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存儲(chǔ)芯片 零的突破

2018-07-01 17:06謝澤鋒
英才 2018年6期
關(guān)鍵詞:海力士存儲(chǔ)芯片晉華

謝澤鋒

在主流存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域,中國(guó)仍然是一片空白,這一形容前面不用“基本”二字做掩飾。全球DRAM、NAND存儲(chǔ)芯片基本由美日韓企業(yè)壟斷,三星、SK海力士、美光、東芝等巨頭順勢(shì)賺得盆滿(mǎn)缽滿(mǎn)。

目前,在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域,中國(guó)企業(yè)開(kāi)始后起發(fā)力,形成三足鼎立的局面——投入NAND Flash市場(chǎng)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)、專(zhuān)注于移動(dòng)存儲(chǔ)芯片DRAM的合肥長(zhǎng)鑫以及致力于普通存儲(chǔ)芯片的晉華。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)

從無(wú)到有,長(zhǎng)江存儲(chǔ)是中國(guó)第一艘沖破國(guó)際巨頭壟斷的存儲(chǔ)基地,堪稱(chēng)中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)向空白地帶探索的一艘航空母艦。

2016年7月,由紫光集團(tuán)、國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北省集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北科投在武漢新芯的基礎(chǔ)上組建長(zhǎng)江存儲(chǔ)。其中紫光集團(tuán)出資197億元,占股51.04%,從而對(duì)長(zhǎng)江存儲(chǔ)形成控股。

“長(zhǎng)江存儲(chǔ)是中國(guó)科技領(lǐng)域的遼寧號(hào)航空母艦?!弊瞎饧瘓F(tuán)董事長(zhǎng)趙偉國(guó)曾向《英才》記者強(qiáng)調(diào),“從其投資規(guī)模、技術(shù)水平、對(duì)國(guó)家產(chǎn)業(yè)安全和國(guó)家信息安全的意義看,這一比喻并不為過(guò)。通過(guò)長(zhǎng)江存儲(chǔ)這個(gè)項(xiàng)目,中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)才真正在世界上有了一定的地位?!?/p>

據(jù)統(tǒng)計(jì),長(zhǎng)江存儲(chǔ)總投資將超過(guò)240億美元。這也是紫光集團(tuán)目前為止最大的投資項(xiàng)目之一。

“紫光未來(lái)十年在芯片制造產(chǎn)業(yè)上投資1000億美元是一個(gè)基本數(shù)字,相當(dāng)于平均每年投入100億美元。Intel、臺(tái)積電、三星每年在芯片制造上的資本開(kāi)支都超過(guò)100億美元,達(dá)不到平均每年100億美元的投資規(guī)模,根本就進(jìn)入不了芯片制造的第一陣營(yíng)。”正如趙偉國(guó)所說(shuō),持續(xù)投入是繞不過(guò)的門(mén)檻。

2016年12月,以長(zhǎng)江存儲(chǔ)為主體的國(guó)家存儲(chǔ)器基地正式開(kāi)工建設(shè),其中包括3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash FAB廠房、1座總部研發(fā)大樓和其他若干配套建筑,預(yù)計(jì)項(xiàng)目建成后總產(chǎn)能將達(dá)到30萬(wàn)片/月,年產(chǎn)值將超過(guò)100億美元。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)以武漢新芯現(xiàn)有的12英寸先進(jìn)集成電路技術(shù)研發(fā)與生產(chǎn)制造能力為基礎(chǔ),采取自主研發(fā)與國(guó)際合作雙輪驅(qū)動(dòng)的方式,已于2017年研制成功了中國(guó)第一顆3D NAND閃存芯片,填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)空白,并力爭(zhēng)成為世界一流的3D NAND閃存產(chǎn)品供應(yīng)商。未來(lái)這些產(chǎn)品將廣泛應(yīng)用在移動(dòng)通信,計(jì)算機(jī)、數(shù)據(jù)中心和消費(fèi)電子等領(lǐng)域。

