李宏亮
(新疆眾和股份有限公司 烏魯木齊 830000)
從長(zhǎng)遠(yuǎn)看,電子元件材料制造業(yè)的發(fā)展對(duì)優(yōu)化我國(guó)產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu),提高經(jīng)濟(jì)運(yùn)行質(zhì)量,加速我國(guó)信息化、工業(yè)化、現(xiàn)代化進(jìn)程,全面構(gòu)建和諧社會(huì)具有極其重要的意義。電極箔制造技術(shù)、高性能電解質(zhì)技術(shù)和片式化技術(shù)是鋁電解電容器制造的三大核心技術(shù),面對(duì)鋁電解電容器小型化、片式化、高性能化的新挑戰(zhàn),必須加強(qiáng)對(duì)電極箔高性能、低能耗化成工藝的研究;因此對(duì)化成工藝液的研究需進(jìn)一步深入。
有機(jī)酸工藝液用羧酸物質(zhì)作為pH調(diào)節(jié)劑,用羧酸鹽類物質(zhì)作為電導(dǎo)調(diào)節(jié)劑,采用有機(jī)酸工藝液進(jìn)行化成處理后的鋁電極箔轉(zhuǎn)化率高,氧化膜一致性卻難以控制;無(wú)機(jī)酸工藝液用無(wú)機(jī)鹽類物質(zhì)作為pH調(diào)節(jié)劑,用弱酸類物質(zhì)作為電導(dǎo)調(diào)節(jié)劑,采用無(wú)機(jī)酸工藝液進(jìn)行化成處理,鋁電極箔表面氧化膜一致性較好,但會(huì)出現(xiàn)容量衰減。具體如表1、表2所示。
原有化成工藝陽(yáng)極氧化結(jié)束后,水合氧化膜表層疏松多孔留有殘余,構(gòu)成氧化膜的部分內(nèi)層缺陷,造成漏電流增大,氧化膜的穩(wěn)定性下降,產(chǎn)品進(jìn)行水化處理后(95℃,水煮60min),水化時(shí)間偏高,產(chǎn)品電性能下降。針對(duì)此,結(jié)合氧化膜形成、生長(zhǎng)過(guò)程特點(diǎn),在每個(gè)過(guò)程中選取5種化工原料進(jìn)行平行對(duì)比實(shí)驗(yàn),序號(hào)1-5組實(shí)驗(yàn)檢測(cè)數(shù)據(jù)顯示在一級(jí)、二級(jí)化成工序中(F1、F2)物質(zhì)的性質(zhì)、結(jié)構(gòu)會(huì)影響產(chǎn)品電性能,其中硼酸效果最明顯。序號(hào)6-10組實(shí)驗(yàn)檢測(cè)數(shù)據(jù)顯示在三級(jí)、四級(jí)、五級(jí)化成工序中(F3、F4、F5)物質(zhì)的不同性質(zhì)、結(jié)構(gòu)對(duì)電性能影響不明顯,因此選擇在一級(jí)、二級(jí)化成工序中(F1、F2)加入硼酸。根據(jù)實(shí)驗(yàn)結(jié)果確定將硼酸和檸檬酸添加到氧化膜形成的一級(jí)、二級(jí)化成工序的化成處理液中,可使水化時(shí)間(Tr60)降低到30s左右,容量達(dá)到0.77μf/cm2,具體數(shù)據(jù)如表3。
表1 無(wú)機(jī)工藝液中常用化工原料及其對(duì)產(chǎn)品性能的影響
表2 有機(jī)工藝液常用化工原料及其對(duì)產(chǎn)品性能的影響
硼酸有助于彌補(bǔ)氧化膜的表層缺陷,降低漏電流,增加了氧化膜的穩(wěn)定性,卻使容量衰減,檸檬酸在化成工藝液中有助于溶解水合氧化膜疏松多孔外層,有助于提高晶型氧化膜含量,起到了抑制氧化膜生成過(guò)快的作用,阻止膜層過(guò)厚填堵孔洞,增加比電容,解決容量衰減的問(wèn)題。兩者結(jié)合解決了此化成工藝下產(chǎn)出的鋁電極箔產(chǎn)品經(jīng)過(guò)水化處理后出現(xiàn)電性能下降的問(wèn)題。
分析常用化工原料對(duì)鋁電極箔表面氧化膜、耐水合性的影響,包括一元羧酸及其鹽、二元及多元羧酸及其鹽類、五硼酸銨、硼酸、磷酸和磷酸二氫銨等等,篩選出有助于鋁電極箔表面均勻氧化膜形成的物質(zhì)硼酸,有助于阻止氧化膜生產(chǎn)過(guò)厚填堵微小孔洞的檸檬酸。在實(shí)驗(yàn)室內(nèi),采用添加了檸檬酸和硼酸的工藝液對(duì)腐蝕箔進(jìn)行化成處理,以達(dá)到提升電性能的目的。