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不同混料工藝對高溫高壓條件下制備MgZnO陶瓷的影響*

2019-10-15 03:27黃海亮劉艷鳳于海東
科技與創(chuàng)新 2019年18期
關(guān)鍵詞:干法濕法光學(xué)

黃海亮,劉艷鳳,于海東

不同混料工藝對高溫高壓條件下制備MgZnO陶瓷的影響*

黃海亮,劉艷鳳,于海東

(牡丹江師范學(xué)院 物理與電子工程學(xué)院 新型碳基功能與超硬材料黑龍江省重點實驗室,黑龍江 牡丹江 157011)

采用高純度MgO和ZnO作為原料,按照原子比1∶1的比例,分別采用干法混合和濕法混合兩種不同的混料方式制備MgZnO陶瓷,研究不同的混料方式對于高溫高壓條件下制備MgZnO陶瓷的影響。實驗結(jié)果表明,以干法混合原料制備的MgZnO陶瓷樣品中,出現(xiàn)了分相現(xiàn)象,主要成分是ZnO和MgZnO,這一結(jié)果說明干法混合不利于MgZnO固溶體的制備。以濕法混合的原料,經(jīng)過高溫高壓后制備的MgZnO陶瓷樣品實現(xiàn)了完全固溶,具有單一面心立方結(jié)構(gòu),說明濕法混合利于MgO粉末和ZnO粉末的均勻混合,有利于高溫高壓條件下MgZnO固溶體的制備。

混料工藝;MgZnO陶瓷;濕法混合;探測器

1 引言

近年來深紫外波段(日盲區(qū),280~220 nm)探測器研制已在世界發(fā)達(dá)國家相繼開始,通過探測導(dǎo)彈、火箭尾煙的熱輻射和熒光輻射來實現(xiàn)紫外告警研究取得重大進(jìn)展[1-6]。MgxZn1-xO作為一種寬帶Ⅱ-Ⅵ族三元化合物半導(dǎo)體材料,由OHTOMO等[7]人在1998年報道首次制備成功以來,隨著MgxZn1-xO陶瓷在紫外探測器等方面的應(yīng)用,目前已經(jīng)成為人們廣泛研究的熱點。但現(xiàn)有的制備MgxZn1-xO陶瓷的方法存在的一個共同問題,即MgZnO材料隨Mg組分的增加容易發(fā)生相分離,即導(dǎo)致MgZnO生長成六方和立方的混合相,即MgZnO出現(xiàn)相分離。本文通過高壓調(diào)節(jié)提高M(jìn)gO在ZnO或ZnO在MgO中的固溶度,制備出帶隙在日盲波段的單一相MgZnO陶瓷,并重點研究了不同混料方式對高溫高壓條件下制備單一相MgZnO陶瓷的影響。

2 實驗材料和實驗方法

實驗采用的ZnO粉體和MgO粉體純度均為99.99%,按照原子比1∶1進(jìn)行配比,分別采取干法混合和濕法混合兩種不同的混合方法進(jìn)行混合,將混合后的樣品再進(jìn)行預(yù)壓成塊,在高溫高壓條件下進(jìn)行燒結(jié),制備MgZnO陶瓷,具體過程如下。

2.1 干法混合原料制備MgZnO

將純度99.99%的ZnO和MgO按原子比1∶1在瑪瑙研缽中研磨2 h,將研磨后的樣品在0.5 GPa的條件下預(yù)壓成合成樣品,并經(jīng)1 000 ℃焙燒處理,用以除去吸附的水分。將處理后的樣品放在合成腔體中,合成壓力5.8 GPa,溫度為 1 800 ℃,燒結(jié)時間為15 min,制得的樣品標(biāo)記為樣品a。

2.2 濕法混合原料制備MgZnO

將純度99.99%的ZnO和MgO按原子比1∶1秤取并放置在燒杯中,加入一定量的丙酮,用磁力攪拌器加熱攪拌 2 h,然后將混合物在800 ℃焙燒處理后,在0.5 GPa的條件下預(yù)壓成合成樣品。將樣品放在合成腔體中,合成壓力為5.8 GPa,溫度為1 800 ℃,燒結(jié)時間為15 min,制得的樣品標(biāo)記為樣品b。

3 實驗結(jié)果及分析

MgO顆粒與ZnO顆粒在混合過程中的分布均勻性是影響MgZnO陶瓷紫外吸收性能的重要因素,選擇合適的混料工藝是使MgO顆粒與ZnO顆粒均勻分布的關(guān)鍵。針對以上兩種混料工藝制得的樣品,分別使用光學(xué)顯微鏡、X射線衍射(XRD)譜以及紫外吸收譜進(jìn)行了表征。

