劉德敏　龐立　徐永紅　張瑋

摘 要 LET和NIEL是輻射物理領域中常見的兩個縮寫符號，在各種期刊上出現(xiàn)時，正文中存在正斜體形式不一致問題，公式中存在縮寫名稱作為量符號使用及量符號形式隨意混亂等問題。通過查閱文獻和分析認為，正文中LET用斜體形式是錯誤的，公式中無論是用正體或斜體的縮寫名稱作為量符號使用都是錯誤的，提出了用“ELET”表示LET和用 “ENIEL”表示NIEL的建議。同時，對LET的中文量名稱也進行了探討，認為“傳能線密度”及“線性能量轉(zhuǎn)移”可能不是LET的最佳量名稱，在輻射物理領域沒有給出規(guī)范的中文量名稱時，提出用“線性轉(zhuǎn)移能量”和“非電離損失能量”分別作為LET和NIEL的中文量名稱，供輻射物理學界專家和編輯同行參考。

關鍵詞 LET NIEL 編輯 格式 規(guī)范化

中圖分類號：G237.5 文獻標識碼：A DOI：10.16400/j.cnki.kjdkx.2018.03.030

Misusing in Forms and Standardization Suggestions for LET and NIEL

LIU Demin， PANG Li， XU Yonghong， ZHANG Wei

（Northwest Institute of Nuclear Technology， Editorial Board of Modern Applied Physics， Xian， Shaanxi 710024）

Abstract LET and NIEL are two English abbreviations widely used in the field of radiation physics. When they are printed in sci-tech periodicals， both the straight and italic forms are seen in texts. As they are printed in formulas， they are directly used as the signs of measurements， or the signs of measurements representing them are chosen randomly. By comparing and analyzing references， it is believed that the italic form of LET in texts should be wrong and using LET and NIEL as the signs of measurements in formulas， whether in the straight form or italic form， should be wrong ether. It is suggested that "ELET" and "ENIEL" should be used as the signs of measurements of LET and NIEL respectively. Meanwhile， the Chinese names of LET and NIEL are examined， and some suggestions on standardization are put forward as reference for editors.

Keywords LET； NIEL； edition； form； standardization

輻射物理是《現(xiàn)代應用物理》期刊報道的主要領域之一，近年來，該領域中的論文數(shù)量明顯增多。LET和NIEL是輻射物理領域中常見的兩個縮寫符號，它們在正文及公式中出現(xiàn)時的正斜體格式問題及量符號形式問題，一直困擾著《現(xiàn)代應用物理》編輯。調(diào)研發(fā)現(xiàn)，LET和NIEL在其他各種期刊上出現(xiàn)時，特別是在公式中存在縮寫名稱當作量符號使用及量符號形式隨意混亂等問題。本文列舉了《Science China：Technological Sciences》、《物理學報》及《原子核物理評論》等物理類期刊中LET和NIEL的格式亂象，對用什么量符號表示LET和NIEL及其中文量名稱，提出了一點粗淺的建議，以期拋磚引玉，激發(fā)輻射物理學界專家和編輯同行對此問題的關注和思考。

1 LET的正斜體問題及分析

在輻射物理領域中廣泛使用的LET是英文linear energy transfer的縮寫，表示輻射粒子在單位貫穿路徑上沉積的能量，稱為傳能線密度，[1]或線性能量轉(zhuǎn)移，[2]單位為MeV·cm2·mg-1。不同能量、不同種類的輻射粒子具有不同的LET值，[3]會對宇航器件和生物組織造成不同的輻照損傷。

LET作為縮寫的量名稱在科技期刊正文中多以正體形式出現(xiàn)，如《原子核物理評論》、[1]《航天器環(huán)境工程》、[3]《原子能科學技術》[4]等期刊中皆為正體形式；然而，《現(xiàn)代應用物理》期刊中既有正體形式，[2]也有斜體形式，[5-6]存在格式不統(tǒng)一問題。根據(jù)《科技書刊標準化18講》分析認為，由于LET是只是英文名稱的縮寫，既不是像“歐拉數(shù)Eu”一樣的特征數(shù)，也不是“生物學中屬以下（含屬）的拉丁學名”，既不是量符號，也不是“化學中表示旋光性、分子構型、構象、取代基位置等的符號”，所以不適合外文字母用斜體的場合；同時，符合“不表示量符號的外文縮寫字”應用正體的規(guī)定，因此，建議正文中LET用正體。

