王 宏,彭 飛,李 巖
(1.邯鋼設(shè)備運(yùn)行保障公司,河北 邯鄲 056000;2.邯鋼設(shè)備動力部,河北 邯鄲 056000)
西門子ML2和SM150變頻器使用壓接型的IGCT和二極管作為主功率器件,通過將四只IGCT器件、八只二極管、以及其它輔件(水冷電阻、脈沖變壓器、等電位計、電容、水冷電感、聯(lián)接母排、水冷電阻聯(lián)接電纜、配水管路)等器件集成設(shè)計,作為整體模組接入變頻器內(nèi)。該模組為變頻器的最核心部分。大功率IGCT模組是中壓三電平變頻器的關(guān)鍵所在,通過外部蝶形彈簧將IGCT、二極管和導(dǎo)電型水冷散熱器壓接成一串,水冷散熱器通過水路將熱量帶走,通過連接銅排進(jìn)行電氣聯(lián)通。
①大功率IGCT功率模組的功率串需要保證40kN±10%的壓力范圍,如果壓接力過大會導(dǎo)致半導(dǎo)體器件被壓壞,如果壓接力太小會導(dǎo)致散熱器和半導(dǎo)體器件貼合不夠緊密,不僅導(dǎo)電性能差,并且散熱效果更差,從而引起器件發(fā)熱嚴(yán)重而損壞。所有功率模組修復(fù)時,如何保障合理的壓力范圍,是一個難點。②大功率IGCT模組中含有3個功率串,如果不同的功率串之間壓力不同,也會造成端部支撐板的變形不一致。功率串之間的耦合又會造成相鄰的功率串壓力變化。除了壓接力需要滿足半導(dǎo)體器件的應(yīng)用要求外,功率串之間的壓接均勻性也要滿足器件應(yīng)用要求。
大功率IGCT模組中含有4只IGCT,8只Diode,還包含有空心電抗器、水冷電阻、箝位電阻、吸收電容的器件,整體組成三電平半橋拓?fù)?。任何半?dǎo)體器件在長時間運(yùn)行后都會出現(xiàn)老化現(xiàn)象。
三電平功率模組的調(diào)制分為上半周波調(diào)制和下半周波調(diào)制,以上半周波調(diào)制為例,當(dāng)D3、D4導(dǎo)通時,T1和T2承受全母線電壓。如果IGCT的斷態(tài)阻斷參數(shù)全部匹配的話,T1和T2承擔(dān)Vdc/2的電壓。①當(dāng)T1的阻抗大于T2的阻抗,則b點的電位低于c點,D5導(dǎo)通,使得b點電位箝位到母線中點;②當(dāng)T1的阻抗小于T2時,T2會承受較大的電壓,T1比T2的阻抗偏差比例越大,T2承受越高的電壓,容易被擊穿。引入先進(jìn)的半導(dǎo)體檢測設(shè)備和檢測技術(shù),對替換下來的備件功率模組中的所有半導(dǎo)體器件和輔助器件進(jìn)行全面的檢測和核算,保障功率模組內(nèi)的器件參數(shù)一致,滿足整機(jī)的運(yùn)行要求,完全消除主功率器件隱患。
(1)現(xiàn)場調(diào)研:隨著國內(nèi)電力電子技術(shù)的發(fā)展,以及具備了大功率IGCT模塊的中壓變頻器的國產(chǎn)化維護(hù)及再優(yōu)化設(shè)計的能力。以檢測修復(fù)大功率IGCT模塊為切入點,研究掌握關(guān)鍵技術(shù)先實現(xiàn)修復(fù)IGCT模塊的突破,進(jìn)而實現(xiàn)中壓變頻器整機(jī)國產(chǎn)化。由于IGCT大功率模塊涉及的電容、二極管、等電器件老化問題,引發(fā)相應(yīng)的電氣傳動設(shè)備故障頻發(fā)。關(guān)鍵是改進(jìn)IGCT大功率模塊在使用過程中易發(fā)絕緣降低產(chǎn)生的相間短路放電問題。
(2)技術(shù)方案的制定及實施:由于原裝IGCT模塊陶瓷絕緣片間隙小,現(xiàn)場粉塵和溫度影響造成二極之間的絕緣電壓降低,產(chǎn)生爬電電壓。因此在充分考慮了該絕緣片的功能及結(jié)構(gòu)后,決定采用FR4材質(zhì)的環(huán)氧板及改良的銅板來做替代方案。以下將從材料結(jié)構(gòu)、電氣隔離、導(dǎo)熱3方面對比二者間的性能。①結(jié)構(gòu)強(qiáng)度:介電強(qiáng)度,陶瓷>=5kV/mm,F(xiàn)R4>=10.2kV/mm;絕緣電阻,陶瓷>1012Ω/cm,F(xiàn)R4>1012Ω/cm;抗 壓 強(qiáng) 度,陶 瓷2141kg/cm2,F(xiàn)R4 1100~1300kg/cm2;熔點,陶瓷2200℃;FR4 2030℃。②電氣隔離:結(jié)構(gòu)對比,原方案:銅板雙面平整;陶瓷絕緣片,正面中心及背面均為鍍銀處理。正面處有兩道溝槽,增加爬電距離。替代方案:銅板雙面中心處均有凸起的平臺,增加爬電距離;陶瓷絕緣片:雙面平整,表面無溝槽。爬電對比,原方案為26mm,替代方案為46mm。③溫度:原陶瓷絕緣片位于緩沖吸收二極管與嵌位二極管中間,起到熱傳導(dǎo)的作用。因為緩沖吸收二極管在工作中處于零電流關(guān)斷,所以損耗極小。而嵌位二極管發(fā)熱較為嚴(yán)重,但因為中間間隔銅排與銅柱,熱阻較大,因此大部分熱量被散熱器帶走,僅有小部分通過陶瓷絕緣片傳遞過去。
