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高靈敏度微腔型光纖應(yīng)變溫度傳感器

2022-01-07 08:52宋小康冉玲苓楊九如魏翔宇
關(guān)鍵詞:微腔波長(zhǎng)靈敏度

宋小康, 冉玲苓, 楊九如, 魏翔宇, 李 唱

(黑龍江大學(xué) 電子工程學(xué)院, 哈爾濱 150080)

0 引 言

光纖傳感已經(jīng)被應(yīng)用到了環(huán)境監(jiān)測(cè)、人工智能、生物醫(yī)學(xué)和健康檢測(cè)等各個(gè)領(lǐng)域[1-2]。其中,光纖應(yīng)變溫度傳感器一直是人們關(guān)注的焦點(diǎn)之一。近年來(lái),由不同光纖結(jié)構(gòu)制成的光纖應(yīng)變溫度傳感器逐漸受到人們關(guān)注,如光纖布拉格光柵(Fiber Bragg grating, FBG)[3-4]、馬赫-增德干涉儀(Mach-Zehnder interferometer, MZI)[5-6]、長(zhǎng)周期光纖光柵[7]、法布里-珀羅干涉儀(Fabry-Perot interferometer, FPI)[8-9]。在這些傳感器類型中,光纖F-P由于其結(jié)構(gòu)緊湊且微小、靈敏度高、交叉靈敏度低等優(yōu)點(diǎn),受到科研工作者們的廣泛關(guān)注。典型的FPI結(jié)構(gòu)由兩個(gè)高反射模及模間的光干涉構(gòu)成。一般來(lái)說(shuō),光纖F-P微腔傳感器原理大致分為兩種:一是通過(guò)改變腔內(nèi)有效折射率實(shí)現(xiàn)對(duì)應(yīng)變和溫度的測(cè)量,二是通過(guò)改變腔長(zhǎng)來(lái)實(shí)現(xiàn)測(cè)量。

理論分析表明,微腔光纖F-P傳感器的應(yīng)變靈敏度取決于微腔的形狀和尺寸[10]。2009年,李坤等通過(guò)使用氫氟酸腐蝕多模光纖制作出F-P腔體,得到應(yīng)變靈敏度為0.95 pm/με[11]。2016年,Wang等制作了橢圓形、球形以及長(zhǎng)方形三種不同形狀的微氣泡,研究了氣泡形狀和微腔長(zhǎng)度對(duì)應(yīng)變靈敏度的影響,得到橢圓形氣泡微腔應(yīng)變傳感器的靈敏度是3 pm/με,長(zhǎng)方形氣泡微腔應(yīng)變傳感器的應(yīng)變靈敏度是43 pm/με[12]。2012年,F(xiàn)avero等將具有較大空隙的光子晶體光纖(PCF)和SMF熔接,形成球形和橢球形微腔,實(shí)驗(yàn)表明當(dāng)腔體尺寸為10 μm×60 μm時(shí),應(yīng)變靈敏度達(dá)到10.3 pm/με[10]。2010年,張興等使用157 nm激光對(duì)SMF進(jìn)行微加工,在光纖內(nèi)部形成一個(gè)自封閉矩形微腔,實(shí)驗(yàn)表明該傳感器的應(yīng)變靈敏度為5.2 pm/με[13]。2020年,王解等使用毛細(xì)管與SMF熔接形成了三個(gè)F-P微腔,得到應(yīng)變靈敏度為1.5 pm/με[14]。上述幾種方法有的雖然制作方法簡(jiǎn)單,但靈敏度低,通常為幾個(gè)皮米每微應(yīng)變,有的雖然提高了靈敏度但是操作復(fù)雜且成本較高,而且無(wú)法同時(shí)測(cè)量溫度,不利于推廣。因此,提出一種靈敏度高、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、可實(shí)現(xiàn)應(yīng)變與溫度同時(shí)測(cè)量的光纖傳感器在環(huán)境監(jiān)測(cè)、人工智能和健康檢測(cè)中具有重要意義[15]。

