狄瑩瑩
(陜西工業(yè)職業(yè)技術(shù)學(xué)院 財(cái)經(jīng)與旅游學(xué)院,陜西咸陽 712000)
聚偏氟乙烯(PVDF) 因其優(yōu)異的耐化學(xué)腐蝕、耐高溫、耐氧化,以及較好的壓電性、介電性和熱電性等特性,而被廣泛應(yīng)用于電子、電氣、生物醫(yī)藥和化工管路設(shè)備等領(lǐng)域[1-4]。然而較差的熱穩(wěn)定性及絕緣性使PVDF 難以滿足高速發(fā)展的高能傳感器[5]、信息技術(shù)、智能材料等新興的電子科技領(lǐng)域的要求。在機(jī)械管路使用時(shí)[6],由于PVDF 較差的力學(xué)性能限制了在機(jī)械設(shè)備管路中的應(yīng)用,影響了PVDF 基材的應(yīng)用范圍[7]。因此對PVDF 基體在力學(xué)性能、導(dǎo)電性、熱穩(wěn)定性等綜合性能的改性就顯得尤為重要[8]。共混和共聚是最常用兩種塑料改性方法,相比而言,共混改性更加方便、靈活、改性范圍寬廣,因此共混改性是PVDF 目前的最主要方法[9]。目前納米填料、碳系納米填料,其比表面積大、易成形導(dǎo)電通道,因此被作為常用共混填料,成為開發(fā)和研究新材料的有效手段 。
石墨烯是一種單層碳原子緊密地結(jié)合在一起形成的兩維(2D)蜂窩晶格材料[10-15],2004 年,由安德烈·K·海姆[16]等首次發(fā)現(xiàn),通過Ruoff[17]、Rafiee[18-19]、Tain[20]、Kim[21]等人研究得出,石墨烯具有優(yōu)異的電學(xué)、力學(xué)及阻隔性能,可被廣泛作為改性劑來改善其他材料的力學(xué)性能、導(dǎo)電性能等[22],成為國內(nèi)外研究領(lǐng)域的熱點(diǎn)材料,石墨烯片層作為聚合物的填料有極好的應(yīng)用前景。
目前制備石墨烯/ 聚合物復(fù)合材料的共混方法主要有熔融共混法、溶液混合法和原位還原法。目前多采用原位還原法,但是存在石墨烯片層剝離不充分、填料用量較大的情況,因此制備出復(fù)合材料的導(dǎo)電性能和力學(xué)性能提高不大。本文以GO 為原料,將GO 水分散液與PVDF 在DMF 中混合均勻,使GO 在PVDF 中形成良好的單片層剝離及均勻分散,然后加入高效還原劑水合肼,將均勻分散在PVDF 中的GO 還原成單片層結(jié)構(gòu)的石墨烯(GNS),實(shí)現(xiàn)PVDF/GNS 復(fù)合材料的力學(xué)性能、電學(xué)性能等綜合改性。本研究為解決功能化PVDF 復(fù)合材料的應(yīng)用范圍和使用壽命問題,提供了一種思路。
可膨脹石墨(EG):KP9932300 型,青島海達(dá)石墨有限公司;聚偏氟乙烯均聚物(PVDF):FR904,無錫樹脂廠;N,N- 二甲基甲酰胺(DMF),分子量73.09,澤水清源環(huán)保化工公司。高錳酸鉀(KMnO4)、雙氧水(H2O2)、水合肼(N2H4·H2O):分析級,天津市科密歐化學(xué)試劑開發(fā)中心。
超聲分散儀:060S 型,德意生有限公司;電熱真空恒溫干燥箱:DZF-6020 型,康恒工業(yè)有限公司;壓機(jī):QYL20 型,上海頂業(yè)機(jī)械制造有限公司;掃描電子顯微鏡(SEM):日本JEOL 電子公司生產(chǎn)的JSM-6360LV場發(fā)射掃描電鏡;差示掃描熱分析(DSC):TAQ2000型( 美國PERKIN 公司);拉伸測試儀:WBE-9000A 拉伸機(jī)(東莞威邦儀器設(shè)備有限公司);熱重分析(TGA):EXSTAR6000(日本)。
1.2.1 改進(jìn)的 Hummers 法制備 GO
采用改進(jìn)的Hummers 法[23],以可膨脹石墨為原料,通過濃H2SO4、KMnO4及H2O2的共同作用,使EG 充分氧化,在其片層內(nèi)及邊緣鍵接入大量的含氧基團(tuán)(主要為環(huán)氧基團(tuán),還含有少量的C-OH、C=O 及COOH),然后在超聲波及強(qiáng)烈攪拌的作用下,使其以單片的形式分散于去離子水中,反復(fù)洗滌,形成氧化石墨烯(GO),在Ren[22]研究中發(fā)現(xiàn),原子力顯微鏡(AFM)中可以看到,GO 可以良好的以單片層形式分散于水中。
1.2.2 GNS/PVDF 復(fù)合材料的制備
稱取50mg 的GO 加入到50mL DMF 中,超聲分散2h,得到1mg/mL 的分散液,取2.5mL 分散液,加入2g PVDF 粉料,室溫下、超聲2h,機(jī)械攪拌,使其混合均勻,加入與GO 質(zhì)量1:1 的還原劑肼,加熱到80℃攪拌1h 過后,洗滌過濾,在60℃下真空干燥2h。將分散均勻的石墨烯PVDF 粉末,置于襯有聚四氟乙烯布的模具中,將模具放入熱壓成型機(jī)上成型,壓力18MPa,溫度220℃~240℃,時(shí)間8min,熱壓完畢,冷卻、開模、取樣。
