張靜

韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)界迎來“逆襲”全球半導(dǎo)體代工冠軍——臺積電的重要契機。據(jù)韓國《每日經(jīng)濟》7月2日的報道，隨著6月30日三星電子全球首次開始量產(chǎn)3納米全環(huán)繞柵極(GAA)制程工藝節(jié)點芯片，外界開始預(yù)測三星電子與臺積電的未來競爭格局。韓國業(yè)內(nèi)評估認為，三星電子搶先引入最新工藝技術(shù)為趕超臺積電打下基礎(chǔ)，臺積電與三星電子現(xiàn)有的技術(shù)差距“無法輕易彌補”。

市場研究機構(gòu)集邦咨詢最新的數(shù)據(jù)顯示，今年第一季度臺積電在全球半導(dǎo)體代工銷售中的份額為53.6%,約為三星(16.3%)的三倍。但隨著首次開始量產(chǎn)3納米芯片，三星電子加快追趕步伐。憑借新技術(shù)，三星將通過爭取蘋果、英特爾和AMD等潛在客戶來縮小與臺積電的差距。韓國《朝鮮日報》的報道稱，相較于之前最先進5納米量產(chǎn)工藝，三星的3納米工藝可節(jié)約45%電力，產(chǎn)品性能提周23%。

三星的技術(shù)進步弓I起臺媒關(guān)注，臺灣聯(lián)合新聞網(wǎng)7月2日報道稱，臺積電要等到2023年才會開始生產(chǎn)3納米制程芯片產(chǎn)品，預(yù)期三星將會利用技術(shù)優(yōu)勢搶先爭取更多代工客戶。目前，臺積電的尖端工藝是4納米制程，并在這一級別上擁有全球最高量產(chǎn)制造水平。

臺媒同時強調(diào)，雖然三星率先宣布實現(xiàn)3納米制程量產(chǎn)，但如果不能穩(wěn)定和按時供貨，便無法奪取市場。尤其在此前的4納米工藝上，三星電子的投入產(chǎn)出率（合格品所占比例)被指不及臺積電。此前三星憑借5納米制程技術(shù)代工的美國高通公司處理器暴露出容易過熱的問題，高通后續(xù)處理器換成臺積電5納米制程技術(shù)后，發(fā)熱控制表現(xiàn)較好，因此市場對于三星3納米制程技術(shù)存在質(zhì)疑。有分析認為，能否在短期內(nèi)將投入產(chǎn)出率提上來將成為三星電子與臺積電競爭的關(guān)鍵。▲