用環(huán)氧絕緣片代替陶瓷絕緣片,可以認(rèn)為嵌位二極管的損耗熱量全部通過散熱器散發(fā)。因此可考慮二極管單面散熱時工況,計算其結(jié)溫是否滿足要求。
圖1 實物圖
圖2 等效圖
當(dāng)機(jī)組10MW滿功率輸出時,模組中嵌位二極管的損耗最大為2.18kW,考慮嵌位二極管陰極單面散熱結(jié)殼熱阻為17.2K/kW,散熱器熱阻8.35K/kW,水溫按照40℃考慮,則結(jié)溫計算如下。
而IGCT的最高允許結(jié)溫為125℃,按照IGCT降額規(guī)范要求A區(qū)降額20℃使用,則10MW滿功率運(yùn)行最高允許結(jié)溫為105℃。顯然IGCT實際結(jié)溫95.7℃可以滿足降額要求規(guī)范。因此采用環(huán)氧絕緣板替代陶瓷絕緣板可以滿足器件散熱需求。
測試指標(biāo),壓接面表面無電蝕;GCT外觀無碰破損;阻斷特性VD=4500V,IDM≤50mA;通態(tài)壓降≤2.7V;二極管檢測項目:測試指標(biāo),壓接面表面無電蝕;二極管外觀無磕碰破損;阻斷特性VD=4500V,IDM≤10mA;通態(tài)壓降≤3.6V;吸收電阻、放電電阻及嵌位電阻檢測項目:測試指標(biāo),電阻外殼整潔無變形;吸收電阻=1Ω,放電電阻=4MΩ,箝位電阻=11kΩ;絕緣阻抗>10MΩ;水冷空心電抗器檢測項目:測試條件,電感外觀整潔無變形;電感3uH;絕緣VISO=10kVac;吸收電容檢測項目:測試條件,外觀整潔無變形;電容量20uF±2uF;損耗正切角Tanθ<0.5%;絕緣電阻VISO=10kVac
測試條件,外觀整潔無變;絕VISO=10kVac,Iiso≤10mA;原邊電感/電阻<2mH;副邊電感/電阻<2mH;IGCT壓力測試項目:檢測項目,壓力均勻性,受力面無傾斜;壓接無空心,受力面無空心現(xiàn)象;壓力要求,器件受壓應(yīng)在36kN~44kN之間;二極管壓力測試項目:檢測項目,壓力均勻性,受力面無傾斜;壓接無空心,受力面無空心現(xiàn)象;壓力要求,器件受壓應(yīng)在36kN~52kN之間;保壓測試平臺項目:檢測項目,接頭是否出線漏水滲水;水管是否出線變形彎曲;水冷電阻是否出現(xiàn)漏水,滲水,變形;水冷電感是否出現(xiàn)漏水,滲水
①通過示波器對IGCT電流、電壓波形錄波,電流有效值=1750A,大電流持續(xù)時間11分鐘,超過了原裝IGCT的5分鐘考核指標(biāo);②電壓應(yīng)力測試IGCT關(guān)斷電壓尖峰值<3825V,達(dá)到了IGCT的管壓要求。
二極管、GCT、驅(qū)動單元檢測結(jié)論。①二極管:阻斷特性VD=4500,VIDM≤10mA。通態(tài)壓降≤3.6V;②GCT:阻斷特性VD=4500V,IDM≤50mA。通態(tài)壓降≤2.7V;③驅(qū)動單元:驅(qū)動板整流橋≥30V,驅(qū)動板Buck=20±2V。
吸收電阻、放電電阻及嵌位電阻檢驗結(jié)論。①三種電阻絕緣阻抗>10MΩ。②值吸收電阻=1Ω;③放電電阻=4MΩ;④箝位電阻=11kΩ。
①緩沖電感:二個電感值2.85uH和3.16uH。絕緣VISO=10kVac;②吸收電容:二個電容量20uF±2uF.。損耗正切角Tanθ<0.5%。絕緣電阻VISO=10kVac。壓力和保壓測試:壓接型器件承壓均勻是器件應(yīng)用可靠性和壽命的關(guān)鍵因素,為了保證IGCT承受壓力均勻,IGCT功率模塊完成測試修復(fù)重新組裝恢復(fù)后,按照相關(guān)工藝流程對IGCT功率模塊中的各二極管進(jìn)行完整的壓力測試。壓接受力面無空心現(xiàn)象,受壓在36~52kN之間,達(dá)到了國際標(biāo)準(zhǔn)要求。并對相關(guān)水路進(jìn)行嚴(yán)格的保壓測試,投入現(xiàn)場使用工作近一年中水冷電阻、水冷電感和水管線變形彎曲正常,接頭無漏水滲水。
通過在試驗臺對修復(fù)的大功率IGCT模塊進(jìn)行檢測后,替換到在線設(shè)備上,經(jīng)過一年的運(yùn)行考核,每個器件的性能均達(dá)到了國外原裝進(jìn)口IGCT模塊電器元件的要求,實現(xiàn)了國產(chǎn)修復(fù)的完整替代。