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A位摻雜對BF-PZT壓電陶瓷性能的影響

2020-09-16 03:24張?jiān)?/span>鐘敏張靜燕周民賴煒
中國陶瓷工業(yè) 2020年4期
關(guān)鍵詞:鈦酸電性能壓電

張?jiān)?,鐘敏,張靜,燕周民,賴煒

A位摻雜對BF-PZT壓電陶瓷性能的影響

張?jiān)桑娒?,張靜,燕周民,賴煒

(貴州振華紅云電子有限公司,貴州 貴陽 550018)

BF-PZT壓電陶瓷;A位摻雜;介電和壓電性能;介電弛豫特性

0 引 言

鋯鈦酸鉛(PbZrxTi1-xO3,PZT)是一種壓電陶瓷材料,能夠?qū)C(jī)械能和電能互相轉(zhuǎn)換。為獲得更高性能的PZT壓電陶瓷,可對PZT進(jìn)行摻雜改性,形成鈮鎳酸鉛—鋯鈦酸鉛、鈮鎂酸鉛—鈮鋅酸鉛—鋯鈦酸鉛、鈮銻酸鉛—鈮鎂酸鉛—鈮鎳酸鉛—鋯鈦酸鉛等多元系的壓電陶瓷。其廣泛應(yīng)用于壓電發(fā)聲器件、壓電散熱器、超聲清洗、超聲換能器和壓電致動(dòng)器等,并在醫(yī)療、航空、智能傳感、軍事打擊、船舶以及民用等各個(gè)領(lǐng)域得到越來越多的運(yùn)用[1-5]。其中,民用領(lǐng)域最為廣泛,主要集中在壓電電聲、超聲振動(dòng)等器件上。隨著智能家居的發(fā)展,對壓電電聲、超聲振動(dòng)等器件的性能要求也越來越苛刻,從而要求壓電陶瓷具有更高的介電常數(shù)、壓電常數(shù)、穩(wěn)定性及機(jī)電耦合系數(shù)。

BF-PZT(BiFeO3-Pb(Zr,Ti)O3)體系通過B位摻雜BCN[6](Ba(Cu1/3Nb2/3)O3)、PMN[7](PbMn1/3Nb2/3)O3)等獲得穩(wěn)定性較好的壓電陶瓷,并成功應(yīng)用在壓電變壓器以及超聲振動(dòng)器件上,但是介電常數(shù)(≤2000)、壓電常數(shù)(≤400 pC/N)以及機(jī)電耦合系數(shù)(kp≤0.60)較低,限制了BF-PZT體系的應(yīng)用范圍。本文采用傳統(tǒng)固相燒結(jié)法制備了BF-PZT壓電陶瓷材料,通過研究A位摻雜對該體系的介電、壓電性能的影響,并得到高電壓電高、平面機(jī)電耦合系數(shù)高的壓電陶瓷,并廣泛應(yīng)用于壓電電聲、超聲振動(dòng)等器件。

1 實(shí) 驗(yàn)

1.1 樣品的制備

本文實(shí)驗(yàn)分兩步進(jìn)行:

(1) 不同Zr/Ti比例的研究

組分為:0.90Pb (Zr,Ti)O3-0.10BiFeO3,其中,Zr/Ti=1.20,1.22,1.24,1.26,1.28,1.30。

(2) A位摻雜量的研究

A位摻雜量是在確定出最好的Zr/Ti比基礎(chǔ)上進(jìn)行的,組成為:

0.90Pb1-xAx(Zr,Ti)O3-0.10BiFeO3,x=0.10,0.12,0.14,0.16,0.18;其中,A位摻雜的組分有:BaCO3:5—8 at%、SrCO3:3—6 at%、CaO:1—2 at%、MgO:1—2 at%。

上述配方采用一步固相燒結(jié)法制備樣品。選用紅丹(Pb3O4,≥99.8 %,分析純)、碳酸鍶(SrCO3,≥99.1 %,分析純)、碳酸鋇(BaCO3,≥99.1 %,分析純)、氧化鈣(CaO,≥99.5 %,分析純)、三氧化二鉍(Bi2O3,≥99.4 %,分析純)、氧化鎂(MgO,≥99.4 %,分析純)、二氧化鋯(ZrO2,≥99.0 %,分析純)、二氧化鈦(TiO2,≥99.6 %,分析純)、三氧化二鐵(Fe2O3,≥99.9 %,分析純)粉體作為原材料,根據(jù)化學(xué)計(jì)量比計(jì)算,并在室溫條件下稱料,加入一定配比的鋯球和去離子水,球磨6 h后,進(jìn)行干燥過篩,粉料在1000 ℃下預(yù)燒2 h。預(yù)燒后進(jìn)行二次球磨8 h后干燥,加入5 wt.%的聚乙烯醇造粒,在100 MPa壓機(jī)中壓制成Ф20×1.0 mm的生坯。生坯在1270 ℃下燒結(jié)2 h。燒結(jié)后的樣品用Ф18 mm的尼龍網(wǎng)印銀、750 ℃烘銀,并在100 ℃的硅油內(nèi),按3 kv/mm極化20 min,靜置24 h后進(jìn)行壓電性能、掃描、XRD、介電溫譜等測試。