2 LET在公式中的格式亂象及分析

用什么符號表示縮寫名稱LET的問題一直困擾著編輯人員。調(diào)研發(fā)現(xiàn)，在期刊《SCIENCE CHINA：Technological Sciences》及《物理學報》中，LET被當做量符號，直接以“LET”形式[7]及“LETth”形式[8]在公式中使用，如圖1和圖2所示。在期刊《原子核物理評論》中LET被當做量符號，以“LETth”形式使用，[9]如圖3所示。

， （1）

分析認為，上述做法都是不恰當?shù)?，違背了國標中量符號要用斜體單個字母加上標或下標表示的原則。[10]此外，對LET賦值的做法，如“LET=…”，也是不恰當?shù)?，這實際上也是將名稱LET當做量符號使用。那么，用什么符號表示LET比較合適呢？

首先，從LET量單位MeV·cm2·mg-1出發(fā)，分析其中文量名稱的叫法。文獻[1]稱該量為“傳能線密度”似乎有道理，體現(xiàn)了單位中部分量綱的意義，但傳能線密度在國標中已有嚴格定義，[10]如圖4所示。

由圖4可見，雖然從英文linear energy transfer，翻譯成“傳能線密度”，字面上與國標中的對應關系是一致的，但LET的量單位MeV·cm2·mg-1與國標中的單位“J/m”不同，文獻[1]中LET的量定義——“輻射粒子在單位貫穿路徑上沉積的能量”也與國標中“傳能線密度”的概念不同，因此，將LET稱為“傳能線密度”，是不恰當?shù)?。文獻[2]將英文linear energy transfer翻譯成“線性能量轉(zhuǎn)移”，是字面直譯，避免了與國標中的中文字面沖突，但不如翻譯成“線性轉(zhuǎn)移能量”，突出和落腳到單位中“能量”的物理意義上更恰當，更符合漢語科技名詞審定的科學性原則要求。[11]

其次，從LET的定義上分析其物理意義。從圖1可以看出，LET是指在單位材料密度下，單位長度上沉積的粒子能量。從材料的角度看，是獲取的能量，從輻射粒子的角度看，是損失的能量，因此，“能量或變化的能量”這一意義是肯定的。

LET量符號應能反映其物理意義或主要的物理意義。從強調(diào)“能量或變化的能量”這層意思上講，用E代表能量，或用 E表示能量變化量，再加下標LET，組成ELET或 ELET代表與單位MeV cm2 mg-1對應的LET值在公式中使用，應該說不會造成歧義。盡管這樣表示，還不能完全涵蓋單位中“cm2 mg-1”所對應的物理意義，但目前在輻射物理學界沒有對此導出量特別定義符號的情況，可以說是不錯的選擇，用ELET比 ELET更簡短些，因此，建議使用ELET在公式中表示LET。

3 NIEL在公式中的格式亂象及分析

NIEL是英文non-ionizing energy loss的縮寫名稱，中文名稱為“非電離能量損失[2]”，對應的單位為MeV cm-2 g-1。在各種期刊中，公式中用來表示NIEL的符號很多，十分隨意混亂。例如，《原子能科學技術》中直接用正體NIEL當做量符號在公式中使用，[12]如圖5所示；《核電子學與探測技術》中使用斜體NIEL當做量符號在公式中使用，[13]如圖6所示；《中國科技論文》中用符號“NNIEL（E）”代表NIEL，[14]如圖7所示；《高能物理與核物理》中用符號“SNIEL（E）”代表NIEL，[15]如圖8所示；《核技術》中用符號“SNIEL”代表NIEL，[16]如圖9所示；《現(xiàn)代應用物理》中使用符號N（E）代表NIEL[2]，如圖10所示。

NIEL可通過式（1）進行計算：

N（E）為能量為E的質(zhì)子在CCD靈敏區(qū)中沉積的非電離能量損失，MeV com2 g-1；

分析認為，上述各種表示形式都不恰當。首先，圖5和圖6中，不論是用正體或斜體的多字符縮寫名稱作為量符號，都是錯誤的，違背了國標中量符號要用斜體單個字母加上標或下標表示的原則。圖7～圖10中的表示形式，表面上看符合規(guī)范，但在國標中，符號“S”通常代表面積、破印廷矢量、視在功率等，符號“N”通常表示繞組的匝數(shù)、粒子總電離（Ni）、粒子線電離（Nil）等，用“S”、“N”不能反映NIEL對應單位MeV·cm-2·g-1中單位質(zhì)量單位面積上沉積的能量或輻射粒子損失的能量的物理意義，因此，本文認為，將英文non-ionizing energy loss，譯為“非電離損失能量”更為恰當，從反映“能量”這一意義出發(fā)，用符號“ENIEL”來表示NIEL，是恰當?shù)模诳段锢韺W報》中的表示形式同此分析相符，[17]如圖11所示。雖然用E不能涵蓋NIEL單位中“cm-2·g-1”所對應的物理意義，但在目前輻射物理學界沒有對此導出量特別定義符號的情況下，可以說是不錯的選擇，因此，建議在公式中用符號“ENIEL”來表示NIEL。

