吳柳松 劉振寧 羅練軍 張軍杰
(勝宏科技(惠州)股份有限公司,廣東 惠州 516211)
下一代服務器CPU控制模塊用印制電路板(PCB)采用凸起連接盤(Raised Pad,以下稱凸盤)技術,此類產品為AMD,Intel等大客戶應市場發(fā)展需求,其應用前景廣闊。凸盤技術指標較高,分布在BGA區(qū)域,如圖1所示。因而,凸盤產品特征決定其制作工藝制作難點在鍍銅后外層線路制作。以下講述五種制作線路的工藝方法,主要從工藝流程、生產設備、物料,給出一套可行的技術方案。介紹了電鍍,外層和防焊制程的制作參數及關鍵品質。
圖1 凸盤板實物圖
凸盤制作成品要求:高度50 μm±5 μm,其高度比阻焊層高25 μm,如圖2所示。
圖2 凸盤切片分析介質層厚度示意圖
針對外層線路不同工藝方法統(tǒng)計整理,凸盤板的制作工藝流程方案如下。
1.2.1 方案1 (真空壓膜法)
開料→內層→AOI→壓合→鉆孔→板電→干膜1→烘烤→凸盤鍍銅→鍍金→去膜→真空壓膜→線路曝光→DES→外檢AOI→防焊→文字→干膜2→化金→去膜→成型→電測→FQC→清洗→包裝
1.2.2 方案2(干膜封孔+網版印刷油墨法)
開料→內層→內檢AOI→壓合→鉆孔→板電→干膜1→烘烤→凸盤鍍銅→鍍金→去膜→熱輥壓膜→曝光→顯影→印刷油墨一面→烘烤→印刷油墨另一面→烘烤→曝光→DES→外檢AOI→防焊→文字→干膜2→化金→去膜→成型→電測→FQC→清洗→包裝
1.2.3 方案3 (干膜封孔+浸油工藝法)
開料→內層→AOI→壓合→鉆孔→板電→干膜1→烘烤→鍍銅Raised PAD→鍍金→去膜→熱輥壓膜→曝光→顯影→烘干→浸油→烘烤→線路曝光→DES→外檢層AOI→防焊→文字→干膜2→化金→去膜→成型→成測→FQC→清洗→包裝
1.2.4 方案4(干膜封孔+靜電噴涂法)
開料→內層→AOI→壓合→鉆孔→板電→干膜1→烘烤→凸盤鍍銅→鍍金→去膜→壓膜→曝光→顯影→靜電噴涂→預烤→曝光→DES→外檢AOI→防焊→文字→干膜2→化金→退膜→成型→成測→FQC→清洗→包裝
1.2.5 方案5 (先外層線路后鍍凸盤)
開料→內層→AOI→壓合→鉆孔→板電→外層線路→DES→外檢AOI→沉銅→干膜1→烘烤→凸盤鍍銅→鍍金→去膜→防焊→文字→干膜2→化金→去膜→成型→成測→FQC→清洗→包裝
凸盤電鍍工藝流程,包含鍍銅與鍍金兩個流程?,F從干膜到鍍金制程相關參數如下。
(1)壓膜:板電后,經過前處理,清洗烘干板面后,使用熱輥壓膜機壓上一層感光抗蝕膜。干膜型號W265,此干膜有65 μm,保證鍍銅凸盤能鍍上大于50 μm的厚度。
(2)曝光:把壓膜后的板放到曝光機臺面上,放上底片,使用UV光照射。也可LDI曝光機直接曝光作業(yè)。其生產制作參數,曝光能量280~300 mJ,曝光能能量尺6±1格。
(3)顯影:曝光完后板,靜置30 min后,撕去干膜表層聚酯薄膜,放進顯影機,利用顯影劑藥水沖洗,留下干膜覆蓋圖形。其生產制作參數:線速1.5 m/min~2 m/min,碳酸鈉濃度(1±0.2)%。
(4)烘烤:把顯影將板插框架,放置在箱式烤箱內,設定溫度120 ℃,時間10 min~20 min,其目的是使干膜和面銅結合得更牢固。
