長電科技（滁州）有限公司 邱冬冬

研究人員在對產品使用時間進行分析中，產品的可靠性至關重要，可靠性目前是檢驗產品質量很重要的一個項目，它能夠明確反映產品質量。在運用全新工藝和材料的條件下，常見的半導體集成電路線寬逐漸降低，所以科研人員就要提升其集成度，因此半導體集成電路可靠性的要求也更加嚴格。本文主要對半導體集成電路的可靠性測試進行了介紹，并分析了處理數據的兩種方法，即熱載流子注入測試和柵氧化層測試，希望對半導體集成電路的研發(fā)有所幫助。

隨著科技的進步，相關行業(yè)對半導體集成電路的性能要求越來越高，這些要求使半導體集成電路在制作時工藝制造趨向復雜化，結構制作也更精細。為了集成電路的可靠性能經得住檢驗，同時減少生產本錢，半導體集成電路可靠性的測試就顯得很有必要了。

1.半導體集成電路的可靠性測試

1.1 半導體的可靠性

當前，使用被動篩選的方式是我國國內檢驗半導體可靠性的重要方法，然而這種方法需要投入大量人力物力，利用原始的人工篩選方式將可靠性不達標的半導體篩選出來，效率極低。同時這種方法耗時長、成本高，最重要的是，這種方法無法從根本上提高半導體的可靠性。因此，當前需要知道在什么條件下才能制作出可靠性能高的半導體，從而進一步避免半導體使用過程中發(fā)生失效。這就要求我們綜合考慮制作周期、制作工藝、制作條件對半導體可靠性能的影響，通過科學的數據分析對半導體進行設計。

1.2 半導體集成電路工藝的可靠性

如果想最大限度的提高半導體集成電路的可靠性，采用的主要方法就是加強對制造工藝的研究，這個研究是可靠性提升的關鍵。在集成電路可靠性的研究中，分析制造工藝能夠在哪些方面影響半導體集成電路可靠性的使用，保證可靠性的工藝進行重要的監(jiān)測與控制，構造集成電路產品可靠性的評價規(guī)范程序和方法，這些工作都是能夠保障半導體集成電路可靠性的研究，因此，要保證產品實物的可靠性，就必須要保證生產工藝的可靠性。

在研究評價制造工藝的可靠性中，半導體集成電路可靠性對產品的質量以及使用時間有著重要的影響，集成電路生產工藝的可靠性同樣重要，兩者共同點都是以高標準的制作工藝作為基礎，以此來保證半導體集成電路成品的可靠性。在實際生產過程中，主要方法就是控制產品微電子結構的可靠性，同時利用電子加速試驗得到相關數據，建立數據模擬的平臺，最大程度的保障生產工藝的可靠性。在后續(xù)的工序中，利用我國目前高標準的生產流程和工藝生產線，能夠保證生產出的產品擁有極高的質量。成品制作完成后，在儲藏運輸的過程中，再利用國內先進的封存包裝技術和密封運輸，能夠使產品可靠性得到的保障。

1.3 評價半導體原件可靠性保持的時間

半導體在我們日常生活所見的電器元件中扮演者不可或缺的角色，半導體的可靠性直接影響了電器元件的可靠性。半導體可靠性越高，電器元件的可靠性才會越強。因此，為了電器元件更好的使用效果，研究半導體原件的可靠性變得尤為重要。其中在對半導體元件可靠性測試中，可靠性評價是我們常用的方法。通過借助專業(yè)的工具，用仿真模擬的方式對半導體產品質量、使用壽命、元件失效率進行評價，通過這些評價，我們可以很直觀的測量出半導體元件的可靠性。在這些評價方法中，使用壽命是評定半導體元件可靠性的重要指標。如何評定半導體元件使用壽命，我們選擇的方法是：選擇高可靠性的集成產品，比如軍用產品，通過對產品的參數進行分析，運用一般研究產品使用壽命的評定方法，在實際操作中通過對影響元件使用壽命的外界環(huán)境進行控制，查看產品可靠性指標的衰減速度，從而推出算出產品的使用壽命。