在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域,DRAM和NAND是最為重要的兩種類(lèi)型,均呈現(xiàn)寡頭壟斷的情況。DRAM市場(chǎng)93%以上份額由三星、SK海力士和美光科技三家占據(jù);而NAND Flash市場(chǎng)幾乎全部被三星、SK海力士、東芝、閃迪、美光和英特爾六家瓜分。

“在長(zhǎng)江存儲(chǔ)項(xiàng)目之前,對(duì)于中國(guó)企業(yè)來(lái)說(shuō),不是縮短差距的問(wèn)題,因?yàn)樵瓉?lái)的基礎(chǔ)是零,所以在長(zhǎng)江存儲(chǔ)之前和國(guó)際芯片制造巨頭的距離是無(wú)限遠(yuǎn)?!壁w偉國(guó)曾對(duì)《英才》記者表示,到2019年,將把紫光與三星、SK海力士的技術(shù)差距縮短1-2年左右,利用十年時(shí)間拉平與三星的鴻溝。

目前,長(zhǎng)江存儲(chǔ)科已經(jīng)打造成為集芯片設(shè)計(jì)、工藝研發(fā)、晶圓生產(chǎn)與測(cè)試、銷(xiāo)售服務(wù)于一體的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器企業(yè)。

全球來(lái)看,擁有芯片全產(chǎn)業(yè)鏈能力的企業(yè)屈指可數(shù),僅有三星、英特爾、德州儀器等具備貫穿前段的設(shè)計(jì),中段的制造和封測(cè),再到后段的市場(chǎng)銷(xiāo)售。

相對(duì)于IC設(shè)計(jì)企業(yè)(Fabless)、代工企業(yè)(Foundry),創(chuàng)建這類(lèi)IDM公司需要高額的資金成本,以及對(duì)整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)袌?chǎng)需求的準(zhǔn)確把握。從這一角度看,長(zhǎng)江存儲(chǔ)為我國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)做出了表率,趟出了一條新的道路。

合肥長(zhǎng)鑫

在長(zhǎng)江存儲(chǔ)順利開(kāi)始生產(chǎn)國(guó)內(nèi)首款32層3D NAND閃存芯片的同時(shí),合肥長(zhǎng)鑫的存儲(chǔ)基地也在緊鑼密鼓的進(jìn)行中。

2018年4月16日,據(jù)媒體報(bào)道,合肥長(zhǎng)鑫12英寸存儲(chǔ)器晶圓制造基地所需的300臺(tái)研發(fā)設(shè)備已基本全部到位,待裝機(jī)完成之后,從2018下半年開(kāi)始便全力投入試生產(chǎn)的環(huán)節(jié)。

相比于長(zhǎng)江存儲(chǔ),合肥長(zhǎng)鑫的成立要低調(diào)得多,直到2017年5月25日,由合肥市政府支持的合肥長(zhǎng)鑫公司宣布,預(yù)計(jì)由合肥長(zhǎng)鑫投資72億美元,興建12吋晶圓廠以發(fā)展DRAM產(chǎn)品,未來(lái)完成后,預(yù)計(jì)最大月產(chǎn)將高達(dá)12.5萬(wàn)片規(guī)模。

此后,在NOR Flash 市場(chǎng)位居世界第三的兆易創(chuàng)新公告與合肥產(chǎn)投簽署了合作協(xié)議,雙方合作開(kāi)發(fā)19nm的12英寸晶圓存儲(chǔ)器(含DRAM等)研發(fā)。

在管理層和技術(shù)人員方面,合肥長(zhǎng)鑫也是強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合,目前擔(dān)任公司董事長(zhǎng)的王寧國(guó),此前任全球第一大半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備公司美國(guó)應(yīng)用材料公司全球執(zhí)行副總裁、華虹集團(tuán)CEO、中芯國(guó)際CEO;人才方面,公司大舉招聘海力士、爾必達(dá)、華亞科等的員工組成研發(fā)隊(duì)伍,華亞科前資深副總劉大維也成為了合肥長(zhǎng)鑫的員工。

