紅染色涂片，鏡下觀察并記錄齦下菌群數量。

1.6 統(tǒng)計方法

以SPSS 23.0 統(tǒng)計學軟件分析數據，符合正態(tài)分布的計量資料（牙周參數、齦溝液炎性因子、VAS、齦下菌群）以（±s）表示，行t檢驗，P＜0.05 為差異有統(tǒng)計學意義。

2 結果

2.1 兩組患者牙周參數對比

治療前，組間SBI、CAL、PD 比較，差異無統(tǒng)計學意義（P＞0.05）；治療后3 個月，觀察組SBI、CAL、PD更低，差異有統(tǒng)計學意義（P＜0.05），見表1。

表1 兩組患者牙周參數對比(±s

表1 兩組患者牙周參數對比(±s

組別對照組（n=45）觀察組（n=45）t 值P 值SBI（分）治療前3.24±0.22 3.19±0.21 1.103 0.273治療后1.20±0.18 0.68±0.11 16.536＜0.001 CAL（mm）治療前5.55±0.36 5.51±0.38 0.513 0.609治療后3.89±0.34 3.19±0.30 10.356＜0.001 PD（mm）治療前5.19±0.33 5.21±0.31 0.296 0.768治療后3.65±0.24 3.12±0.18 11.851＜0.001

2.2 兩組患者齦溝液炎性因子對比

治療前，組間IL-1β、TNF-α、IL-6 比較，差異無統(tǒng)計學意義（P＞0.05）；治療后3 個月，觀察組IL-1β、TNF-α、IL-6 低于對照組，差異有統(tǒng)計學意義（P＜0.05）。見表2。

表2 兩組患者齦溝液炎性因子對比[(±s，ng/L]

表2 兩組患者齦溝液炎性因子對比[(±s，ng/L]

組別對照組（n=45）觀察組（n=45）t 值P 值IL-1β TNF-α IL-6治療前6.18±0.69 6.11±0.74 0.464 0.644治療后5.13±0.52 4.68±0.45 4.389＜0.001治療前6.36±0.55 6.32±0.59 0.333 0.740治療后4.41±0.37 3.99±0.32 5.759＜0.001治療前6.47±1.05 6.51±1.11 0.176 0.861治療后4.32±0.57 2.95±0.46 12.547＜0.001

2.3 兩組患者牙齦疼痛情況對比

治療前，兩組VAS 評分比較，差異無統(tǒng)計學意義（P＞0.05）；治療后3 個月，相較于對照組，觀察組VAS 評 分 更 低，差 異 有 統(tǒng) 計 學 意 義（P＜0.05），見表3。

表3 兩組患者牙齦疼痛情況對比[(±s，分]

表3 兩組患者牙齦疼痛情況對比[(±s，分]

組別對照組（n=45）觀察組（n=45）t 值P 值治療前5.42±0.41 5.49±0.40 0.819 0.415治療后3.79±0.58 3.11±0.46 6.162＜0.001

2.4 兩組患者齦下菌群對比

治療前，兩組乳桿菌、梭桿菌、擬桿菌數量比較，差異無統(tǒng)計學意義（P＞0.05）；治療后，相較于對照組，觀察組乳桿菌、梭桿菌、擬桿菌數量更少，差異有統(tǒng)計學意義（P＜0.05），見表4。

表4 兩組患者齦下菌群對比[(±s，CFU/mL]

表4 兩組患者齦下菌群對比[(±s，CFU/mL]

組別對照組（n=45）觀察組（n=45）t 值P 值乳桿菌梭桿菌擬桿菌治療前9.23±1.22 9.18±1.30 0.188 0.851治療后5.87±0.56 5.21±0.45 6.163＜0.001治療前9.76±1.36 9.82±1.29 0.215 0.831治療后6.71±0.89 5.22±0.78 8.446＜0.001治療前7.86±1.10 7.91±1.05 0.221 0.826治療后5.70±0.62 4.99±0.56 5.701＜0.001

3 討論

CP 與精神壓力過大、細菌入侵等因素有關，隨著病情進展，可能引起逆行性牙髓炎、牙周膿腫等，故需早診早治[9-11]。

本研究表明，半導體激光+牙周基礎治療對中重度CP 患者有較好效果。觀察組牙周參數（SBI、CAL、PD）較對照組更低（P＜0.05），分析原因：①牙周基礎治療可以清除齦下、齦上菌斑生物膜、牙石、內毒素等，但是在齦下清創(chuàng)時容易刮除感染的根面牙骨質，使得根面暴露，造成牙本質敏感，并且受牙齒解剖結構差異性、牙周袋復雜性等因素的影響，術中難以徹底清除牙周袋壁感染組織、菌斑，特別是難以改善中重度CP 患者牙周狀況[12]；②半導體激光可以探及機械清創(chuàng)無法探及的部位，有助于擴大牙周炎癥清創(chuàng)范圍，同時利用熱效應能夠準確碳化、凝固目標生物組織蛋白質，提高病變組織清除率，另外，利用生物刺激效應還能刺激血管形成，加速牙周組織再生，誘導牙周組織成骨，此外，半導體激光是低能量激光，能夠增加間充質細胞與牙周膜成纖維，促使細胞更有活性，可以恢復牙周組織附著[13]。因此二者聯(lián)合能夠發(fā)揮協(xié)同作用，完全去除牙周袋壁上皮，獲得更多牙周附著，減少牙周袋，增加結締組織對根面牙骨質的附著率，從而改善牙周狀況。

研究結果顯示，觀察組齦溝液炎性因子（IL-1β、TNF-α、IL-6）較對照組更低，齦下菌群（乳桿菌、梭桿菌、擬桿菌）數量較對照組更少（P＜0.05），分析原因：中重度CP 患者口腔齦溝液炎性因子大量分泌，并且內毒素、脂多糖等代謝產物還可經遭到破壞的牙周袋壁毛細血管進入血液循環(huán)，引起全身炎性反應，而從研究結果來看，半導體激光+牙周基礎治療更能減少齦下菌群數量，下調IL-1β、TNF-α、IL-6，可能是因為加用半導體激光后，該法可以降低血管壁通透性，故能減少炎性滲出物，加之亦能激活巨噬細胞功能，增強免疫力，殺滅致病菌，因此，可以抑制齦溝液炎性因子表達，改善口腔微生態(tài)環(huán)境[14-15]。

本研究中，觀察組VAS 評分低于對照組（P＜0.05），與韓冰等[16]的報道一致，其將31 例中重度CP患者納入研究，并且在器械組實施牙周基礎治療，而在激光組加用半導體激光，結果顯示治療后3 個月，激光組VAS 評分為（3.01±0.68）分，低于器械組的（3.87±0.87）分（P＜0.05），提示半導體激光+牙周基礎治療更能減輕此類患者疼痛感，分析原因：①牙周基礎治療中用牙周刮治器清創(chuàng)會觸碰到牙周袋壁，產生明顯疼痛感，增加患者治療恐懼感；②半導體激光對牙髓神經末梢產生作用，減輕神經對外界刺激的反應，并且也能封閉牙本質小管，故能起到鎮(zhèn)痛作用，另外，該法利用熱效應能夠封閉毛細血管，減少出血量，緩解牙本質敏感度及治療恐懼感。因此，半導體激光+牙周基礎治療更能降低VAS評分。

綜上所述，由于對中重度CP 患者實施半導體激光+牙周基礎治療，能夠有效控制齦下菌群繁殖，降低齦溝液中炎性因子水平，促進牙周狀況改善，緩解疼痛感。