姜曉芳

摘 要：隨著我國生產(chǎn)技術以及生產(chǎn)力的提升，且為我國半導體廠房的建設作出了較大貢獻。作為半導體廠房的重要組成部分，其廠房的內(nèi)部結構不僅關系著半導體廠房的安全性以及舒適性，而且對于半導體廠房的生產(chǎn)運行也具有重要影響。基于此，本文將半導體廠房內(nèi)部結構的分析作為主要研究內(nèi)容，通過對半導體廠房內(nèi)部結構進行簡單的闡述，進而從兩個方面對半導體廠房的內(nèi)部結構建設進行詳細的分析與研究。本文旨在為半導體廠房內(nèi)部結構的研究提供幾點參考性建議，并為半導體廠房的發(fā)展與建設提供積極的推動作用。

關鍵詞：半導體廠房；內(nèi)部結構；建設分析

前言：近年來，我國半導體廠房的建設熟練逐漸增多，我國半導體廠房的假設技術也逐漸熟練，對其內(nèi)部結構的規(guī)劃也逐漸科學。由于半導體廠房的內(nèi)部結構建設影響著廠房的生產(chǎn)活動，并且對于廠房內(nèi)部人員的安全性也具有影響。故而本文對半導體廠房內(nèi)部結構進行詳細的分析與研究。

一、半導體廠房內(nèi)部結構系統(tǒng)

經(jīng)過筆者對半導體廠房內(nèi)部結構進行詳細的總結與整理，發(fā)現(xiàn)其主要具有以下幾方面的結構系統(tǒng)。第一方面，潔凈室天花板系統(tǒng)。該種系統(tǒng)的建設主要由天花板框架；支承結構；FF等部分組成。第二方面，潔凈室新風系統(tǒng)。該系統(tǒng)的運行對潔凈室內(nèi)的通風進行保障，提供工作人員所需的氧氣以及通風條件。第三方面，機械排煙系統(tǒng)。該種系統(tǒng)對室內(nèi)的空氣環(huán)境進行保障。第四方面，冷凍水系統(tǒng)。該系統(tǒng)由低溫離心式冷水機組、中溫離心式冷水機組等共同組成[1]。第五方面，溫水系統(tǒng)。該系統(tǒng)主要通過蒸汽鍋爐房以及熱水鍋爐房所組成。第六方面，油罐系統(tǒng)。主要是為滿足柴油發(fā)電機及鍋爐所需的燃料而建設的系統(tǒng)。第七方面，工藝真空系統(tǒng)。該種系統(tǒng)采用U-PVC對工藝真空系統(tǒng)的管道進行建設而成。第八方面，常溫循環(huán)冷卻水系統(tǒng)。第九方面，工藝設備冷卻水系統(tǒng)。第十方面，生產(chǎn)、生活給水系統(tǒng)。第十一方面，電力配電系統(tǒng)。第十二方面，照明系統(tǒng)。第十三方面，儀表與控制系統(tǒng)。第十四方面，純水安裝工程施工及調(diào)試。第十五方面，廢水安裝工程及調(diào)試[2]。

二、半導體廠房內(nèi)部溫水系統(tǒng)

（一）熱水鍋爐房

在該系統(tǒng)的建設過程中，其采暖熱負荷為1000kW；加濕使用的蒸汽量為550kg；純水用蒸汽量為300kg。在本文對熱水鍋爐房進行設置的過程中，共建設2臺真空熱水鍋爐，該鍋爐的具體制熱量為930kw，其內(nèi)部還放置換熱器，以保障功能的實施。在該鍋爐房的建設過程中，其使用的燃料為天然氣，備用的燃料為輕柴油。在具體的使用過程中，其供給熱水溫度為32/38℃，為廠房的熱水使用提供極大的便捷性。在鍋爐房的建設過程中，其熱水泵主要是選擇了2臺150m3/h，且揚程為0.32MPa的離心式水泵[3]。在該熱水鍋爐房的熱水系統(tǒng)建設過程中，其管道的建設主要使用無縫鋼管的材料，其管道的閥門主要采用蝸桿傳動式蝶閥，在保溫設備的建設中采用B1級橡塑保溫材料。