根據(jù)GO 填料含量不同,制得純PVDF,加肼還原后分別制得0.1%GNS/PVDF( 簡稱PVDF/GN0.1)、0.2%GNS/PVDF( 簡 稱 PVDF/GN0.2)、0.8%GNS/PVDF( 簡稱 PVDF/GN0.8)、1%GNS/PVDF( 簡 稱 PVDF/GN1)、2%GNS/PVDF(簡稱PVDF/GN2)共計(jì)6 種新型復(fù)合材料。制備工藝如圖1 所示。
圖1 GNS/PVDF 復(fù)合材料制備過程Fig.1 Preparation process of GNS / PVDF composites
微觀形貌采用日本JEOL 電子公司生產(chǎn)的JSM-6360LV 場發(fā)射掃描電鏡(SEM)進(jìn)行分析,液氮淬斷樣品,斷面噴金后測試。差示掃描量熱分析(DSC)在氮?dú)鈿夥障?,?0℃/min 的速率從室溫升溫至200° C消除熱歷史后,恒溫時(shí)間5min,再以10 ℃/min 的速率降溫至室溫,經(jīng)二次升溫后測試得到結(jié)果。熱重分析(TGA)在氮?dú)猸h(huán)境下,采用EXSTAR6000(日本)進(jìn)行分析,樣品約為3mg,從室溫加熱到650℃,加熱速度為 10℃ /min。
圖5 為PVDF 和不同比例GNS/PVDF 填料填充的復(fù)合材料SEM 圖,圖2(a)為純PVDF 微觀形貌,其表片較為平整。從圖2(b)(GN0.8)可以看出,GNS 在基體中發(fā)生了輕微的團(tuán)聚現(xiàn)象,這是由于此時(shí)GNS 含量很少,片層間的界面結(jié)合力較強(qiáng),如π-π 鍵的堆積或者強(qiáng)大的范德華力造成的。從圖2(c)(GN1) 可以看出,由于提升GNS 質(zhì)量分?jǐn)?shù)后,原位還原過程中,大量的GO 上含氧官能團(tuán)與部分的PVDF 基體形成接枝分子鏈,還原后形成GNS 單片層結(jié)構(gòu),有利于在PVDF 基材間進(jìn)一步剝離,并且可以看到GNS 在基材中分散較為均勻,沒有明顯的團(tuán)聚,形成了獨(dú)特的GNS 網(wǎng)絡(luò)微觀結(jié)構(gòu)。從圖2(d)可以看出,當(dāng)GNS 的含量超過1%時(shí),石墨烯都可以很好地大片層存在于PVDF 顆粒間,提升界面結(jié)合力,增強(qiáng)復(fù)合材料分子間力,有利于提高復(fù)材的力學(xué)性能。
圖2 PVDF 及不同填料 GNS 含量復(fù)合材料的斷面SEM 圖:PVDF (a); GN0.8 (b); GN1 (c); GN2(d)Fig.2 Section SEM of PVDF and composites with differentcontents of GNS:PVDF (a), GN0.8 (b), GN1 (c), GN2 (d)
GNS 含量(質(zhì)量分?jǐn)?shù))對GNS/PVDF 復(fù)合材料的電導(dǎo)率的影響如圖3 所示。復(fù)合材料的電導(dǎo)率隨著GNS 含量的增加而顯著改善。當(dāng)GNS 的含量為0.1% 時(shí),復(fù)合材料的電導(dǎo)率達(dá)到3.2×10-17S·m-1,,較純PVDF 導(dǎo)電率7.3×10-18S.m-1,提高了1 個(gè)數(shù)量級。當(dāng)GNS 的含量達(dá)到1% 時(shí),電導(dǎo)率達(dá)到2.7×10-14S.m-1,說明GNS 的加入可使復(fù)合材料的電導(dǎo)率顯著提高。PVDF/GN2 的電導(dǎo)率增加至8.2×10-5S.m-1,比純PVDF 導(dǎo)電率大約提高了13 個(gè)數(shù)量級,但繼續(xù)增加GNS 含量復(fù)合材料的電導(dǎo)率數(shù)量級變化減緩。其原因可能是GNS 的含量達(dá)到了導(dǎo)電逾滲值,從而無法助益已經(jīng)形成的導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò),因此,繼續(xù)增加GNS 對復(fù)合材料電導(dǎo)率幾乎沒有貢獻(xiàn)。這表明GNS/PVDF 復(fù)合材料的電導(dǎo)率主要決定于GNS 的含量和其分散行為,GNS 形成的導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)越密集,其導(dǎo)電率就越高??紤]填料的經(jīng)濟(jì)成本,故優(yōu)選PVDF/GN1、PVDF/GN2 復(fù)合材料。