本文提出了一種基于F-P微腔的高靈敏度光纖應(yīng)變和溫度傳感器,該傳感器是通過(guò)將HCF與SMF熔接,在精確長(zhǎng)度處切割熔接后的HCF,然后切割拉錐后的SMF,將切割后的SMF插入HCF內(nèi)形成的。它的干涉腔是由HCF和插入HCF的錐區(qū)端面形成的兩個(gè)平行高反射面構(gòu)成,由于制作方法的優(yōu)點(diǎn),應(yīng)變波長(zhǎng)靈敏度為Y=7.63×10-5X+0.006 69,擬合度為99.9%,當(dāng)應(yīng)變?yōu)? με時(shí),靈敏度為6.77 pm/με,當(dāng)應(yīng)變?yōu)?8 με時(shí),靈敏度增加到13.4 pm/με,當(dāng)應(yīng)變?yōu)?00 με時(shí),靈敏度增加到44.84 pm/με,應(yīng)變?cè)酱箪`敏度提高越大。在溫度測(cè)試中,溫度波長(zhǎng)靈敏度為152 pm/℃,強(qiáng)度靈敏度為0.029 4 dB/℃。通過(guò)雙參數(shù)解調(diào)實(shí)現(xiàn)應(yīng)變與溫度同時(shí)測(cè)量。

1 結(jié)構(gòu)制作與原理

該傳感器的制作過(guò)程如圖1所示,實(shí)驗(yàn)所用的是芯徑為8.3 μm、外徑為125 μm的普通單模光纖SMF(Corning, SMF-28),內(nèi)徑為80 μm、外徑為135 μm的空芯光纖HCF(Polymicro Technologies, TSP080135)。如圖1(a)所示,使用商用熔接機(jī)(KL-300T)設(shè)置到特定的熔接程序,具體參數(shù)如表1所示,將普通SMF與HCF熔接,通過(guò)調(diào)節(jié)商用熔接機(jī)的馬達(dá),使普通SMF與HCF 的中心對(duì)齊,降低高階模式的激發(fā),從而實(shí)現(xiàn)反射光譜的整潔性。由于HCF在高溫放電的過(guò)程中很容易塌陷,所以要控制好放電功率,保證熔接完成后損耗最小。然后將熔接好的SMF-HCF放置在切割刀上,將另一端尾纖固定在精度為10 μm的微位移平臺(tái)上,在距熔接點(diǎn)300 μm處切割HCF,得到具有精確長(zhǎng)度的HCF,如圖1(b)所示。隨后將SMF的兩側(cè)分別固定在由兩個(gè)步進(jìn)電機(jī)控制的固定裝置上,使用電弧放電加熱SMF的中心,由步進(jìn)電機(jī)進(jìn)行同步的牽引,通過(guò)設(shè)置放電功率和放電時(shí)間來(lái)控制錐區(qū)直徑,如圖1(c)所示。在顯微鏡下切割錐區(qū)的精確位置,得到一個(gè)端面直徑與HCF內(nèi)徑相仿的錐狀結(jié)構(gòu),如圖1(d)所示。實(shí)驗(yàn)過(guò)程中發(fā)現(xiàn)切割后的錐平面傾斜會(huì)影響光的反射效果,所以要嚴(yán)格控制切面的水平。最后將錐區(qū)在顯微鏡下對(duì)準(zhǔn)HCF的中心并插入,直至其中一部分保持在腔內(nèi),得到一個(gè)F-P空氣微腔,結(jié)構(gòu)圖如圖1(e)所示。使用紫外(UV)膠對(duì)堵塞位置填涂實(shí)現(xiàn)了對(duì)F-P微腔的密封,在涂UV膠的過(guò)程中,由于UV膠的流動(dòng)性較大,應(yīng)快速使用UV燈照射使其固化,以免UV膠進(jìn)入F-P腔干擾光的反射。

圖1 微腔結(jié)構(gòu)制作圖Fig.1 Diagram of the fabrication about micro-cavity

表1 熔接參數(shù)值Table 1 Splicing parameter values

FPI的基本原理是多光束干涉,入射光從SMF進(jìn)入F-P腔,由于表面1兩端(SMF/HCF)和表面2兩端(HCF/SMF)的折射率不同,產(chǎn)生折射率跳變,在兩個(gè)表面多次反射后發(fā)生干涉。該結(jié)構(gòu)的光束傳播可看作正入射,所以表面1和表面2的反射率可由式(1)得到:

(1)

式中:R為反射率的大??;n1和n2分別為反射面兩側(cè)介質(zhì)的有效折射率。

根據(jù)F-P干涉原理,得到輸出的干涉光譜強(qiáng)度為[16]:

(2)

由于SMF和空氣的折射率分別為1.455和1.000,根據(jù)式(1)可求得R1=R2≈0.04。根據(jù)FPI傳感器的干涉光譜強(qiáng)度公式對(duì)傳感腔的干涉光譜進(jìn)行模擬計(jì)算,得到干涉光譜與腔長(zhǎng)變化之間的關(guān)系如圖2所示??梢钥闯?,隨著腔長(zhǎng)的增加,干涉光譜的波長(zhǎng)發(fā)生有規(guī)律紅移。

