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一種基于權(quán)值縮減克服IR-Drop 的憶阻器陣列神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)訓(xùn)練方法

2023-04-19 06:37:52繆偉偉
智能計算機與應(yīng)用 2023年3期
關(guān)鍵詞:阻器計算精度正則

繆偉偉

(合肥工業(yè)大學(xué) 計算機與信息學(xué)院, 合肥 230601)

0 引 言

深度神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)(DNN)中存在大量的矩陣乘法運算。 然而隨著神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)層數(shù)的不斷增加,利用傳統(tǒng)處理器實現(xiàn)矩陣乘法會造成計算時間過長和能耗過大。 新型器件憶阻器(memristor)為實現(xiàn)矩陣乘法提供了一種更高效的方式[1],能夠以O(shè)(1) 的時間復(fù)雜度實現(xiàn)矩陣乘法。 并且與傳統(tǒng)的CMOS ASIC 和GPU 解決方案相比,憶阻器陣列可以將能效提高100 倍以上[2-3]。 憶阻器陣列實現(xiàn)矩陣乘法的結(jié)構(gòu)如圖1 所示。

圖1 利用憶阻器陣列實現(xiàn)矩陣乘法Fig. 1 The implementation of matrix multiplication using memristor-based crossbar

圖1 中,憶阻器的電導(dǎo)值gij表示神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的權(quán)值,為憶阻器電阻值的倒數(shù)。 對憶阻器陣列的第i行施加一個電壓矢量Vi,流經(jīng)第i行第j列憶阻器的電流為gij·Vi,第j列的輸出電流,即為輸入向量與權(quán)值矩陣第j列的乘積結(jié)果。

盡管憶阻器具有很好的應(yīng)用前景,但是由于IR-Drop 問題,會導(dǎo)致憶阻器陣列計算精度下降。IR-Drop 會造成輸入端電壓與實際到達憶阻器的計算電壓之間存在偏差,導(dǎo)致憶阻器的實際輸出偏移理想輸出,憶阻器陣列計算精度降低。 在本文中,將輸入端電壓稱為理想計算電壓,實際到達憶阻器的計算電壓稱為實際計算電壓。 憶阻器離輸入端和輸出端越遠,IR-Drop 造成的理想計算電壓和實際計算電壓的偏差越大,憶阻器的理想輸出電流和實際輸出電流的偏差也越大[4-5]。 并且隨著憶阻器陣列規(guī)模的增大,IR-Drop 對憶阻器陣列計算精度的影響也越明顯。 例如,當憶阻器陣列規(guī)模從16×16 增大到128×128 時,計算精度降低了35%[5]。

為減輕憶阻器陣列中IR-Drop 的影響,文獻[5]、文獻[6]分別提出主成分分析(Principal Component Analysis, PCA) 和 奇 異 值 分 解(Singular Value Decomposition, SVD)的方法將大矩陣分解為2 個小矩陣的乘積。 通過減小憶阻器陣列規(guī)模,降低IRDrop 對憶阻器陣列計算精度的影響。 文獻[7]、文獻[8]分別在憶阻器陣列每列的輸出端添加對應(yīng)的平均電流偏移量以及調(diào)整每列跨阻放大器(TIA)的阻值,以此直接減小列輸出的偏差。 文獻[4]、文獻[9]在網(wǎng)絡(luò)訓(xùn)練中加入憶阻器陣列的IR-Drop 模型,使訓(xùn)練出的權(quán)值對IR-Drop 具有更好的魯棒性。

IR-Drop 會降低憶阻器的實際計算電壓,進而影響憶阻器的輸出結(jié)果。 但憶阻器的輸出結(jié)果等于憶阻器的實際計算電壓與權(quán)值的乘積。 憶阻器的權(quán)值越小,IR-Drop 造成的輸出結(jié)果偏差也越小。 假設(shè)理想計算電壓為1 V,憶阻器的實際計算電壓為0.8 V。當憶阻器權(quán)值為5 時,憶阻器的輸出結(jié)果偏差則為|1-0.8 |×5 =1。 而當憶阻器權(quán)值為1 時,憶阻器的理想輸出結(jié)果與實際輸出結(jié)果的偏差為|1-0.8 |×1 =0.2。 同時映射到憶阻器的權(quán)值越小,憶阻器阻值越大,IR-Drop 對憶阻器實際計算電壓的影響也就越小,造成憶阻器輸出結(jié)果偏差也越?。?]。因此,小權(quán)值會使憶阻器輸出結(jié)果對IR-Drop 有更好的魯棒性。

