2019年是極紫外 （EUV）光刻技術(shù)的重要里程碑。同年，EUV構(gòu)圖技術(shù)首次應(yīng)用于7 nm技術(shù)代邏輯芯片的量產(chǎn)。插入以對芯片后端（BEOL）的最關(guān)鍵層進(jìn)行圖案化，能夠打印間距高達(dá)36-40 nm的金屬線。

2023年將標(biāo)志著EUV光刻技術(shù)發(fā)展的又一個(gè)新的里程碑。屆時(shí)，新一代EUV光刻工具有望進(jìn)入現(xiàn)場：高數(shù)值孔徑（high-NA）EUV光刻掃描儀——新設(shè)備預(yù)計(jì)可在較少的圖案化步驟中打印2 nm（及以上）邏輯芯片的最關(guān)鍵特征。瑞利方程再次證明了向高NA光刻的過渡是合理的，它提供了用于提高分辨率的第二個(gè)“旋鈕”——增加投影鏡頭的數(shù)值孔徑（NA）。NA控制用于形成圖像的光量（更準(zhǔn)確地說，衍射級數(shù)），從而控制圖像的質(zhì)量。