(5)凸盤鍍銅:把烤后板冷卻常溫后,放到鍍銅線上進行鍍銅作業(yè),其參數參考露出銅面積。生產參數:鍍銅面積(0.06 ft2)/鍍銅(1.6 A/dm2、120 min)/鍍錫(0.01 A/dm2、10 min)。
(6)鍍金:凸盤板鍍銅后,直接鍍金作業(yè),要求鍍金厚度min:0.76 μm(30 μin),鎳厚3.0~5.1 μm(118~200 μin)使用3#鍍金線,生產參數:電流密度(Au:1.18 A/dm2、Ni:1.29 A/dm2),線速:0.7 m/min /設定面積:5000 m2。
通過以上制程生產后,凸盤已制作完成,如圖3所示。
圖3 BGA區(qū)域鍍凸盤和凸盤切片
使用切片分析統(tǒng)計電鍍凸盤的厚度,經測量數據實際值都在范圍內,相關數據如表1所示。
表1 凸盤切片測量數據(單位:μm)
表1數據顯示,凸盤板的電鍍銅厚,金鎳厚度都在范圍內,符合生產要求。
(1)以下為先鍍銅凸盤,后制作外層線路的外層圖形,從壓膜到外層AOI工序簡述如下。
①去膜:鍍金后將凸盤板放進去膜線作業(yè),其原理利用去膜藥劑(NaOH),把干膜從板面上去除掉,保持板面潔凈。生產制作參數線速1.0 m/min~1.5 m/min,NaOH濃度3%~5%。
②壓膜:去膜后凸盤板,經過前處理清洗烘干板面后,使用熱輥壓膜機壓上一層感光抗蝕膜,干膜型號HD240,此干膜制作干膜封孔之用,防止后續(xù)印刷油墨入孔。主要參數,線速2.0 m/min,壓膜溫度110 ℃±10 ℃。
③曝光:把壓膜后的板放到曝光機臺面上,再放上底片使用UV光照射,把圖形轉移到板面的干膜層上。其生產制作參數,曝光能量90~110 mj,曝光能能量尺6±1格。
④顯影:曝光后板靜置30 min后,撕去干膜表層聚酯薄膜,放進顯影機,利用顯影劑藥水把未曝光的干膜沖洗掉,留下干膜覆蓋圖形。其生產制作參數:線速4.0~4.5 m/min,碳酸鈉濃度(1±0.2)%。
⑤網版印刷一面:使用絲網印刷機把顯影后板進行單面印刷作業(yè)。在板面上印上一層均勻的濕膜(線路油墨或防焊油墨,解析度達到制作外層線路的要求即可)。其生產制作參數:刮刀速度1.5~2.0 m/min,角度45°,壓力0.15 Mpa~0.2 Mpa。
⑥預烤:把印好單面的板插框架,放進烤箱預烤(溫度75 ℃,5~10 min),把濕膜烤干不粘手為準。
⑦網版印刷另一面:把印刷一面油墨烘烤干的板,同機臺進行另一面印刷作業(yè),在板面上印上一層均勻的濕膜。其生產制作參數同上面印刷。
⑧預烤:把印好雙面油墨的板插框架,放進烤箱預烤(溫度75 ℃、20~25 min),把濕膜烤干(不黏手為準進行檢驗),預防黏底片。
⑨曝光:把印刷雙面油墨烤干的板,放到曝光機臺面上,放上底片,使用UV光照射作業(yè)(也可用LDI曝光機直接曝光作業(yè))。曝光能量90~110 mJ曝光能量格(5~7格)。