圖2 干涉腔長(zhǎng)與波長(zhǎng)的關(guān)系Fig.2 Relation between interference cavity length and wavelength

假設(shè)F-P微腔的長(zhǎng)度為L(zhǎng),那么反射光譜中一個(gè)波峰對(duì)應(yīng)的波長(zhǎng)λ可以表示為[17]:

(3)

在外界環(huán)境參量改變的情況下,微腔長(zhǎng)度L變?yōu)長(zhǎng)+ΔL,同一個(gè)波峰相對(duì)應(yīng)的波長(zhǎng)λ+Δλ可表示為:

(4)

由式(3)和式(4)可得:

(5)

傳感器實(shí)際受到的軸向應(yīng)變與腔長(zhǎng)變化成正比為:

(6)

由式(5)和式(6)可以看出,當(dāng)應(yīng)變?cè)龃髸r(shí),腔長(zhǎng)增大,反射波長(zhǎng)發(fā)生紅移。

對(duì)于溫度測(cè)量,由式(3)對(duì)溫度求導(dǎo),可得:

(7)

由于腔內(nèi)空氣折射率約為1,且熱光系數(shù)很小,所以dn/dT≈0,因此,式(7)可簡(jiǎn)化為:

(8)

式中dL/dT為腔長(zhǎng)與溫度的關(guān)系。

當(dāng)溫度變化時(shí),由于UV膠的熱膨脹系數(shù)為225×10-6℃,典型折射率為1.524,所以腔長(zhǎng)變化的主要原因是UV膠的收縮與膨脹帶動(dòng)腔長(zhǎng)發(fā)生變化。

2 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與討論

實(shí)驗(yàn)裝置如圖3所示。該裝置使用的光源為寬帶光源(BBS),波長(zhǎng)范圍是1 525~1 610 nm,將其連接在光纖環(huán)形器的通道1,光學(xué)信號(hào)沿光纖傳輸并到達(dá)所提出的FPI傳感結(jié)構(gòu),該結(jié)構(gòu)通過(guò)光學(xué)粘合劑(UV膠)固定在精度為0.1 μm的軸向微位移平臺(tái)(Newport Modle ESP-300)上,由于FPI結(jié)構(gòu)的反射,一部分光學(xué)信號(hào)被反射回光纖環(huán)形器中,通過(guò)通道3進(jìn)入光譜儀(OSA, Agilent 86142B)中顯示光譜。實(shí)驗(yàn)中設(shè)置初始平臺(tái)距離為56 mm,其中一個(gè)平臺(tái)固定不動(dòng),通過(guò)按鍵控制另外一個(gè)平臺(tái)向外移動(dòng),每移動(dòng)5 μm(即應(yīng)變量變化88 με)記錄一次干涉光譜。

圖3 應(yīng)變實(shí)驗(yàn)裝置圖Fig.3 Experimental setup for measuring strain

FPI結(jié)構(gòu)在不同應(yīng)變下的干涉光譜如圖4(a)所示??梢钥闯?,隨著應(yīng)變的增加,光譜發(fā)生規(guī)律的紅移。為了研究波長(zhǎng)和強(qiáng)度變化與應(yīng)變的關(guān)系,選擇反射光譜中一個(gè)Dip點(diǎn)進(jìn)行記錄并分析,在0~1 144 με測(cè)量范圍內(nèi)進(jìn)行擬合,得到擬合結(jié)果如圖4(b)所示。可以看出,由于使用UV膠封裝,該結(jié)構(gòu)的波長(zhǎng)漂移與應(yīng)變呈二次相關(guān),波長(zhǎng)靈敏度為Y=7.63×10-5X+0.006 69,擬合度為99.9%,當(dāng)應(yīng)變?yōu)? με時(shí),靈敏度為6.77 pm/με,當(dāng)應(yīng)變?yōu)?8 με時(shí),靈敏度增加到13.4 pm/με,當(dāng)應(yīng)變?yōu)?00 με時(shí),靈敏度增加到44.84 pm/με,此時(shí)已經(jīng)超過(guò)先前報(bào)道的應(yīng)變傳感器的靈敏度,如表2所示。隨著應(yīng)變的繼續(xù)增加,靈敏度也會(huì)繼續(xù)增加。由于光源波動(dòng)和環(huán)境溫度的干擾,應(yīng)變光譜強(qiáng)度存在±0.25 dB的上下波動(dòng)。