1.2 樣品表征

其中,C為靜電電容(單位:pF)。

2 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與討論

2.1 XRD衍射分析

0.10BF-0.90PZT體系不同Zr/Ti比制備樣品的XRD衍射圖譜見圖1所示。

圖1 不同Zr/Ti比樣品的XRD圖譜

圖1的XRD圖譜中每組樣品的相結(jié)構(gòu)均是鈣鈦礦結(jié)構(gòu),說明鐵酸鉍全部進(jìn)入PZT結(jié)構(gòu)中。當(dāng)Zr/Ti>1.24時(shí),在2θ=44o—46o范圍內(nèi)的XRD衍射呈現(xiàn)單峰,衍射峰為對應(yīng)的三方相(200)面;當(dāng)Zr/Ti≤1.24時(shí),在2θ=44o—46o范圍內(nèi)的XRD衍射呈現(xiàn)雙峰,衍射峰晶面對應(yīng)的四方相(002)和(200)面;隨著Zr/Ti的比例減小,雙峰越來越明顯。這說明當(dāng)Zr/Ti=1.22、1.20時(shí),四方相越來越多,Zr/Ti的比例越小,三方相逐漸消失。當(dāng)Zr/Ti=1.24時(shí),在2θ=44o—46o范圍內(nèi)出現(xiàn)三方相與四方相兩相共存的區(qū)域,這說明0.10BF-0.90PZT體系的準(zhǔn)同型相界在Zr/Ti=1.24附近。

2.2 A位摻雜對0.10BF-0.90PZT體系壓電介電性能的分析

將A位摻雜到0.90Pb1-xAx(Zr,Ti)O3-0.10 BiFeO3體系中,Zr/Ti=1.24,x=0.10,0.12,0.14,0.16,0.18;制備樣品測試介電壓電性能見圖2所示。

圖2 A位摻雜組分的電性能

2.3 部分樣品的掃描分析

將x=0.16的組分制成的樣品,燒結(jié)后表面與斷面的顯微結(jié)構(gòu)見圖3所示。

圖3 x=0.16組分的顯微結(jié)構(gòu)圖

從掃描結(jié)果看出,表面與斷面的顯微結(jié)構(gòu)中,晶界清晰,部分晶粒長大,說明燒結(jié)溫度比較適中,但保溫時(shí)間比較短;部分晶界上有微小細(xì)晶析出,這說明對于0.10BF-0.90PZT體系A(chǔ)位摻雜濃度已經(jīng)達(dá)到飽和狀態(tài)。如果再增加A位摻雜的濃度,晶界的細(xì)小晶粒會(huì)長大,從而會(huì)影響體系的壓電與介電性能。這樣進(jìn)一步證明,0.10BF-0.90PZT體系中x=0.16時(shí),壓電與介電性能最優(yōu)。

2.4 介電溫譜分析

圖4 相對介電常數(shù)()與溫度的圖譜

3 結(jié) 論

(1) 采用固相燒結(jié)法制備0.10BF-0.90PZT壓電陶瓷,通過Zr/Ti比研究發(fā)現(xiàn),組分的準(zhǔn)同型相界(MPB)位于Zr/Ti=1.24附近,隨著Zr/Ti比的降低,組分由三方相向四方相轉(zhuǎn)變。

(3) 通過顯微結(jié)構(gòu)分析,0.10BF-0.90PZT體系中A位摻雜量為0.16時(shí),摻雜濃度達(dá)到飽和;再經(jīng)過介電溫譜測試了Zr/Ti=1.24、A位摻雜量為0.16的組分的居里溫度(Tc)為214 ℃,并發(fā)現(xiàn)該體系具有典型的介電弛豫特性。

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The Effect of A Doping on the Electric Properties of BF-PZT Piezoelectric Ceramics

ZHANG Yuansong, ZHONG Min, ZHANG Jing, YAN Zhoumin, LAI Wei

(Guizhou Zhenhua Hongyun Electronics CO., Ltd., Guiyang, 550018, Guizhou, China)

BF-PZT piezoelectric ceramics; A doping; dielectric and piezoelectric properties; dielectric relaxation characteristic

TQ174.75

A

1006-2874(2020)04-0010-04

10.13958/j.cnki.ztcg.2020.04.003

2020?04?03。

2020?04?05。

貴州省科技計(jì)劃項(xiàng)目(201921590184230206)。

張?jiān)桑?,碩士,工程師。

2020?04?03.

2020?04?05.

ZHANG Yuansong, male, Master, Engineer.

zys2004-2005@163.com

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