王 鑫,馮曉雯,馬忠亮,衛(wèi) 來,2*
(1.伊犁師范大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院,新疆凝聚態(tài)相變與微結(jié)構(gòu)實驗室,新疆伊寧 835000;2.伊犁師范大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院,伊犁綠色硅基材料工程研究中心,新疆伊寧 835000)
聚(偏氟乙烯-三氟乙烯)(P(VDF-TrFE))是一種半結(jié)晶的聚合物[1],體系因具有優(yōu)良的鐵電、熱釋電、壓電、電光特性,在微電子學(xué)方面具有巨大的應(yīng)用前景,激起了科研人員的極大興趣.已知的P(VDF-TrFE)關(guān)于鐵電相變的晶體結(jié)構(gòu)有3種不同的結(jié)晶相[2-4]:鐵電低溫相(LP)、順電高溫相(HP)和冷卻相(CP).在室溫下,P(VDF-TrFE)表現(xiàn)出穩(wěn)定的鐵電相,許多研究人員對此進(jìn)行了研究,Tashiro、Lovinger等人[5]作出了顯著貢獻(xiàn).P(VDF-TrFE)相較于聚偏氟乙烯(PVDF)來說,優(yōu)點(diǎn)在于P(VDF-TrFE)不需要任何特殊處理就可以獲得β相.如圖1所示,P(VDF-TrFE)β相的分子鏈?zhǔn)且匀词綐?gòu)象堆積而成的極性晶體結(jié)構(gòu),主鏈的兩側(cè)分別分布著氟原子和氫原子,產(chǎn)生高偶極矩.因此它具有鐵電性.因其具有較大的介電常數(shù)、壓電常數(shù)和熱釋電常數(shù),且易制成薄膜形式.所以較多應(yīng)用于傳感器和檢測器等方面,是目前研究最廣泛的聚合物之一.目前,對于P(VDF-TrFE)的性能研究主要集中在高VDF組分含量(>65 mol%)的共聚物方面.
圖1 聚(偏氟乙烯‐三氟乙烯)β相分子鏈
熱歷史(尤其是冷卻和加熱與等溫保持相結(jié)合)和樣品/產(chǎn)品處理可以顯著改變材料和產(chǎn)品的行為,從而影響最終產(chǎn)物[6].但是由于受掃描速度的限制,傳統(tǒng)DSC在研究高分子的熱行為時,掃描過程中常伴隨高分子由亞穩(wěn)態(tài)向更穩(wěn)定的狀態(tài)轉(zhuǎn)變,其掃描結(jié)果很難反映高分子內(nèi)部真實的結(jié)構(gòu)信息[7].因此,實現(xiàn)比標(biāo)準(zhǔn)DSC的典型速率高得多的受控恒定速率是一項具有挑戰(zhàn)性的工作.在過去的十幾年中,科研人員通過開發(fā)各種快速掃描熱量計(FSC)實現(xiàn)了突破,這一難題得到了解決.Schick等人[8-10]借助商業(yè)應(yīng)用的熱傳導(dǎo)性真空規(guī)(Xen-TCG3880),發(fā)展出一種功率補(bǔ)償型超快掃描量熱儀(Fast Scanning Calorimetry,F(xiàn)SC),該儀器的可控掃描速率高達(dá)106K/s,成功解決了超快量熱法中最佳冷卻介質(zhì)的選擇問題,解釋了可結(jié)晶高分子的熔融過熱現(xiàn)象.本文利用自行搭建的非絕熱功率補(bǔ)償型FSC對配比為80/20 mol%的P(VDF-TrFE)的等溫結(jié)晶動力學(xué)進(jìn)行了研究.
本實驗的樣品是由北京愛普思隆科技有限公司生產(chǎn)的配比為80/20 mol%的P(VDF-TrFE).取少量配比為80/20 mol%的P(VDF-TrFE)粉末置于載玻片上,在體視顯微鏡下,將其切成和軟銅絲直徑相當(dāng)大小的微米級顆粒;利用軟銅絲,在顯微鏡下,將切好的樣品轉(zhuǎn)移至薄膜芯片傳感器樣品側(cè)的中心加熱區(qū)進(jìn)行預(yù)熔,使其粘附牢固;將薄膜芯片傳感器安裝在爐體內(nèi)抽去空氣后充入氮?dú)?,將爐體放入裝有液氮的杜瓦罐中降溫,待溫度穩(wěn)定后,利用FSC程序設(shè)置不同的掃描速率和等溫時間對樣品進(jìn)行檢測.