為減小IR-Drop 對憶阻器陣列計算精度的影響,本文提出了一種基于權(quán)值縮減的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)訓(xùn)練方法(A Network Training Weight Reduction),為敘述方便在后續(xù)部分中簡稱為NTWR。 首先,在網(wǎng)絡(luò)訓(xùn)練中添加L2 正則化,以此使訓(xùn)練出的權(quán)值盡可能小,從而提高憶阻器陣列計算精度對IR-Drop 的魯棒性。 然后,本文通過基于行列約束的映射算法將大權(quán)值映射到離輸入端和輸出端較近的位置,避免大權(quán)值映射到IR-Drop 影響較大的憶阻器上,產(chǎn)生較大的輸出結(jié)果偏差。 在確定權(quán)值與憶阻器的映射關(guān)系后,可能仍存在部分大權(quán)值映射到離輸入端和輸出端較遠處的憶阻單元上,導(dǎo)致憶阻器陣列計算精度降低。 最后,減小映射到離輸入端和輸出端較遠處的大權(quán)值,再利用重訓(xùn)練調(diào)整附近權(quán)值以恢復(fù)由于減小權(quán)值帶來的計算精度損失。 不斷迭代減小權(quán)值和重訓(xùn)練,直到憶阻器陣列的計算精度無法提升為止。

1 基于權(quán)值縮減的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)訓(xùn)練方法

1.1 NTWR 方法的整體流程

NTWR 方法的整體流程如圖2 所示。 由圖2 可看到,第一步是在神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)訓(xùn)練中添加L2 正則化,使訓(xùn)練出的權(quán)值分布在較小值的范圍,從而減小IR-Drop對憶阻器陣列計算精度的影響。 第二步是在得到訓(xùn)練好的網(wǎng)絡(luò)權(quán)值后,執(zhí)行行列映射算法將大權(quán)值映射到離輸入端和輸出端較近的位置,避免大權(quán)值映射到IR-Drop 影響較大的位置,造成較大的計算精度損失。 第三步是在執(zhí)行映射算法后,減小映射在IR-Drop 影響較大處的權(quán)值,以此降低IR-Drop 造成的輸出結(jié)果偏差。 再執(zhí)行重訓(xùn)練恢復(fù)由于權(quán)值減小造成的計算精度損失,直到憶阻器陣列計算精度無法提升為止。

圖2 NTWR 的總體流程Fig. 2 The overall process of NTWR

1.2 L2 正則化

在本節(jié)中,將詳細探討L2 正則化在神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)權(quán)值訓(xùn)練中的作用。 研究時在訓(xùn)練中增加L2 正則化,是因為L2 正則化在訓(xùn)練過程中對大權(quán)重具有更大的偏向性, 可以將權(quán)重分布縮小到較小的值范圍[10],進而提高憶阻器陣列的計算精度對IR-Drop的魯棒性。因此本文提出在損失函數(shù)中增加L2 正則化的懲罰項,利用L2 正則化使訓(xùn)練出的權(quán)值盡可能小,從而降低IR-Drop 的影響。 這里需用到的數(shù)學(xué)公式為:

其中,W是神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的權(quán)值矩陣;λ是正則化參數(shù),用來控制L2 正則化對損失函數(shù)的重要性;是L2 正則化的懲罰項。

目前,比較流行的為L1 正則化方法和L2 正則化方法,可分別由如下公式進行描述:

