肖冉 安新磊 祁慧敏
(蘭州交通大學數(shù)理學院,蘭州 730070)
神經(jīng)元是神經(jīng)系統(tǒng)中最基本的結(jié)構(gòu)和功能單位,通過復雜的放電活動,承擔著接受刺激、傳遞信息等重要職責,且神經(jīng)元的放電活動具有復雜的非線性動力學特征[1],因而研究神經(jīng)元放電活動的動力學行為有著十分重要的意義.上個世紀50年代,Hodgkin和Huxley通過對烏賊軸突觸的電壓鉗位實驗數(shù)據(jù)進行分析,建立了HH神經(jīng)元模型[2].這是歷史上首個神經(jīng)元放電活動的數(shù)學模型.上個世紀80年代,Hindmarsh和Rose通過對丘腦神經(jīng)元進行研究,建立了HR神經(jīng)元模型[3,4].近些年來,大量的實驗與研究表明,電磁輻射會對神經(jīng)元放電活動產(chǎn)生影響,且這一影響不可忽略.文獻[5]通過非線性動力學理論,分析了HH神經(jīng)元模型單個及耦合神經(jīng)元受電磁輻射影響下的放電行為.文獻[6]利用非線性動力學理論及數(shù)值仿真方法,分析了磁通e-HR神經(jīng)元模型的動力學特性,并施加Washout濾波器實現(xiàn)了對磁通e-HR神經(jīng)元模型的隱藏放電控制.文獻[7]通過引用磁通變量描述電磁感應下的改進四變量神經(jīng)元模型,研究了相位同步逼近問題,并發(fā)現(xiàn)神經(jīng)元間的磁通耦合可以產(chǎn)生完美的相位同步.文獻[8]研究了電磁刺激對單個神經(jīng)元以及神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)動力學行為有著顯著的調(diào)控能力.文獻[9]利用磁通變量描述電磁感應的影響,并利用憶阻器耦合實現(xiàn)了磁通對膜電位的調(diào)制.更進一步地,通過對神經(jīng)元施加加性相位噪聲,檢測了神經(jīng)元在模態(tài)中的動態(tài)響應和相變,并觀察到雙相干共振行為.此外,各個離子通道也會對神經(jīng)元膜電壓產(chǎn)生影響,即通過改變細胞膜內(nèi)外各離子的濃度,進而改變膜電壓大小.文獻[10]認為外電場對細胞膜內(nèi)外各離子通道的傳遞有影響,從而改變膜電壓,并通過引入電場變量,建立了外電場作用下的FHN神經(jīng)元模型,進一步分析了該模型放電活動動力學特征.但是,上述文獻中建立的神經(jīng)元模型未能同時考慮電場和磁場對神經(jīng)元模型的影響,有必要在考慮電磁場的情況下再進一步研究.
研究表明,在很多神經(jīng)元模型的放電活動中也會出現(xiàn)混沌現(xiàn)象,因此研究神經(jīng)元模型里的混沌控制與同步是十分有必要的.文獻[11]利用滑??刂坪蚆ittag-Leffler函數(shù)方法,使分數(shù)階慣性神經(jīng)元主從系統(tǒng)達到混沌同步.文獻[12]通過磁控憶阻器建立了一個e-HR神經(jīng)元模型,并通過自適應同步控制方法,實現(xiàn)了系統(tǒng)混沌態(tài)放電到周期簇放電態(tài)的同步控制.文獻[13]通過建立全局耦合的抑制性和興奮性神經(jīng)元網(wǎng)絡(luò),發(fā)現(xiàn)耦合強度足夠大時能夠誘導抑制性和興奮性神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)達到幾乎完全同步的狀態(tài).在一般的混沌控制與同步里,參數(shù)都是已知的.但實際混沌系統(tǒng)的參數(shù)往往難以確定,如混沌系統(tǒng)的參數(shù)本身部分未知或全部未知,工作過程中系統(tǒng)參數(shù)受到擾動,神經(jīng)元系統(tǒng)可能會因為外界刺激電流的改變,使得多個系統(tǒng)參數(shù)同時發(fā)生變化.因此,參數(shù)辨識問題是神經(jīng)元動力學分析中的重要一環(huán).基于Lyapunov穩(wěn)定性原理的自適應同步方法是目前參數(shù)辨識常用的方法[14,15].文獻[16]通過增加控制器個數(shù)以及取恰當大小的增益系數(shù),保證了HR神經(jīng)元模型中一組差異過大的未知參數(shù)的準確識別,并縮短了識別的暫態(tài)過程.