本文使用的超快掃描量熱儀是在Schick所改進(jìn)的非絕熱功率補(bǔ)償型超快掃描芯片量熱儀的基礎(chǔ)上,自行搭建的非絕熱功率補(bǔ)償型FSC,可控升降溫速率達(dá)105K/s;儀器使用的芯片是由Xensor Integration公司生產(chǎn)的型號為Xen-39470b 的薄膜芯片傳感器,加熱器的直徑為150 μm;體視顯微鏡作為輔助設(shè)備使用.將配比為80/20 mol%的P(VDF-TrFE)樣品以100 K/s、500 K/s、1 000 K/s、2 000 K/s、3 000 K/s、4 000 K/s、5 000 K/s、6 000 K/s和7 000 K/s的掃描速率,先從160 K升溫至480 K后再降回160 K以消除熱歷史,再進(jìn)行升降溫檢測,獲得熔融曲線.選取現(xiàn)象比較明顯、穩(wěn)定性比較好的掃描速率來設(shè)置升降溫過程,這里選擇一個適中的速率1 000 K/s 進(jìn)行實驗,本實驗都將使用1 000 K/s 的掃描速率對配比為80/20 mol%的P(VDFTrFE)樣品繼續(xù)研究.
圖2是P(VDF-TrFE)80/20 mol%樣品在360~420 K分別等溫60 s的熔融曲線圖.樣品在等溫溫度不超過360 K時,樣品的熔融曲線沒有變化.等溫溫度超過360 K之后,它的高溫熔融峰沒有變化,低溫峰不斷增長且向著高溫區(qū)移動.等溫溫度在390 K時,出現(xiàn)了3個峰,這是樣品的居里溫度,說明等溫溫度在390 K時,在升溫過程中發(fā)生了鐵電-順電轉(zhuǎn)變.等溫溫度在390 K之后,高溫熔融峰峰值一直增大,熔融峰的面積也隨著等溫溫度的升高,變得越來越大,峰形越來越尖,直至400 K 時,熔融峰的峰值達(dá)到最大值后又逐漸減小,始終向著高溫區(qū)移動;低溫峰峰值也在等溫溫度為400 K時達(dá)到最大值后逐漸減小,始終向著低溫區(qū)移動.等溫溫度超過410 K之后,高溫峰向低溫區(qū)移動,峰面積減小,峰值減??;低溫峰位置不變,峰面積減小,峰值減小.說明過高和過低的溫度都不利于P(VDF-TrFE)晶體的生長.
圖2 P(VDF-TrFE)80/20 mol%樣品在360~420 K分別等溫60 s的熔融曲線圖
圖3 為配比為80/20 mol%的P(VDF-TrFE)樣品在370 K 溫度下等溫0.01~10 800 s 的熔融曲線圖.由圖可以看出,在370 K等溫時間為1 s時,樣品的升溫曲線中存在3個熔融峰,低溫區(qū)除1個主峰外,隱約存在1個副峰.隨著等溫時間的延長,低溫峰面積增大,并向高溫區(qū)移動,然后幾乎匯成了一個完整的峰;高溫區(qū)的峰并未移動,且面積逐漸縮小,當(dāng)?shù)葴亟Y(jié)晶時間到10 800 s時,近乎消失.由此可以說明,隨著等溫時間的延長,生成的鐵電相逐漸趨于穩(wěn)定,至于副峰的形成原因還有待研究.高溫區(qū)的峰是非等溫結(jié)晶形成的不完備結(jié)晶相所形成的.
圖3 P(VDF-TrFE)80/20 mol%樣品在370 K等溫結(jié)晶0.01~10800 s的熔融曲線圖
圖4 為配比為80/20 mol%的P(VDF-TrFE)樣品在380 K 溫度下等溫0.01~10 800 s 的熔融曲線圖.由圖可知,樣品在等溫0.01 s時有2個熔融峰,隨著等溫時間的延長,低溫峰面積逐漸變大,峰值逐漸增大,半峰寬無明顯變化;而高溫峰先是幾乎保持不變,隨后消失.說明隨著等溫時間的延長,P(VDF-TrFE)晶體逐漸在完善,同時也沒有發(fā)生鐵電-順電相的轉(zhuǎn)變,在380 K下等溫,有利于P(VDF-TrFE)鐵電相的生長.
