陳 浩,王曉穎,韓建武
(西安工業(yè)大學(xué) 理學(xué)院,陜西 西安 710021)
晶體進(jìn)行全息記錄過程涉及記錄光對(duì)記錄介質(zhì)的作用。每一種記錄介質(zhì)都有它特定的吸收光譜帶,只有波長處于介質(zhì)吸收光譜區(qū)內(nèi)的光子才能對(duì)記錄介質(zhì)產(chǎn)生作用。全息記錄主要采用可見光譜的連續(xù)激光器,如氬離子激光器、半導(dǎo)體泵浦激光器、氦氖激光器等,不同摻雜的鈮酸鋰晶體材料對(duì)上述不同波長敏感。在晶體光學(xué)實(shí)驗(yàn)中,選用合適波長的激光做光源,找到該晶體的吸收光譜帶對(duì)透徹研究晶體光學(xué)性能起著基礎(chǔ)作用,對(duì)實(shí)驗(yàn)的準(zhǔn)確性有著重要意義[1]。
實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)如圖1所示,從532nm激光器L發(fā)出的激光束通過半波片HFW成為異常光,經(jīng)分束鏡BS分為兩束相干光,一束光IR為參考光,另一束光IS為物光。參考光與物光共同照射到晶體所處位置,形成穩(wěn)定的相干條紋,在實(shí)驗(yàn)晶體C中建立相應(yīng)的體相位光柵,采用功率計(jì)D測量衍射光束的功率。實(shí)驗(yàn)晶體選用一塊35mm×15mm×15mm的純LiNbO3晶體以及一塊8mm×8mm×8mm的鈰鐵摻雜LiNbO3晶體,鐵、鈰摻雜比例為0.05%:0.05%。
圖1 晶體響應(yīng)實(shí)驗(yàn)圖
引入一個(gè)定義衍射效率η為η=Id/IR,IR表示讀出光光強(qiáng),Id表示衍射光光強(qiáng),根據(jù)定義可知η表示讀出光向衍射光轉(zhuǎn)移能量的多少[2],η值越大,讀出光通過體相位光柵向衍射光轉(zhuǎn)移的能量越多。實(shí)驗(yàn)中響應(yīng)時(shí)間τsc為衍射效率達(dá)到飽和穩(wěn)定值的1/e所需的時(shí)間。實(shí)驗(yàn)中選定5s為記錄時(shí)間間隔,每間隔5s測一次衍射光功率,因?yàn)樗矔r(shí)讀取,對(duì)晶體內(nèi)體相位光柵擦除較少,因此瞬時(shí)讀取造成的誤差可忽略不計(jì)。根據(jù)衍射效率隨光信息寫入時(shí)間變化研究得到的曲線,便可得到晶體的響應(yīng)時(shí)間τsc。分別選用波長為473nm、532nm、671nm的激光器為光源重復(fù)上述實(shí)驗(yàn)。
光束照射LiNbO3晶體,晶體基質(zhì)、缺陷中心和雜質(zhì)離子會(huì)進(jìn)行光吸收。圖2表示光折變晶體中可能的電子躍遷引起的缺陷吸收。
圖2 光折變晶體中可能的電子躍遷引起的缺陷吸收
圖2 (a)表示缺陷能級(jí)間躍遷局限在缺陷內(nèi)部,并不改變?nèi)毕莸碾姾蓛r(jià)態(tài),這種躍遷通常發(fā)生在自由離子由于晶體場的作用而分離產(chǎn)生的能級(jí)之間,躍遷強(qiáng)度弱,且能量跨度?。?]。圖2(b)表示電荷轉(zhuǎn)移躍遷涉及電子在缺陷能級(jí)與晶體導(dǎo)帶或晶體價(jià)帶之間的躍遷,在此過程中有自由載流子的產(chǎn)生,因此只有這種光吸收對(duì)光折變有貢獻(xiàn)。一般情況下,這種躍遷為電偶極矩所容許,其能量跨度大、躍遷強(qiáng)。極化子的光吸收可認(rèn)為是特殊的電荷躍遷過程,極化子是由于一個(gè)電荷被一對(duì)等價(jià)離子俘獲而形成的,它可造成晶格周圍的畸變。而被俘獲的電荷可以在等價(jià)離子間運(yùn)動(dòng),并在光激發(fā)下躍遷到導(dǎo)帶圖2(c)[4]。
在晶體內(nèi)部,當(dāng)能量低于吸收邊的光照下,F(xiàn)e2+電離產(chǎn)生光電子:
這些光電子導(dǎo)致光電導(dǎo)效應(yīng),直到他們被Fe3+再俘獲:
自由電子產(chǎn)生的速率和復(fù)合速率分別為
其中I是光強(qiáng),hυ為單光子能量,N2、N3分別為Fe2+和Fe3+離子的濃度,S2和S3則代表Fe2+和Fe3+分別俘獲光子和電子的截面積,φ是吸收單位光子產(chǎn)生光電子的量子效率,n是自由電子密度,υ是電子的熱運(yùn)動(dòng)速度。穩(wěn)態(tài)條件下,自由電子的產(chǎn)生和復(fù)合速率相等,此時(shí)自由電子密度為[5]:
因此光電導(dǎo)可表示為:
式(4)中,μn表示自由電子的遷移率。由此可見,LiNbO3晶體的光電導(dǎo)與光強(qiáng)和波長等實(shí)驗(yàn)條件有關(guān)。
本實(shí)驗(yàn)中,當(dāng)采用波長為473nm、532nm、671nm的激光器做光源時(shí),實(shí)驗(yàn)結(jié)果如表1、表2所示。
表1 不同波長下Ce:Fe:LiNbO3晶體的體光柵衍射效率η與響應(yīng)時(shí)間τsc
表2 不同波長下LiNbO3晶體的體光柵衍射效率η與響應(yīng)時(shí)間τsc
由表1數(shù)據(jù)不難看出,對(duì)于Ce:Fe:LiNbO3晶體而言,波長為532nm綠光照射下得到的衍射效率最高,響應(yīng)時(shí)間也最短,為22s;473nm藍(lán)光次之,響應(yīng)時(shí)間較長;671nm紅光衍射效率最差。LiNbO3晶體的體光柵衍射效率η同樣在532nm綠光照射下衍射效率最高,用671nm紅光照射晶體,晶體衍射現(xiàn)象極為微弱,可忽略不計(jì)。因此在進(jìn)行體全息存儲(chǔ)實(shí)驗(yàn)時(shí)應(yīng)優(yōu)先采用532nm綠光做光源。
文章對(duì)不同光源照射下Ce:Fe:LiNbO3晶體及LiNbO3晶體的響應(yīng)情況進(jìn)行了理論實(shí)驗(yàn)研究,結(jié)果發(fā)現(xiàn)對(duì)于Ce:Fe:LiNbO3晶體,采用532nm波長的光做光源衍射效率最高,響應(yīng)時(shí)間最短。LiNbO3晶體采用532nm波長光做光源時(shí)衍射效率最高,473nm波長光做光源時(shí)響應(yīng)時(shí)間最短。