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一種膜電極法制備硒化氫的方法

2021-04-04 16:20
低溫與特氣 2021年5期
關(guān)鍵詞:高純單質(zhì)電解槽

申請(專利)號:CN112853376A

公開(公告)日:2021-05-28

申請(專權(quán))人:有研國晶輝新材料有限公司

摘要:本發(fā)明涉及一種膜電極法制備高純硒化氫的方法,包括如下步驟:將超純水分別加入電解槽陽極室和陰極室,所述陽極室和所述陰極室通過陽離子半透膜隔開,以單質(zhì)硒為陰極,進(jìn)行電解;電解過程中,收集電解槽陰極室產(chǎn)生的氣體,經(jīng)純化后,制備得到硒化氫。該制備方法采用高純單質(zhì)硒作為陰極,有效提高了硒的轉(zhuǎn)化效率,轉(zhuǎn)化效率可以高達(dá)95%;而且由陰極室制備得到的氣體經(jīng)去除氫氣和水蒸氣后,即可獲得高純硒化氫,不僅避免了復(fù)雜的純化工藝,還減少了污染排放物。

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