受上述研究啟發(fā),本文考慮到磁場以及外電場兩方面都對神經(jīng)元產(chǎn)生影響,同時引入磁通變量和電場變量,構(gòu)建了一個改進的五維HR神經(jīng)元系統(tǒng).運用Matlab軟件做出該系統(tǒng)的雙參數(shù)分岔圖,可以看到該系統(tǒng)具有豐富的放電行為及分岔現(xiàn)象,然后對雙參數(shù)分岔圖里的一條黑線做峰峰間期(ISI)分岔圖以及最大Lyapunov指數(shù)圖,發(fā)現(xiàn)該系統(tǒng)具有倍周期分岔、逆倍周期分岔、加周期分岔等分岔模式以及呈“鋸齒狀”的混沌結(jié)構(gòu).考慮到放電過程中系統(tǒng)可能多個參數(shù)同時發(fā)生變化,取定一組參數(shù),使系統(tǒng)為混沌態(tài),以其中五個參數(shù)為未知參數(shù),利用Lyapunov穩(wěn)定性原理和自適應同步方法,選擇合適的控制器,使驅(qū)動系統(tǒng)和響應系統(tǒng)達成同步,同時辨識出未知參數(shù)的值.
基于三維Hindmarsh-Rose(HR)神經(jīng)元模型,文獻[17]考慮到電磁輻射對膜電位的影響,通過加入磁通變量來模擬這一影響,改進成一個四維的Hindmarsh-Rose(HR)神經(jīng)元模型,再對該四維系統(tǒng)做雙參數(shù)分岔分析,并通過Washout控制器來實現(xiàn)亞臨界Hopf分岔穩(wěn)定性控制,從而消除了隱藏放電現(xiàn)象.Ma J等[9]考慮到外電場參與細胞內(nèi)各離子的傳遞,引起膜電壓的變化,引入了電場變量.受上述啟發(fā),本文同時引入磁通變量和電場變量,建立磁場電場共同作用下的五維HR神經(jīng)元動力系統(tǒng),系統(tǒng)的微分方程如下所示:
其中,五個狀態(tài)變量分別表示膜電位、快電流、自適應慢電流、模擬細胞周圍磁場的磁通變量以及外電場,I為外界的刺激電流,a,b,c,d,r,s,χ0是重要的動力學參數(shù),Ie是磁場產(chǎn)生的電磁感應電流,表達式為-k0(α+3βφ2)x,α和β是與系統(tǒng)相關(guān)的確定參數(shù),k2,k3也是確定系數(shù),為磁通反饋增益.因為快電流y對外電場的變化非常敏感,所以對變量y施加一項k1E來表示外電場對變量y的影響.在本文中,各參數(shù)參考值取為:a=1.0,b=3.0,c=1.0,d=5.0,s=4.0,r=0.006,χ0=-1.61,α=0.2,β=0.03,I=3,k0=0.1k1=0.1,k2=0.3,k3=0.5,k4=0.2,k5=0.3.