除了以王寧國(guó)主導(dǎo)開(kāi)展公司經(jīng)營(yíng)和發(fā)展以外,合肥政府聯(lián)合兆易創(chuàng)新作為合作伙伴,兆易創(chuàng)新在全球NOR Flash市場(chǎng)已占據(jù)一席之地,但囿于NOR Flash的市場(chǎng)規(guī)模有限,進(jìn)軍DRAM市場(chǎng)既能向外延伸自己技術(shù)能力,又能拓展新的業(yè)務(wù)范疇。

最新的消息顯示,王寧國(guó)在合肥集成電路重大項(xiàng)目發(fā)布會(huì)上表示,合肥長(zhǎng)鑫DRAM內(nèi)存芯片一期(一廠廠房)已于2018年1月完成建設(shè),并開(kāi)始安裝設(shè)備;2018年底就將開(kāi)始生產(chǎn)8Gb DDR4存儲(chǔ)器的工程樣品;2019年底有望達(dá)到2萬(wàn)片/月的產(chǎn)能;2020年再開(kāi)始規(guī)劃二廠廠房的建設(shè);2021年要完成對(duì)17nm工藝節(jié)點(diǎn)的技術(shù)研發(fā)。

長(zhǎng)鑫12吋存儲(chǔ)器晶圓制造基地項(xiàng)目正加快建設(shè),項(xiàng)目完全投產(chǎn)后預(yù)計(jì)將占據(jù)世界DRAM市場(chǎng)約8%的份額,填補(bǔ)國(guó)內(nèi)DRAM市場(chǎng)的空白。

將來(lái),合肥長(zhǎng)鑫希望憑借自身的DRAM IDM平臺(tái),來(lái)大力扶持處在行業(yè)上游的、國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備與材料的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化的進(jìn)程。

福建晉華

另一大存儲(chǔ)器制造基地福建晉華在2017年11月即已完成了封頂,現(xiàn)今廠房外觀已接近完工。福建晉華力爭(zhēng)在2018年7月開(kāi)始遷入機(jī)臺(tái)設(shè)備,并于2018年第三季度一期項(xiàng)目開(kāi)始投入生產(chǎn)。

據(jù)悉,福建省晉華集成電路有限公司(簡(jiǎn)稱(chēng)晉華集成電路,JHICC)是由福建省電子信息集團(tuán)、晉江能源投資集團(tuán)有限公司等共同出資設(shè)立的先進(jìn)集成電路生產(chǎn)企業(yè)。

技術(shù)來(lái)源上,公司與臺(tái)灣聯(lián)華電子開(kāi)展技術(shù)合作,投資56.5億美元,在福建省晉江市建設(shè)12吋內(nèi)存晶圓廠生產(chǎn)線(xiàn),開(kāi)發(fā)先進(jìn)存儲(chǔ)器技術(shù)和制程工藝,并開(kāi)展相關(guān)產(chǎn)品的制造和銷(xiāo)售。

臺(tái)聯(lián)電與晉華曾簽署了技術(shù)合作協(xié)議,接受晉華委托并開(kāi)發(fā)DRAM存儲(chǔ)器相關(guān)的制程技術(shù),晉華則提供DRAM特用設(shè)備并依開(kāi)發(fā)進(jìn)度支付技術(shù)報(bào)酬金作為開(kāi)發(fā)費(fèi)用,開(kāi)發(fā)成果由雙方共同擁有。

值得注意的是,晉華集成電路已納入“十三五”集成電路重大生產(chǎn)布局規(guī)劃,并獲得首筆30億元人民幣的國(guó)家專(zhuān)項(xiàng)建設(shè)基金支持。公司旨在成為具有先進(jìn)工藝與自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)體系的集成電路內(nèi)存(DRAM)制造企業(yè)。

原本預(yù)計(jì)2018年9月試產(chǎn),并達(dá)到6萬(wàn)片/月的產(chǎn)能規(guī)模,現(xiàn)今整個(gè)項(xiàng)目正在加速推進(jìn)中。

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