王仁軍,喻先衛(wèi),韓 煦,王榮達,成海峰,徐建華
(南京電子器件研究所,南京 210016)
近年來,微波固態(tài)功率放大器發(fā)展迅速,在民用和軍事領(lǐng)域均得到廣泛的應(yīng)用。隨著技術(shù)發(fā)展,各個領(lǐng)域?qū)νㄐ畔到y(tǒng)的性能要求越來越高,寬頻帶、高功率已成為微波發(fā)射系統(tǒng)的發(fā)展趨勢。例如在通信、雷達、電子戰(zhàn)等應(yīng)用環(huán)境中對放大器的功率需求越來越高,需要使用多個功率放大器進行功率合成來實現(xiàn)系統(tǒng)高功率的要求。
在寬帶合成方式上主要采用二進制的合成方式,常見的寬帶合成方式如多級Wilkinson功分器和Lange橋具有結(jié)構(gòu)簡單、性能穩(wěn)定、合成器損耗低等優(yōu)勢,但隨著合成路數(shù)的增加,二進制平面合成電路的體積增大,合成損耗會迅速增加,合成效率降低,使得合成路數(shù)受限,而且該合成方式會受到最大功率的限制。寬帶合成方式中徑向功率合成技術(shù)與二進制平面合成結(jié)構(gòu)相比,在多路合成上具有一定的優(yōu)勢,而且合成路數(shù)可以根據(jù)需要進行特別設(shè)計,設(shè)計自由度高,并且合成效率不隨路數(shù)的增加而降低,因此在多路大功率合成上徑向合成技術(shù)有很大優(yōu)勢。但是徑向功率合成器在結(jié)構(gòu)設(shè)計、加工精度、安裝方式等方面要求較高,因此目前徑向功率合成技術(shù)的應(yīng)用尚不如二進制合成廣泛。
本文以擴展同軸結(jié)構(gòu)合路器以及徑向波導(dǎo)原理為基礎(chǔ),通過仿真、優(yōu)化,設(shè)計了一款10路徑向波導(dǎo)合路器。
該合成結(jié)構(gòu)由同軸漸變波導(dǎo)、徑向波導(dǎo)、微帶探針組成。該合成器輸入為同軸結(jié)構(gòu),同軸結(jié)構(gòu)到徑向波導(dǎo)的過渡通過同軸漸變波導(dǎo)來實現(xiàn)。分路器采用微帶耦合探針結(jié)構(gòu)實現(xiàn)微波信號微帶傳輸與徑向波導(dǎo)傳輸之間的轉(zhuǎn)換。多端口徑向波導(dǎo)合成器結(jié)構(gòu)如圖1所示。
圖1 合路器結(jié)構(gòu)圖
徑向波導(dǎo)與同軸線類似,微波信號在波導(dǎo)內(nèi)傳輸TEM模,是一種柱面TEM模,在截面上電場只有徑向分量,且在半徑為r的圓周上電場相同;磁場只有切向分量,在半徑為r的圓周上磁場大小相等。為保證在整個通帶內(nèi)同軸線到徑向波導(dǎo)有良好的阻抗匹配,該合成器選用了錐形同軸波導(dǎo)提供連續(xù)的漸變方式,這種結(jié)構(gòu)更簡單且易于加工。
分路器采用微帶耦合探針結(jié)構(gòu)實現(xiàn)微波信號微帶傳輸與徑向波導(dǎo)傳輸之間的轉(zhuǎn)換。采用Rogers 5880介質(zhì)板制作微帶探針,通過50 Ω微帶線傳輸?shù)奈⒉ㄐ盘柾ㄟ^探針輻射轉(zhuǎn)換為波導(dǎo)傳輸。
利用電路結(jié)構(gòu)的對稱性,可以將N路合成器的外圍探針區(qū)域看成由N個相同的扇形波導(dǎo)組成,從而可以對每個扇形波導(dǎo)進行建模仿真計算。徑向波導(dǎo)探針仿真模型如圖2所示。
圖2 徑向波導(dǎo)探針
采用HFSS電磁仿真軟件對該模型進行優(yōu)化仿真,優(yōu)化過程中充分考慮合成結(jié)構(gòu)的寬帶工作特性以及不同傳輸路徑直接的阻抗匹配,探針仿真結(jié)果如圖3所示。在6~18 GHz頻段內(nèi),輸出端口駐波小于1.5,損耗小于0.5 dB。
以上述單個扇形波導(dǎo)同軸轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)為基礎(chǔ),建立10通道空間合成結(jié)構(gòu),合成器模型如圖4所示。
使用HFSS軟件進行優(yōu)化,仿真結(jié)果如圖5所示。
從圖5的仿真結(jié)果可以看出,在6~18 GHz頻段內(nèi),該合成結(jié)構(gòu)的輸出駐波小于1.7,合成損耗小于1dB。
圖3 合成結(jié)構(gòu)仿真結(jié)果
圖4 10路合成器仿真模型
圖5 功率合成器仿真結(jié)果
本文根據(jù)同軸徑向波導(dǎo)的特點設(shè)計了一款10路寬帶同軸徑向波導(dǎo)合路器,該合路器通過徑向波導(dǎo)內(nèi)空間功率合成,功率分配與合成是在波導(dǎo)內(nèi)采用電磁場耦合的形式完成的;采用多端口形式,并借助高頻電磁場仿真軟件HFSS對電路進行了優(yōu)化仿真。仿真結(jié)果顯示,該10路合路器在6~18 GHz頻段內(nèi)插損≤1 dB,通過該合成器10路合成效率≥80%。