神經(jīng)元模型往往會受到外界刺激,從而使神經(jīng)元的放電行為發(fā)生變化.系統(tǒng)(1)中膜電壓x的放電行為與系統(tǒng)參數(shù)取值有關(guān),其余各參數(shù)取參考值時,系統(tǒng)膜電壓x隨外界刺激電流I變化的峰峰間期(ISI)分岔圖如圖1所示.從圖中我們可以看到:當外界刺激電流I逐漸增大時,系統(tǒng)(1)首先由靜息態(tài)進入周期1尖峰放電態(tài),隨后經(jīng)過加周期分岔進入周期2,3,4,5...10簇放電態(tài),再通過倍周期分岔進入混沌態(tài)放電,混沌態(tài)放電結(jié)束后進入周期11的周期簇放電態(tài),再次通過倍周期分岔進入混沌態(tài)放電,最后通過逆倍周期分岔進入周期1尖峰放電態(tài).但在實際情況中,外界刺激電流I改變時,系統(tǒng)(1)的其他幾個參數(shù)可能也同時發(fā)生改變.因此研究系統(tǒng)(1)的雙參數(shù)同時改變時,膜電壓x的變化更具有實際意義.
圖1 關(guān)于參數(shù)I的ISI分岔圖Fig.1 The bifurcation diagram of ISI with respect to parameter I
取I和r這兩個參數(shù),對系統(tǒng)(1)做雙參數(shù)分岔分析,其余參數(shù)取參考值.系統(tǒng)(1)的雙參數(shù)分岔結(jié)構(gòu)圖如圖2所示.圖中不同顏色對應著不同的神經(jīng)元膜電壓放電狀態(tài),右邊顏色欄的數(shù)值表示對應的周期簇放電狀態(tài).(如數(shù)字1表示周期1尖峰放電態(tài),數(shù)字2表示周期2簇放電態(tài),數(shù)字8表示周期8簇放電態(tài),白色區(qū)域代表周期大于或等于20的周期簇放電狀態(tài)或混沌態(tài)).
圖2 參數(shù)I和r的雙參數(shù)分岔圖Fig.2 The bifurcation diagram with two parameters I and r
對圖2做分析可知,當參數(shù)I∈ [2.85,3.85],r∈ [0.002,0.027]時,系統(tǒng)(1)表現(xiàn)出非常豐富的周期簇放電狀態(tài)和“鋸齒狀”混沌狀態(tài).沿圖2中的黑線左上到右下方向,可以看到膜電壓x經(jīng)歷的放電過程是:先從混沌放電態(tài)進入到周期3簇放電,再由倍周期分岔進入周期6,12,24...簇放電直到混沌放電態(tài),混沌放電態(tài)結(jié)束后出現(xiàn)周期4窗口,同樣經(jīng)過倍周期分岔進入周期8,16,32...直到進入混沌放電態(tài).一直反復下去.看到系統(tǒng)(1)每經(jīng)歷一次混沌放電,放電的周期數(shù)比混沌放電前的周期數(shù)大一,這個過程就是伴有混沌的加周期分岔模式.由此可以觀察到,隨著黑線的走勢,周期數(shù)不斷加大,相應的周期顏色帶面積不斷減小,且混沌的窗口也不斷減小.此外,從I∈[2.85,3.05],r∈[0.002,0.007]這個參數(shù)區(qū)間可以看到,此時系統(tǒng)(1)的分岔結(jié)構(gòu)不包含混沌區(qū)域的周期層,且相鄰周期窗口周期數(shù)大一,這個過程稱為無混沌的加周期分岔模式.
當以參數(shù)r為變量時,其余參數(shù)取參考值.沿圖2中的黑線從右下到左上方向,可以做出系統(tǒng)(1)膜電壓x的峰峰間期(ISI)分岔圖如圖3(a)所示,圖3(b)是圖3(a)所對應的最大Lyapunov指數(shù)圖.從圖3(a)可以更直觀地看出,隨著參數(shù)r的不斷減小,系統(tǒng)的膜電壓x放電模式從混沌態(tài)放電結(jié)束后進入周期3簇放電態(tài),再通過倍周期分岔再次通向混沌態(tài)放電,然后進入周期4簇放電態(tài),進一步通過倍周期分岔轉(zhuǎn)向混沌后再進入周期5簇放電態(tài),以此反復下去,最后從高周期簇放電態(tài)通過倍周期分岔進入混沌后,通過一次逆倍周期分岔進入周期1尖峰放電態(tài).