（二）蒸汽鍋爐房

在該系統(tǒng)的建設過程中，其蒸汽鍋爐房的設置主要利用了2臺蒸汽鍋爐進行具體的建設，該設備的蒸發(fā)量主要為0.6t/h，同時，其主燃料的使用為天然氣，其使用的備用燃料為輕柴油。該種設備的具體應用過程中，其額定的蒸發(fā)壓力主要為0.7MPa。在整齊鍋爐房的建設過程中，其設置的主要設備還包括潔凈蒸汽發(fā)生器。該種設備的使用中，其蒸汽產(chǎn)生的數(shù)量為0.7t/h，通過不斷的整齊制造為空調(diào)系統(tǒng)的正常加濕運作提供所需蒸汽。在該種蒸汽系統(tǒng)的補水過程，主要采用RO水進行補充，并在加熱蒸汽管道建設的材料選擇階段，選擇無縫鋼管作為具體的管道建設材料。在閥門的建設過程中，使用蝸桿傳動式的蝶閥進行具體的施工。在潔凈蒸汽管道的建設過程中，其材料主要應用不銹鋼的無縫鋼管，具體的材質(zhì)為SS304L。

三、廢水處理系統(tǒng)

（一）處理前水質(zhì)參數(shù)的確定

在對該公司的廠房進行具體的建設時期，需要對該廠房的生產(chǎn)廢水情況進行研究與分析。經(jīng)過筆者調(diào)查分析發(fā)現(xiàn)，該廠房的使用過程中將產(chǎn)生以下三種主要的廢水。第一種，氨氮廢水，該種廢水的水量為13t/d；第二中，酸堿廢水。該種廢水的水量為120t/d；第三種，回收水。該種廢水的水量為100t/d。在對廢水的指標進行詳細調(diào)查后，將該廠房的生產(chǎn)廢水水質(zhì)參數(shù)具體總結如下表1：

（二）具體施工

在對該廠房進行施工時，主要是對廢水流入處理設施進行科學的建設。具體的設計與施工分為以下幾方面。第一方面，高程設計；第二方面，工藝設計；第三方同時，由于該廠房的第三類廢水水質(zhì)處于較好的狀態(tài)，能夠直接作為反滲透原水。故而，在本文對廢水處理系統(tǒng)進行建設時，暫不考慮第三類廢水。

（三）處理后水質(zhì)參數(shù)的確定

經(jīng)過廠房的廢水處理，其水質(zhì)參數(shù)變化如下表2以及表3：

結論：本文通過對半導體廠房內(nèi)部結構進行簡單的闡述，進而從半導體廠房內(nèi)部溫水系統(tǒng)；廢水處理系統(tǒng)安裝及調(diào)試兩個方面對半導體廠房的內(nèi)部結構建設進行詳細的分析與研究。經(jīng)過對課題內(nèi)容進行詳細的研究與分析得出結果表明，在我國半導體廠房內(nèi)部結構建設的研究領域中依舊存在一定問題。因此，在未來的研究中應進一步對半導體廠房的內(nèi)部結構建設領域進行詳細的研究與思考，希望本文能夠為半導體廠房內(nèi)部結構的研究提供幾點可行性建議，并為半導體廠房的發(fā)展與建設提供積極的促進作用。

參考文獻：

[1]朱守見.淺析在老舊的排架結構廠房內(nèi)施工深基坑的新方法[J].中國房地產(chǎn)業(yè)，2016，14（04）：187-188.

[2]陳瀧，王傳慶，陳楨，等.三維激光掃描技術在鋼結構廠房變形測量中的應用[J].黑龍江工程學院學報，2016，30（05）：29-33.

[3]倪步寬.探究結構設計優(yōu)化技術在廠房結構設計中的應用[J].建筑工程技術與設計，2017，15（08）；154-155.