如果在網(wǎng)絡(luò)訓(xùn)練中添加L1 正則化,則會使網(wǎng)絡(luò)權(quán)值為零,導(dǎo)致訓(xùn)練出的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)稀疏化。 盡管稀疏化使大部分權(quán)值為零,不會對神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的計算精度造成較大的精度損失[11],但會使神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的計算精度對訓(xùn)練出的非零權(quán)值更加敏感。 在IR-Drop 影響下,會造成非零權(quán)值的輸出結(jié)果出現(xiàn)偏差,對憶阻器陣列計算精度產(chǎn)生更大的影響。 而由文獻[12]分析可知,L2 正則化可以降低神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的敏感性,從而提高神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的魯棒性。 執(zhí)行神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)訓(xùn)練后,可以得到L2 正則化后的權(quán)值矩陣。 下面將對權(quán)值矩陣的映射算法進行研究闡述。

1.3 基于行列約束的映射算法

在本節(jié)中,將詳細介紹基于行列約束的映射算法(Mapping algorithm with the Constraint of Row and Column, MCRC)的具體步驟。 MCRC 算法的主要思想是將權(quán)值矩陣中未確定映射關(guān)系的最大值在行列約束下映射到離輸入端和輸出端最近的憶阻器上,以此最小化IR-Drop 對憶阻器陣列計算精度的影響。 其中,行列約束指的是權(quán)值矩陣同一行和同一列的權(quán)值在映射到憶阻器陣列后仍在同一行和同一列。 之所以需要令確定的映射關(guān)系滿足行約束,是因為施加在憶阻器陣列一行的理想計算電壓是同一個,而不同行的理想計算電壓是不同的。 例如,若將權(quán)值矩陣整個第1 行的權(quán)值映射到憶阻器陣列第2行,則只需要在憶阻器陣列第2 行施加權(quán)值矩陣第1 行的理想計算電壓V1,權(quán)值矩陣第1 行第j列的輸出結(jié)果仍為V1× w1j,如圖3(a)所示。 但是若權(quán)值矩陣第1 行的w11和w12分別映射到憶阻器陣列第2行和第3 行,則權(quán)值矩陣第1 行第2 列的輸出結(jié)果不再是V1×w12、而是V3×w12,如圖3(b)所示。 同理,每一列的輸出結(jié)果等于該列所有憶阻器的輸出結(jié)果之和,如果權(quán)值矩陣一列的權(quán)值被映射到憶阻器陣列的不同列上,同樣會導(dǎo)致輸出結(jié)果出現(xiàn)誤差。 故權(quán)值矩陣與憶阻器陣列的映射關(guān)系也需要滿足列約束。

圖3 基于行約束映射的舉例Fig. 3 The example of mapping with the constraint of row

憶阻器陣列實現(xiàn)多層神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)時,每層憶阻器陣列的輸出都會連接下一層憶阻器陣列的輸入,如圖4 所示。如果調(diào)整第n層權(quán)值矩陣與憶阻器陣列的映射關(guān)系,例如將權(quán)值矩陣第i行映射到憶阻器陣列第j行,則原連接到第n層第i行的第n -1 層的輸出也需要重新連接到第n層的第j行。 同理,如果要將第n層權(quán)值矩陣第i列映射到憶阻器陣列第j列,則原連接第n層第i列和第j列的第n +1 層的輸入也需要交換連接。 因此,如果想要獨立映射每層權(quán)值矩陣的M行或M列,而不改變與相鄰層的連接,則需要使用M × M的路由模塊來連接相鄰層的憶阻器陣列,會帶來較大的硬件開銷[13]。 而MCRC算法是一種對憶阻器陣列通用的映射算法,無需得知憶阻器陣列的相關(guān)信息。 因此可以在確定每層權(quán)值矩陣與憶阻器陣列的映射關(guān)系后再制造憶阻器陣列,在多層神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)中無需考慮映射帶來的硬件開銷,只需確定的映射關(guān)系滿足行列約束。 故本文提出的MCRC 算法可以同時執(zhí)行行映射和列映射。

圖4 憶阻器陣列實現(xiàn)多層神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)Fig. 4 The implementation of multi-layer neural network using memristor-based crossbar