圖1為樣品a和b的光學(xué)照片。圖1(a)為干法混合的原料,在壓力和溫度分別為5.8 GPa、1 800 ℃條件燒結(jié)的MgZnO樣品a的光學(xué)顯微照片。從圖1中可以看出,樣品內(nèi)部存在白色和淺黃色物質(zhì),初步可以認(rèn)為樣品中存在兩種不同物質(zhì)。圖1(b)為以濕法混合的原料,在壓力和溫度分別為5.8 GPa、1 800 ℃條件燒結(jié)的MgZnO樣品b的光學(xué)顯微照片,與樣品a的光學(xué)照片對比不難發(fā)現(xiàn),樣品b結(jié)合緊密、質(zhì)地均勻,它們無論從顏色和晶態(tài)上都與樣品a有較大的差別。

為確定樣品中所含物質(zhì)物相組成,對樣品進(jìn)行了X射線衍射分析。圖2為5.8 GPa和1 800 ℃條件下燒結(jié)處理的樣品a、b的XRD譜。圖2(a)為樣品a的XRD衍射譜,分析表明ZnO和MgO混合物將不能完全固溶。結(jié)果表明,干法混料不能夠使原料非常均勻地混合,不利于在高溫高壓下制備MgZnO陶瓷。圖2(b)所示的是樣品a的XRD結(jié)果,表明ZnO和MgO濕法混合物經(jīng)5.8 GPa、1 800 ℃燒結(jié)后完全固溶,具有單一面心立方結(jié)構(gòu)。同時通過XRD的衍射數(shù)據(jù),計算出了Mg-Zn-O的晶格常數(shù)為0.423 9 nm。這一數(shù)值小于立方ZnO的0.428 0 nm,大于立方MgO的0.420 0 nm。

圖1 樣品a和b的光學(xué)照片

圖2 5.8 GPa和1 800 ℃條件下燒結(jié)處理的樣品a、b的XRD譜

對樣品a與b的紫外吸收測試結(jié)果分析,結(jié)果如圖3所示,樣品a中含有ZnO和MgZnO吸收峰。由上可知,淺黃色物質(zhì)為六方結(jié)構(gòu)ZnO和MgZnO,白色物質(zhì)可能為立方結(jié)構(gòu)的MgZnO和MgO,這一結(jié)果進(jìn)一步說明干法混合不利于MgZnO固溶體的制備。圖3(b)所示曲線的實驗數(shù)據(jù)以及吸收系數(shù)與帶隙的關(guān)系,可以確定樣品b的帶邊吸收中心波長在270 nm(4.58 eV)附近,吸收邊在300 nm(4.1 eV)附近,符合人們對于深紫外探測器的要求。

4 結(jié)論

以兩種不同混料方式制得的MgO與ZnO混合物為原料,進(jìn)行高溫高壓燒結(jié),并對得到的樣品進(jìn)行分析,認(rèn)為干法混合不利于MgO與ZnO均勻混合,制得的樣品出現(xiàn)了分相的現(xiàn)象,而濕法混合制得樣品中為單一立方相的MgZnO陶瓷,并且?guī)н呂罩行牟ㄩL在70 nm(4.58 eV)附近,吸收邊在300 nm(4.1 eV)附近,符合對深紫外探測器的要求。

圖3 樣品a、b的室溫紫外吸收譜

[1]趙鵬程,張振中,姚斌,等.N摻雜MgZnO薄膜的光電性質(zhì)[J].發(fā)光學(xué)報,2019,40(8):956-960.

[2]沈瑞.基于MgZnO/ZnO紫外波段DFB半導(dǎo)體激光器的結(jié)構(gòu)設(shè)計與性能優(yōu)化研究[D].南京:南京郵電大學(xué),2018.

[3]李凱.高信噪比MgZnO紫外光探測器的制備及其紫外光響應(yīng)特性研究[D].深圳:深圳大學(xué),2018.

[4]田龍杰.高性能MgZnO基薄膜晶體管的研制[D].北京:北京交通大學(xué),2018.

[5]賀鐘冶.MgZnO準(zhǔn)三元混晶的制備及其生長工藝的研究[D].廈門:廈門大學(xué),2017.

[6]羅佳煒.MgZnO:Ga材料制備及其光電性能研究[D].哈爾濱:哈爾濱工業(yè)大學(xué),2017.

[7]OHTOMO A,KAWASAKI M,SHIROKI R,et al. MgxZn1?xO as a Ⅱ–Ⅵ widegap semiconductor alloy[J]. Appl.Phys.Lett,1998,72(19):2466-2468.

TN304.05

A

10.15913/j.cnki.kjycx.2019.18.005

2095-6835(2019)18-0012-02

黑龍江省教育廳科學(xué)技術(shù)研究項目(編號:12521577);大學(xué)生創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)訓(xùn)練計劃項目(編號:201910233027)

黃海亮。

〔編輯:王霞〕

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