圖4 (a)不同應(yīng)變下的干涉光譜;(b)不同應(yīng)變下Dip波長(zhǎng)變化量和強(qiáng)度變化量Fig.4 (a) Reflection spectrum against different strain; (b) Dip wavelength and intensity versus different strain

表2 不同形狀F-P腔應(yīng)變傳感器對(duì)比Table 2 Comparison of strain sensors with different shapes of F-P cavity

為了研究該傳感器對(duì)溫度的響應(yīng),將結(jié)構(gòu)固定在加熱板上進(jìn)行溫度測(cè)試,實(shí)驗(yàn)裝置圖如圖5所示。從24 ℃加熱到38 ℃,每隔2 ℃為一個(gè)采樣點(diǎn),在每一個(gè)采樣點(diǎn)處,待光譜穩(wěn)定后用OSA記錄。

圖5 溫度實(shí)驗(yàn)裝置圖Fig.5 Experimental setup for measuring temperature

該傳感器對(duì)不同溫度的響應(yīng)結(jié)果如圖6所示。由于所制備的F-P微腔為空氣腔,其折射率約等于1,熱光系數(shù)極其微小,所以當(dāng)溫度變化時(shí)腔長(zhǎng)改變的主要原因是UV膠的膨脹與收縮帶動(dòng)腔長(zhǎng)改變。從圖中可以看出,隨著溫度的增加,Dip點(diǎn)的波長(zhǎng)從1 537.58 nm移動(dòng)到1 539.71 nm,波長(zhǎng)靈敏度為152 pm/℃,相應(yīng)的線性度為99.7%。另外,隨著溫度的增加,Dip點(diǎn)的強(qiáng)度從-50.38變化到-49.97 dB,線性度為99.2%,相應(yīng)的強(qiáng)度靈敏度為0.029 4 dB/με。

圖6 (a)不同溫度下的干涉光譜;(b)不同溫度下Dip波長(zhǎng)變化量和強(qiáng)度變化量Fig.6 (a) Reflection spectrum against different temperature; (b) Dip wavelength and intensity versus different temperature

為了實(shí)現(xiàn)雙參數(shù)測(cè)量,根據(jù)上述實(shí)驗(yàn)結(jié)果,利用雙參數(shù)解調(diào)的方法實(shí)現(xiàn)應(yīng)變和溫度二者的同時(shí)測(cè)量,雙參量靈敏度系數(shù)反轉(zhuǎn)矩陣可以表示為:

(9)

式中:ΔT為溫度變化量;Δε為應(yīng)變變化量;Δλ為波長(zhǎng)漂移量;ΔI為強(qiáng)度變化量。Kλε和KIε為應(yīng)變變化引起的Dip點(diǎn)波長(zhǎng)變化靈敏度和強(qiáng)度變化靈敏度;KλT和KIT為溫度變化引起的Dip點(diǎn)波長(zhǎng)變化靈敏度和強(qiáng)度變化靈敏度;D=KλεKIT-KλTKIε。

需要注意的是,KλT=152 pm/℃,KIT=0.029 4 dB/℃,Kλε=7.63×10-5X+0.006 69,KIε=0,將上述參量代入式(9)可得:

(10)

根據(jù)式(10)可知,只需要測(cè)量出光纖傳感器干涉譜中Dip點(diǎn)的波長(zhǎng)和強(qiáng)度變化量,便可求出環(huán)境中溫度和應(yīng)變的變化量。

3 結(jié) 論

介紹了一種基于F-P微腔的高靈敏度應(yīng)變溫度傳感器。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,該傳感器應(yīng)變波長(zhǎng)靈敏度為Y=7.63×10-5X+0.006 69,擬合度為99.9%。當(dāng)應(yīng)變?yōu)? με時(shí),靈敏度為6.77 pm/με;當(dāng)應(yīng)變?yōu)?8 με時(shí),靈敏度增加到13.4 pm/με;當(dāng)應(yīng)變?yōu)?00 με時(shí),靈敏度增加到44.84 pm/με,應(yīng)變?cè)酱箪`敏度提高越大。在溫度測(cè)試中,得到溫度波長(zhǎng)靈敏度為152 pm/℃,強(qiáng)度靈敏度為0.029 4 dB/με。本研究引入了雙參數(shù)解調(diào)的方法,實(shí)現(xiàn)了應(yīng)變與溫度的同時(shí)測(cè)量。該傳感器具有成本低、線性度高、結(jié)構(gòu)緊湊和靈敏度高等優(yōu)點(diǎn),將在未來(lái)物理、生物和化學(xué)等領(lǐng)域有很好的應(yīng)用前景。

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