MCRC 算法的偽代碼具體見算法1。

算法1 MCRC 算法

輸入權(quán)值矩陣Wn ×m, 距離矩陣Dn ×m

輸出輸出映射結(jié)果

1.Tn ×m =| Wn ×m |,mapped_row[n] 和mapped_col[m] 全部置為-1,occupied[n][m] 全部置為false;

2.While (存在未確定映射關(guān)系的權(quán)值)

3. 在當前Tn ×m中找到最大值,將其行序號和列序號分別賦給row,col

4.visited[n][m]=occupied[n][m]

/ /將occupied數(shù)組中的信息復(fù)制到visited數(shù)組中

5.While(true)

6. 在當前Dn ×m找到visited[i][j]=false的最小值,將其行序號和列序號分別賦給i,j

7.If( (mapped_row[i]=-1or mapped_row[i]=row)and(mapped_col[i]= -1or mapped_col[j]=col))

/判斷是否滿足行列約束

8.mapped_row[i]=row,mapped_col[j]=col;

/將確定的映射關(guān)系存儲到數(shù)組中

9.occupied[i][j]= true,T[row][col]=-1;

/ /更新狀態(tài)

10.break;/ /跳出當前while循環(huán)

11.End

12.visited[i][j]=true;

/標記當前位置被訪問

13. End

14.End

15.輸出映射結(jié)果

在算法中,輸入為權(quán)值矩陣Wn ×m和距離矩陣Dn ×m。 距離矩陣第i行第j列的元素Dij表示憶阻器陣列第i行第j列的憶阻器離輸入端和輸出端的距離。 以離輸入端和輸出端最近的憶阻器為原點,字線為橫坐標,位線為縱坐標,建立坐標軸,如圖5 所示。 以橫坐標和縱坐標之和表示憶阻器離輸入端和輸出端的距離,如Dij =i +j。

圖5 在憶阻器陣列上建立坐標軸Fig. 5 The coordinate system based on memristor-based crossbar

算法1 中,偽代碼的第1 行,對矩陣Tn ×m、數(shù)組mapped_row、mapped_col和occupied進行初始化。Tn ×m為Wn ×m的絕對值矩陣,其中Tij =|Wij |。 數(shù)組mapped_row和mapped_col分別用于存儲確定的行映射關(guān)系和列映射關(guān)系。 數(shù)組occupied用于標記憶阻器陣列中憶阻器是否已確定映射關(guān)系,occupied[i][j]=true表示憶阻器陣列第i行第j列的憶阻器已確定映射關(guān)系。

下面通過具體的例子來闡釋基于MCRC 算法的具體執(zhí)行過程。假設(shè)矩陣Tn ×m、距離矩陣Dn ×m和數(shù)組occupied分別為、D3×3和。 研究推得的各矩陣值具體如下:

算法1 偽代碼第3 ~4 行, 按照Tn ×m中值大小降序確定權(quán)值的映射關(guān)系,令row和col分別為Tn ×m中最大值的行序號和列序號。 利用數(shù)組visited標記憶阻器是否被訪問過或已確定重映射關(guān)系。 例如在中,最大值為T22=1,row=2,col=2。

算法1 偽代碼第6 行,按照離輸入端和輸出端的距離升序選擇能在行列約束下與權(quán)值確定映射關(guān)系的憶阻器,令i和j分別為Dn ×m中visited[i][j]=false的最小值的行序號和列序號。 例如在當前D3×3中visited[i][j]=false的最小值為D00,i和j均為0。

算法1 偽代碼第7~11 行,判斷權(quán)值矩陣第row行第col列權(quán)值映射到憶阻器陣列第i行第j列憶阻器是否滿足行列約束。 如果滿足行列約束,則保存確定的映射關(guān)系,更新相應(yīng)狀態(tài)。 例如在當前中,mapped_row[0] 和mapped_col[0] 均為-1,即憶阻器陣列第0 行和第0 列都未確定映射關(guān)系。 因此,權(quán)值矩陣第2 行第2 列的權(quán)值與憶阻器陣列第0行第0 列確定映射關(guān)系。mapped_row[0]= 2,mapped_col[0]=2,和分別更新為和, 跳出當前while 循環(huán)。 研究推得的各矩陣值具體如下:

算法1 偽代碼第2 ~14 行,若還存在未確定映射關(guān)系的權(quán)值,則繼續(xù)執(zhí)行算法。 如中仍存在未確定映射關(guān)系的權(quán)值,因此繼續(xù)執(zhí)行算法。 在中,最大值為T21=0.9,row=2,col=1。 將的信息復(fù)制到數(shù)組visited中。 在當前D3×3中visited[i][j]=false的最小值為D10,i=1,j=0。 因mapped_col[0]=2 且mapped_col[0] ≠1,即憶阻器陣列第0 列已經(jīng)確定映射關(guān)系,且并不是權(quán)值矩陣第1 列確定的映射關(guān)系,因此不滿足行列約束。 將visited[1][0] 置為true,繼續(xù)尋找當前D3×3中visited[i][j]=false的最小值。 此時滿足條件的最小值為D01,i=0,j=1。mapped_row[0]≠1但mapped_row[0]=2,并且mapped_col[1]=-1,滿足行列約束。 因此,權(quán)值矩陣第2 行第1 列的權(quán)值與憶阻器陣列第0 行第1 列確定映射關(guān)系。mapped_row[0]=2,mapped_col[1]=1,和分別更新為和,跳出當前while循環(huán)。 由于在中仍有未確定映射關(guān)系的權(quán)值,因此繼續(xù)根據(jù)上述步驟執(zhí)行算法,直到所有權(quán)值確定映射關(guān)系。 研究推得的各矩陣值具體如下:

算法1 偽代碼第15 行,當Tn ×m中所有值確定映射關(guān)系后,輸出映射結(jié)果。 如對繼續(xù)執(zhí)行算法,可以得到映射后的T3×3為。 推得的矩陣值具體如下:

1.4 重訓(xùn)練算法

盡管利用MCRC 算法可以盡可能避免大權(quán)值映射到離輸入端和輸出端較遠的憶阻器上,但大權(quán)值若聚集于一行或一列,則無法避免地會有部分較大權(quán)值被映射到離輸入端和輸出端較遠的憶阻器上,導(dǎo)致憶阻器陣列計算精度的下降。 因此,本文提出一種重訓(xùn)練算法,通過減小映射到離輸入端和輸出端較遠處的權(quán)值,降低IR-Drop 對輸出結(jié)果的影響。 再通過重訓(xùn)練,恢復(fù)權(quán)值減小造成的計算精度損失。 重訓(xùn)練算法的偽代碼具體見算法2。

算法2 重訓(xùn)練算法

輸入映射后的權(quán)值矩陣, 距離矩陣Dn ×m, 偏差矩陣, IR - Drop 影響矩陣Sn×m

輸出輸出新的權(quán)值矩陣

1.While (憶阻器陣列計算精度仍可提升)

2. 初始化Modified[n][m],全部置為false

/用于標記修改過的權(quán)值

3. 在當前Sn ×m中找到最大值,將對應(yīng)的權(quán)值賦給Wij

4.Wij =Wij /2/ /減小權(quán)值

5.Modified[i][j]=true

/將權(quán)值進行標記,重訓(xùn)練中不更新該權(quán)值

7. 測試重訓(xùn)練后憶阻器陣列的計算精度

8. 重新計算Sn×m

9. End

算法2 偽代碼第2 ~4 行是迭代將IR-Drop 影響最大的權(quán)值減小為原來的1/2,再通過標記該權(quán)值,使其在后續(xù)重訓(xùn)練中不更新。 由于減小權(quán)值會造成計算精度的降低,因此通過重訓(xùn)練來恢復(fù)計算精度,參見偽代碼第6 行。 在重訓(xùn)練時,為避免權(quán)值出現(xiàn)較大變化,造成映射到離輸入端和輸出端較遠處的小權(quán)值突然更新為大權(quán)值的情況,可以以較小的學(xué)習率訓(xùn)練神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)。 較小的學(xué)習率可以使權(quán)值以小細粒度進行調(diào)整,避免權(quán)值出現(xiàn)較大的變化[14]。 偽代碼第7 行測試重訓(xùn)練后憶阻器陣列的計算精度,更新矩陣Sn×m。 如果相較于重訓(xùn)練前,憶阻器陣列計算精度有所提升,則繼續(xù)執(zhí)行算法。如果憶阻器陣列的計算精度無法繼續(xù)提升,則結(jié)束算法,輸出映射后的權(quán)值矩陣。