圖3 不同填料含量復(fù)合材料的電導(dǎo)率Fig.3 Electrical conductivity of composites with different filler contents
圖4 為PVDF 及GNS/PVDF 復(fù)合材料的拉伸應(yīng)力-應(yīng)變曲線??梢奊NS 的加入可明顯提高PVDF 的拉伸強(qiáng)度,且增強(qiáng)效果隨著GNS 含量的增加而增大,GN0、GN0.8、GN1 和GN2 填充的復(fù)合材料拉伸強(qiáng)度分別達(dá)到 30.97 MPa、33.25 MPa、36.78 MPa、38.23 MPa。PVDF/GN2 的拉伸強(qiáng)度為純PVDF 的1.23 倍。
圖4 PVDF 及其復(fù)合材料的拉伸應(yīng)力-應(yīng)變曲線Fig.4 Tensile stress-strain curves of PVDF and its composites
同時(shí)復(fù)合材料的斷裂伸長率也得到了有效改善,純PVDF 的斷裂伸長率為 11.58%,GN0.8、GN1 和 GN2填充的復(fù)合材料的斷裂伸長率分別為12.34%、12.59%和16.94%,其中PVDF/GN2 的斷裂伸長率為純PVDF的1.46 倍。這是因?yàn)樵趶?fù)合材料中,隨著GO 填料加入,基體材料表面接枝大量含氧官能團(tuán),分子鏈增長,所以還原后復(fù)合材料界面結(jié)合力增強(qiáng),斷裂伸長率也依次增大。
圖5 為純PVDF 和GN2 的DSC 曲線。如圖所示,在二次升溫曲線中測得純PVDF 的Tm為167.4℃,GN2的Tm為172.6℃,復(fù)合材料的Tm比純PVDF 升高了5.2℃。這說明隨填料的加入,復(fù)合材料的熔點(diǎn)隨著接枝分子鏈的長度增加而增加,大片層的石墨烯填料與PVDF 基體間結(jié)合力更強(qiáng),從而限制了PVDF 分子的運(yùn)動,使復(fù)合材料的Tm升高,即GNS 對PVDF 有結(jié)晶誘導(dǎo)作用,故而GNS 可以促使PVDF 復(fù)合材料結(jié)晶。
圖5 PVDF 和PVDF/GNS 復(fù)合材料的DSC 曲線Fig.5 DSC curves of PVDF and PVDF / GNS composites
圖6 為PVDF 和不同含量的GNS/PVDF 復(fù)合材料的TGA 曲線。從圖中可以看出,隨著GNS 填料含量的增加,分解溫度小幅度提升,這說明復(fù)合材料的熱穩(wěn)定性隨著GNS 填料含量的增加而增加。PVDF 和不同含量的GNS/PVDF 復(fù)合材料在420℃到470℃左右出現(xiàn)了明顯的質(zhì)量損失。質(zhì)量損失主要?dú)w因于PVDF 的分解,以及少量GO 中含氧基團(tuán)(如-OH、-COOH 和-C=O)熱解成CO2和CO 所致[24]。470℃之后的熱失重主要是由含氧官能團(tuán)和接枝分子鏈的裂解脫除所引起。說明不同含量的GO 片層均成功接枝于PVDF 上。測試結(jié)果可以補(bǔ)充說明PVDF 經(jīng)填料GNS 的改性,其分子間枝接分子鏈增長,這也有助于提高復(fù)合材料的力學(xué)性能。
圖6 PVDF 和不同含量的GNS/PVDF 復(fù)合材料的TGA 曲線Fig.6 TGA curves of PVDF and GNS / PVDF composites with different contents
以GO 為原料,將GO 水分散液與熔融狀態(tài)的PVDF 混合均勻,再利用水合肼的還原作用,制備不同GNS 含量的GNS/PVDF 復(fù)合材料。用具有超強(qiáng)力學(xué)和導(dǎo)電性能的石墨烯對PVDF 材料進(jìn)行復(fù)合改性,分別測試復(fù)合材料的微觀形態(tài)、導(dǎo)電性能和力學(xué)性能發(fā)現(xiàn),PVDF/GN2 復(fù)合材料與純PVDF 相比,導(dǎo)電率顯著提高,抗拉強(qiáng)度是純PVDF 的1.23 倍,而且斷裂伸長率是純PVDF 的1.46 倍。另外經(jīng)過差式掃描量熱分析(DSC)和熱重分析(TGA)綜合發(fā)現(xiàn),石墨烯的加入,加速結(jié)晶,提高PVDF 基復(fù)合材料的力學(xué)性能,有效擴(kuò)大復(fù)合材料的應(yīng)用范圍。本文提供了一種利用GNS 有效改性PVDF的方法,契合了新型PVDF 材料力學(xué)性、導(dǎo)電性、熱穩(wěn)定性的發(fā)展要求。