圖3 系統(tǒng)(1)的ISI分岔圖及最大Lyapunov指數(shù)圖Fig.3 The bifurcation diagram of ISI and maximum Lyapunov exponent diagram of system(1)
根據(jù)上述分析,外界刺激可以導致神經(jīng)元的放電活動發(fā)生變化,系統(tǒng)動力學參數(shù)可能也會隨之改變.這樣在多個系統(tǒng)參數(shù)發(fā)生變化時,如何辨識出變化后的未知參數(shù)就有著十分重要的意義.
在具體的數(shù)值仿真中,令驅(qū)動系統(tǒng)中狀態(tài)變量初值取 (-0.1,-0.2,-0.3,-0.4,-0.5),響應系統(tǒng)狀態(tài)變量初值取(0.1,0.2,0.3,0.4,0.5),未知參數(shù)取為a1=1,b1=3,c1=1,d1=5,r1=0.027,此時驅(qū)動系統(tǒng)為混沌態(tài),將響應系統(tǒng)初始參數(shù)取為a2=1.2,b2=4,c2=1.5,d=6.2,r=0.003.通 過 Matlab軟件進行數(shù)值模擬,得到響應系統(tǒng)(3)的參數(shù)辨識曲線以及同步誤差e隨時間t的變化如圖4所示.可以觀察到,經(jīng)過一定的暫態(tài)過程后,同步誤差隨時間逐漸趨于零附近.驅(qū)動系統(tǒng)與響應系統(tǒng)達成同步.且由數(shù)值仿真可以得出,在t=1000時,響應系統(tǒng)的參數(shù)估計值a2=c2=0.999,b2=3,d2=4.999,r2=0.027,基本趨近于驅(qū)動系統(tǒng)的未知參數(shù)值,即辨識出驅(qū)動系統(tǒng)的未知參數(shù).
圖4 系統(tǒng)(3)的參數(shù)辨識曲線Fig.4 Parameter identification curve of system(3)
可以看到,基于Lyapunov穩(wěn)定性理論和自適應同步方法辨識出了五維HR神經(jīng)元系統(tǒng)的未知參數(shù)值,且從仿真結(jié)果可以看到同步誤差很快趨近于零,辨識結(jié)果也較為準確,說明基于Lyapunov穩(wěn)定性理論和自適應同步方法的參數(shù)辨識是成功的.
本文首先基于三維HR神經(jīng)元模型,通過引入磁通變量和電場變量,構(gòu)建了一個改進的五維神經(jīng)元系統(tǒng)(1);其次,利用Matlab軟件進行雙參數(shù)分岔分析,進一步發(fā)現(xiàn)其具有豐富且復雜的分岔模式.如沿著圖2黑線從左上到右下方向,系統(tǒng)有著常見的倍周期分岔、加周期分岔的分岔模式,混沌結(jié)構(gòu)呈“鋸齒狀”;然后,取一種混沌狀態(tài)的情況單獨分析,基于Lyapunov穩(wěn)定性理論和自適應同步方法,以該混沌神經(jīng)元系統(tǒng)作為驅(qū)動系統(tǒng),構(gòu)建一個對應的響應系統(tǒng),設(shè)計了使兩個系統(tǒng)同步的控制器,使驅(qū)動系統(tǒng)和響應系統(tǒng)達成完全同步,從而混沌系統(tǒng)的未知參數(shù)得到了識別,理論證明了控制器的可行性;最后,通過數(shù)值仿真得到了五個狀態(tài)變量的誤差圖以及參數(shù)辨識曲線.從圖中可以看到兩系統(tǒng)較快地達到完全同步,且未知參數(shù)得到識別.本文的研究結(jié)果在生物學與醫(yī)學電磁場下神經(jīng)元模型的建立中有著一定的參考價值.
圖5 系統(tǒng)(2)與系統(tǒng)(3)同步誤差圖Fig.5 Synchronization error diagram of system(2)and system(3)