圖4 P(VDF-TrFE)80/20 mol%樣品在380 K等溫結(jié)晶0.01~10 800 s的熔融曲線圖
圖5 是配比為80/20 mol%的P(VDF-TrFE)樣品在等溫溫度400 K 下等溫0.01~10 800 s 的熔融曲線圖.由圖可以看出,樣品在等溫0.01 s時有2個熔融峰,隨著等溫時間的延長,低溫峰始終向著低溫區(qū)的方向移動,峰面積先增大后減小,峰高先增大后減小,半峰寬無明顯變化;高溫峰則隨著等溫時間的延長逐漸向高溫區(qū)移動,峰面積逐漸增大,峰值逐漸增大,半峰寬無明顯變化.說明此時晶體存在共混相(鐵電相和順電相),且隨著等溫時間的延長,生成的順電相逐漸趨于穩(wěn)定,等溫時間在超過30 s后,不利于鐵電相的生長.
圖5 P(VDF-TrFE)80/20 mol%樣品在400 K等溫結(jié)晶0.01~10 800 s的熔融曲線圖
圖6 是配比為80/20 mol%的P(VDF-TrFE)樣品在等溫溫度410 K 下等溫0.01~10 800 s 的熔融曲線圖.由圖可以看出,樣品在等溫0.01 s時有2個熔融峰,此時晶體存在共混相,隨著等溫時間的延長,低溫峰始終向著低溫區(qū)的方向移動,峰面積先增大后減小,峰高先增大后減小,半峰寬無明顯變化;高溫峰則隨著等溫時間的延長逐漸向高溫區(qū)移動,峰面積逐漸增大,峰值逐漸增大,半峰寬無明顯變化.說明隨著等溫時間的延長,生成的順電相逐漸趨于穩(wěn)定,等溫時間在超過30 s后,不利于鐵電相的生長,且較400 K等溫結(jié)晶時,生成的晶體更為穩(wěn)定.
圖6 P(VDF-TrFE)80/20 mol%樣品在410 K等溫結(jié)晶0.01~10 800 s熔融曲線圖
圖7是配比為80/20 mol%的P(VDF-TrFE)樣品在等溫溫度415 K下,等溫結(jié)晶0.01~10 800 s的熔融曲線圖.由圖可以看出,樣品起初為雙重熔融峰,存在順電相或者鐵電相和順電相的共混相.隨著等溫時間的延長,低溫峰慢慢向低溫區(qū)移動并且加強(qiáng),并穩(wěn)定在385 K左右.高溫峰的面積逐漸增大并穩(wěn)定在436 K左右,峰形越來越尖銳.當(dāng)?shù)葴貢r間在300 s時,出現(xiàn)了3個峰,當(dāng)?shù)葴貢r間超過300 s后,在436 K處開始出現(xiàn)高溫峰,且熔點(diǎn)幾乎沒有變化.說明P(VDF-TrFE)直到等溫時間超過300 s后才開始結(jié)晶,在415 K處等溫不利于樣品晶體的生長,隨著等溫時間的延長,由等溫結(jié)晶形成的晶體越來越穩(wěn)定.
圖7 P(VDF-TrFE)80/20 mol%樣品在415 K等溫結(jié)晶0.01~10 800 s的熔融曲線圖
本文通過對配比為80/20 mol%的P(VDF-TrFE)樣品進(jìn)行FSC檢測并對結(jié)果進(jìn)行分析,得出以下結(jié)論:
(1)P(VDF-TrFE)80/20 mol%樣品以1 000 K/s的掃描速率,在不同的等溫結(jié)晶溫度下(360~420 K)分別等溫60 s,發(fā)現(xiàn)在390 K溫度下等溫結(jié)晶時,P(VDF-TrFE)晶體發(fā)生了鐵電-順電相的轉(zhuǎn)變,熔融峰峰值隨著等溫溫度的升高表現(xiàn)出先升后降的趨勢,說明過高和過低的溫度都不利于P(VDF-TrFE)80/20 mol%樣品的結(jié)晶.
(2)P(VDF-TrFE)80/20 mol%樣品以1 000 K/s的掃描速率,在相同的等溫結(jié)晶溫度下(370~410 K)分別等溫不同的時間(0.01~10 800 s),發(fā)現(xiàn)在380 K等溫結(jié)晶時,更有利于P(VDF-TrFE)晶體鐵電相的生長,熔融峰隨著等溫時間的延長而趨于穩(wěn)定,說明隨著等溫時間的延長,P(VDF-TrFE)80/20 mol%樣品結(jié)晶程度越來越高,等溫結(jié)晶所形成晶體穩(wěn)定性越高.
(3)等溫結(jié)晶溫度在390 K以上時,更有利于P(VDF-TrFE)晶體順電相的生長.