⑩DES線:即顯影機、蝕刻機、去膜機組成水平線連線作業(yè)。把曝光過板放進顯影機,顯影出所需要的圖形,再經過蝕刻機內的酸性蝕刻液,腐蝕掉暴露的銅面,留下的保護膜經過去膜機內去膜藥劑(氫氧化鈉)把覆蓋銅面上的保護膜去掉,得到銅層線路圖。生產參數:速度為3.5~5 m/min;顯影壓力0.15~0.2 Mpa,碳酸鈉濃度(1±0.2)%;蝕刻壓力0.2~0.3 Mpa;去膜壓力0.15~0.2 Mpa,氫氧化鈉濃度3~5%。
?光學自動檢測(AOI):針對蝕刻出外層線路圖形進行檢驗,與CAM客戶原稿設計圖形比對是否完整,若不完整,存在缺失項,則查看判別,檢修。圖4是完成外層線路和凸盤的線路局部圖示。
圖4 凸盤線路蝕刻圖
(2)以下為先外層線路,后制作鍍銅凸盤的工序如下,有關參數與前述類同,不再多述。
①壓膜:板電后經過前處理烘干板面后,使用熱輥壓膜機壓上一層感光抗蝕膜,干膜型號HD7240。
②曝光:把壓膜后的板放到曝光機臺面上,放上底片,使用UV光照射。也可采用LDI(激光直接成像)曝光機直接曝光作業(yè)。
③顯影:曝光完后板,靜置15 min后,進行顯影。
④DES蝕刻線,顯影-蝕刻-去膜。
⑤外檢AOI對蝕刻出外層線路圖形進行檢驗。
⑥沉銅:把外層線路獨立的單元,通過沉銅線,沉積一層薄的銅層連接起來,為后面電鍍提供能導電的導體。生產參數:線速2 m/min。
⑦鍍銅凸盤工序制作參照以上2.1節(jié)。
凸盤外層線路制作依據基材銅經過板電后,整體銅厚在35~40 μm。按照銅厚35 μm外層銅厚進行補償線寬作業(yè),其正常補償38 μm?,F首件測量線寬數據在中值偏上。符合生產要求。
表2、表3數據顯示,凸盤板的首件板制作完,線寬測量數據,以及相關阻抗測量值在中值偏上,都在范圍內,符合生產要求,后續(xù)批量生產。
表2 TOP面凸盤線寬測量數據(單位:μm)
表3 Bottom面阻抗線測量數據
先鍍銅凸盤后線路制作,由于凸盤存在高低差,無真空壓膜設備,只能選用油墨制作線路。預防油墨入孔去墨不凈,PTH孔先使用干膜蓋孔,再印刷油墨(或噴涂,浸油作業(yè))。由于工藝流程長,油墨在凸盤之間厚薄不均,抗蝕刻能力差異,導致最終線路良率較低。
先制作外層線路,由于在板電后壓膜生產,不存在凸盤高低差影響。因而,其外層制作的良率較高(90%以上),可達到達方案1使用真空壓膜設備生產凸盤板的外層良率。
在制作線路時,由于凸盤存在高低差,導致抗蝕劑干膜或油墨覆蓋不全面,影響抗蝕刻效果。主要缺陷和對策見表4。
表4 凸盤制作線路缺陷工藝改善主要對策表
不同工藝方法的工序數與良品率相關數據見表5所示。統(tǒng)計分析這5種方案,前4種先鍍銅凸盤后制作線路,方案5剛好相反,其優(yōu)勢如下。
(1)縮短工序:可減去使用干膜蓋孔和濕墨制作線路兩個工序;
(2)精簡工藝:省略濕墨印刷制作線路,減少一次影像轉移工藝;
(3)節(jié)省工時:沉銅(10 min)與絲印油墨(3小時-制作10 PNL板計時)耗時相差甚遠;
(4)物料節(jié)?。菏∪衲奈锪虾凸A具的消耗;
(5)良率提升>30%,方案5的外層良率90%相比方案2、3、4的外層線路良率50%~60%,差異>30%。
綜上所述,凸盤外層線路制作,不同的工藝制作方法生產良率存在差異,后續(xù)工藝不斷改善,優(yōu)化參數,改良方法,將會不斷提高產品良率。