2.注入熱載流的測試數據技術和處理數據方法

2.1 注入熱載流子的測試

在半導體集成電路可靠性的評估中，最重要的一步就是在半導體生產過程中，加入熱載流子的測試，通過熱載流子的干預，觀察半導體實際能量下費米能級的變化。我們都知道，半導體集成電路的器件里，原電壓的遺留會造成熱載流子的漏電極限，從而在它的周圍會出現強度很高的電場，一旦載流子進入其中，就會因為高能量變成熱載流子，并且在這時會出現新電子空穴對，兩者反應便會影響集成電路的可靠性。因此，再加入強電場的情況下，電離發(fā)生的速度越來越快，熱載流子通過這種方式不斷提升自身的能量等級，經過一段時間后能量趨于穩(wěn)定。使用這種方法，就可以保證熱載流子在反應過程中各個參數保持在正常水平。

2.2 數據的處理方法

在處理元器件集成電路的熱載流子實驗數據時，通常有著具體的操作流程。一般情況下，該實驗的變換量電性與時間成比例，表現為冪函數關系。電性參數公式計算公式為：

其中P（0）為參數原始數據；P（t）為 t 時刻電性參數發(fā)生的演變量。此外，時間的間隔要選擇數字來表達此外，時間的間隔要選擇數字來表達，例如1s、2s、3s。

在對熱載流子的穩(wěn)定性進行測試時，半導體集成電路通過不同的數據處理，能夠得到相對應的測試參數。并且在之后熱載流子的試驗完成后，處理相關的數據時，將提前確定的各項參數與實驗數據相對應，直到得出的數據與預先設計的參數相符合。在后續(xù)的熱載流子實驗中，使用不同的樣本測驗的方法也不一樣。通過這些不同時間內選擇的熱載流子周期和壽命，可以使實驗的結果更具說服力。熱載流子試驗中的壽命模型公式：

公式中H代表擬合的線性參數，IWB代表襯底電流，Id代表漏電流，W 為柵的寬度。

3.測試柵氧化層的技術和處理數據方法

在半導體集成電路的制作過程中，柵氧化層有著重要的作用。如果擴大了集成電路的規(guī)模，那么集成電路的厚度也隨之提升；如果減小元器件的質量，它的厚度也隨之減小。由于柵氧化層有著很重要的作用，因此保障它的可靠性受到科研人員的重視。如果柵氧化層出現可靠性的問題，通常這些問題會出在缺陷密度、介質擊穿方面。因此，在柵氧化層的測驗中主要采取的措施是：在相同時間節(jié)點上要聯(lián)系各因素作為對象，然后對其采取擊穿測試、斜坡電壓的測試。

3.1 斜坡電壓的測試

斜坡電壓測試實驗就是將高強度的斜坡電壓加到柵極的線性上，之后隨著電壓不斷增高，便會發(fā)生擊穿現象。斜坡電流實驗與斜坡電壓不同，斜坡電流測驗時，實驗人員會將一定量的斜坡電流添加到柵極上，隨著電流的增強，養(yǎng)護層將會被擊穿。這兩種斜坡實驗，都是研究柵氧化層在存在缺陷的情況下，它的密度是如何變化的。一般情況下，實驗人員會將一定范圍內的電壓加在柵氧化層上，如果氧化層被擊穿，則說明加入的電壓超過了承受電壓，進而證明了柵氧化層存在缺陷，是處于一個無效的狀態(tài)。這時實驗人員就可以通過Poisson分布為前提的成品率公式將這種缺陷計算出來，在計算成品率的公式中Y為成品率，就是有效的產品在總產品中所占的比例；A是被測驗樣品所占的面積；Do是該缺陷存在狀態(tài)下的密度。利用到斜坡電流和斜坡電壓實驗中得出的數據，帶入到相應的計算公式中就可以得出成品率，同時也能夠得出樣品的面積缺陷密度。如果得出的數據偏離正常的范圍，則說明缺陷密度的設置不符合設置標準。

3.2 介質擊穿實驗

介質擊穿主要是指集成電路中的介質被高電壓作用，使得電極間的電壓迅速下降至零點。試驗時，在柵極上加入理論承受范圍內的強場，保證不會發(fā)生本征擊穿。而在通常情況下，氧化層會出現缺陷，一段時間后，仍然會有擊穿現象發(fā)生。因此，在對半導體集成電路的可靠性進行評價時，同樣時間下柵氧介質發(fā)生的擊穿成為了主要因素。

4.結語

半導體集成電路在實際應用中，可靠性是一個關鍵問題，它關系到電器是否能發(fā)揮應有的作用和它工作的可靠性是否能得到保障。因此，還要通過多方面的實驗，探索更先進的數據處理方法，保證半導體集成電路的可靠性。