2 實驗結(jié)果和分析

2.1 實驗設(shè)置

為了驗證NTWR 算法的有效性,在2 個數(shù)據(jù)集上進行了實驗。 首先,在Pytorch 上構(gòu)建了一個4 層卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò),采用MINST 數(shù)據(jù)集對其進行測試,輸入圖像的大小為28×28,由3 個卷積層和1 個全連接層組成。 然后,在Pytorch 上構(gòu)建了LeNet,采用CIFAR-10 數(shù)據(jù)集進行測試,即由2 個卷積層、3 個全連接層組成。 憶阻器的電阻范圍為10 kΩ ~1 MΩ,憶阻器陣列中憶阻單元之間的導(dǎo)線電阻為2.5 Ω,參數(shù)配置見表1。

表1 實驗參數(shù)設(shè)置Tab. 1 Experimental parameters setup

2.2 實驗結(jié)果及分析

圖6 為MINST 數(shù)據(jù)集上的4 層卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)未添加L2 正則化和添加L2 正則化的權(quán)值分布圖。從圖6 中可以明顯看出,與不添加L2 正則化相比,添加L2 正則化可以將權(quán)值分布約束在一個較小值的范圍內(nèi)。 圖7 為只考慮未添加L2 正則化和添加L2 正則化的憶阻器陣列計算精度對比圖。 從圖7 中可以看出, 添加L2 正則化后, MINST 數(shù)據(jù)集和CIFAR-10 下憶阻器陣列的計算精度可以分別提升15.30%和11.40%??梢缘贸鱿噍^于未添加L2 正則化,添加L2 正則化雖然會有部分計算精度損失,但是訓(xùn)練出的權(quán)值對IR-Drop 的魯棒性有顯著提高。

圖6 MINST 數(shù)據(jù)集上未添加L2 正則化和添加L2 正則化的權(quán)值分布圖Fig. 6 The weight distribution with and without L2 regularization on MINST

圖8 為在MINST 和CIFAR 數(shù)據(jù)集下執(zhí)行NTWR方法前后的計算精度對比圖。 從圖8 中可以看出執(zhí)行MCRC 算法和重訓(xùn)練后,可以明顯提高憶阻器陣列的計算精度。 在MINST 和CIFAR 數(shù)據(jù)集下,執(zhí)行NTWR 方法可以分別使憶阻器陣列的計算精度接近理想水平,計算精度損失分別小于1%和3%。

圖8 執(zhí)行NTWR 方法的計算精度對比圖Fig. 8 The accuracy comparison of memristor-based crossbar with NTWR

3 結(jié)束語

本文提出了一種基于權(quán)值縮減的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)訓(xùn)練方法,以此減小IR-Drop 造成的計算精度損失。 首先,通過L2 正則化,將權(quán)值盡可能訓(xùn)練為較小值,以此減輕IR-Drop 對憶阻器輸出結(jié)果的影響。 然后,執(zhí)行基于行列約束的映射算法,將大權(quán)值盡可能映射到離輸入端和輸出端較近的憶阻器上,避免IRDrop 產(chǎn)生較大的輸出結(jié)果偏差。 最后,減小映射到離輸入端和輸出端較遠處的大權(quán)值,再利用重訓(xùn)練恢復(fù)權(quán)值減小造成的計算精度損失。 實驗結(jié)果顯示,本文所提方法最多可以將憶阻器陣列計算精度恢復(fù)到接近理想狀態(tài),計算精度損失小于1%。

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