由質(zhì)子與靶原子核反應產(chǎn)生的NIEL（NIEL）可以表示為

NIEL=

（1）

4 小結

綜上可見，LET和NIEL在各種期刊中出現(xiàn)的正斜體格式不一致、縮寫名稱當做量符號使用及量符號形式隨意混亂等問題比較普遍，輻射物理學界對這兩個量的中文量名稱和量符號，沒有規(guī)范，期刊界也沒有形成統(tǒng)一認識，因此，很有必要此進行分析和規(guī)范。本文提出用“ELET”表示LET、用 “ENIEL”表示NIEL，并用“線性轉(zhuǎn)移能量”和“非電離損失能量”分別作為LET和NIEL的中文量名稱，供輻射物理學界專家和編輯同行參考。

參考文獻

[1] 陳玉澤，杜艷，余麗霞，等.不同LET 碳離子束輻照擬南芥干種子的當代損傷效應[J].原子核物理評論，2016.33（4）：494-498.

[2] 王祖軍，薛院院，劉敏波，等.CCD空間環(huán)境輻射效應地面模擬試驗方法[J].現(xiàn)代應用物理，2016.7（4）：040601.

[3] 于慶奎，張大宇，張海明，等.SRAM FPGA 電離輻射效應試驗研究[J].航天器環(huán)境工程，2009.26（3）：229-231.

[4] 敬輝，曹洲，楊兆銘，等.中小規(guī)模邏輯電路單粒子效應實驗研究[J].原子能科學技術，1997.31（3）：268-270.

[5] 羅尹虹，張鳳祁，郭紅霞，等.體硅90nm SRAM重離子單粒子多位翻轉(zhuǎn)實驗和數(shù)值模擬[J].現(xiàn)代應用物理，2017.8（1）：010601.

[6] 陳偉，郭曉強，姚志斌，等.空間輻射效應地面模擬等效的關鍵基礎問題[J].現(xiàn)代應用物理，2017.8（1）：020101.

[7] CHEN HongFei1*， YU XiangQian1， SHAO SiPei2， et al. Direct measurement of the linear energy transfer of ions in silicon for space application[J].SCIENCE CHINA：Technological Sciences，2016.59（1）：128-134.

[8] 羅尹虹，郭曉強，陳偉，等.歐空局監(jiān)測器單粒子翻轉(zhuǎn)能量和角度相關性[J].物理學報，2016.65（20）：206103.

[9] 耿超，李孝遠，林熠，等.FPGA配置片反熔絲PROMs加速器地面單粒子效應特性研究[J].原子核物理評論，2016.33（3）：358-364.

[10] GB3103-93.有關量、單位和符號的一般原則[S].中華人民共和國國家標準，2005.

[11] 劉青.科技名稱規(guī)范化和科技名稱規(guī)范應用[C]//編輯業(yè)務標準培訓班（第一期）培訓材料，杭州，2017.

[12] 黃紹艷，劉敏波，郭曉強，等.InGaAsP器件質(zhì)子位移損傷等效性研究[J].原子能科學技術，2016.50（9）：1701-1705.

[13] 于新，何承發(fā)，郭旗，等.半導體材料電子非電離能損的分析法計算[J].核電子學與探測技術，2012.32（7）：820-824.

[14] 王榮，劉運宏，魯明，等.GaAs/Ge太陽電池電子輻射效應的移位損傷劑量分析[J].中國科技論文，2015.10（55）：520-522，527.

[15] 羅文蕓，王朝壯， 賀新福，等.中能質(zhì)子在Si和GaAs中導致的非電離能損研究[J]. 高能物理與核物理，2006，30（11）：1088-1090.

[16] 路偉，王同權，王興功，等.基于Geant4 模擬質(zhì)子在半導體Si材料中的NIEL 值[J].核技術，2011.34（7）：529-531.

[17] 朱金輝，韋源，謝紅剛，等.300 eV—1 GeV質(zhì)子在硅中非電離能損的計算[J].物理學報，2014.63（6）：066102.