汪東,汪霏霏,張國(guó)兵
(特種顯示技術(shù)國(guó)家工程實(shí)驗(yàn)室,現(xiàn)代顯示技術(shù)省部共建國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室培育基地,合肥工業(yè)大學(xué)光電技術(shù)研究院,安徽 合肥 230009)
近年來(lái),可溶液加工的共軛聚合物由于其在輕質(zhì)、低成本和大面積柔性電子器件等方面的潛在應(yīng)用而引起了人們廣泛的研究關(guān)注[1-2]。其中研究比較火熱的是給體-受體(D-A)聚合物。在已報(bào)道的D-A聚合物中,給體單元使用最多是聯(lián)噻吩(DT)、并噻吩(TT)以及反-二(2-噻吩基)乙烯(TVT),而受體單元使用最為廣泛的是噻吩吡咯并吡咯二酮(DPP)、萘酰亞胺(NDI)、異靛藍(lán)(ID)及其衍生物單元[3-5]。盡管開(kāi)發(fā)的聚合物材料種類豐富,但絕大部分是高HOMO/LUMO能級(jí)的共軛聚合物,低能級(jí)聚合物材料無(wú)論在種類、數(shù)量以及性能方面都還大大落后于高能級(jí)材料。低能級(jí)聚合物對(duì)有機(jī)太陽(yáng)能電池以及有機(jī)薄膜晶體管等都具有重要意義,直接關(guān)系到相關(guān)器件的性能[1]。因此,研制更多低能級(jí)聚合物極為重要,并將直接影響相關(guān)制品的性能與應(yīng)用范圍。
降低LUMO/HOMO能級(jí)的常規(guī)方法是引入一個(gè)強(qiáng)的受體單元,使其再與另外一個(gè)給體單元聚合[2]。本文除了引入一個(gè)強(qiáng)的受體單元外,還在給體單元中也引入一個(gè)缺電子基團(tuán),使能級(jí)進(jìn)一步降低。根據(jù)這一設(shè)計(jì)思路,采用Stille交叉偶聯(lián)反應(yīng),以噻吩-氰基乙烯-噻吩(TCNT)為給體單元,異靛藍(lán)衍生物(NBDID)為受體單元,制備了一種新型共軛聚合物PBDID-TCNT。TCNT單元中帶有缺電子的氰基,NBDID單元中帶有內(nèi)酯基團(tuán)的苯并二呋喃二酮,兩邊聯(lián)結(jié)兩個(gè)內(nèi)酰胺基團(tuán),并且最外側(cè)還有缺電子的吡啶基團(tuán),使得BDID單體不僅有延長(zhǎng)的共軛結(jié)構(gòu),而且是一個(gè)強(qiáng)受體單元,將其與TCNT共聚將更有利于獲得具有低能級(jí)的聚合物半導(dǎo)體材料。本文系統(tǒng)研究了該聚合物的熱性能、光學(xué)性能、電化學(xué)性能以及微觀結(jié)構(gòu),其LUMO和HOMO能級(jí)分別低至-4.15 eV和-5.88 eV。
(E)2,3-雙(5-(三甲基錫烷基)噻吩 -2-基)丙烯腈(M1)(分析純,蘇州納凱科技有限公司);三(二亞芐基丙酮二鈀)(Pd2(dba)3,分析純,百靈威科技有限公司);三鄰甲苯基膦(P(o-tol)3)(分析純,百靈威科技有限公司);其他化學(xué)試劑均為分析純(國(guó)藥化學(xué)試劑公司)。
VNMRS600超導(dǎo)核磁共振波譜儀(美國(guó)安捷倫科技公司);Q5000IR熱重分析儀(美國(guó)TA公司);Q2000示差掃描量熱儀(美國(guó)TA公司);Vario EL c元素分析儀(德國(guó)Elementar公司);CARY5000紫外-可見(jiàn)-近紅外分光光度計(jì)(美國(guó)安捷倫公司);1525-GPC系列液相色譜儀(美國(guó)Waters公司);CHI660系列電化學(xué)工作站(上海辰華儀器有限公司);Dimension原子力顯微鏡(美國(guó)Bruker公司)。
單體和聚合物(PNBDID-TCNT)的合成路線如圖1所示,單體合成參考文獻(xiàn)[6]。聚合物詳細(xì)合成步驟如下:
聚合管中加入錫單體TCNT(M1)(0.06275 g,0.12 mmol)、溴化單體 NBDID(M2)(0.2000 g,0.12 mmol)以及氯苯10 mL,單體充分溶解后,用氮?dú)庵脫Q30 min,快速加入催化劑Pd2(dba)3(0.0044 g,0.0048 mmol)和配體P(o-toyl)3(0.0059 g,0.019 mmol),再繼續(xù)用氮?dú)庵脫Q15 min,然后密封聚合管,于130℃反應(yīng)60 h。反應(yīng)結(jié)束后物料冷卻至室溫,加入甲醇混和、過(guò)濾,得到的沉淀物分別用甲醇、丙酮、正己烷、二氯甲烷以及氯仿進(jìn)行索氏提取。留下氯仿溶解部分,旋蒸氯仿溶液至20 mL左右,滴加至200 mL甲醇溶液中沉淀,沉淀物過(guò)濾后在真空烘箱中于50℃下干燥12 h得到黑色固體產(chǎn)物 (200 mg,產(chǎn)率 93%)。1H NMR(600 MHz,CDCl3):δ=8.4-9.5(br,4 H),5.3-7.6(br,7 H),3.3-3.6(br,4 H),1.2-2.9(br,146 H),0.8-1.0 (br,12 H)。元素分析:(C115H173N5O6S2)n理論值:C,77.40%,H,9.70%,N,3.93%,S,3.59%,測(cè)定值:C,77.21%,H,9.63%,N,3.78%,S,3.56%.GPC:Mn=46.0 kDa,Mw=138.0 kDa,PDI=3.0.
氮?dú)夥諊聹y(cè)試聚合物的熱失重曲線如圖2(a)所示,5%失重溫度達(dá)到391℃,表明聚合物PNBDID-TCNT具有優(yōu)異的熱穩(wěn)定性,完全達(dá)到在光伏器件中的應(yīng)用要求。聚合物的DSC曲線如圖2(b)所示,從圖中可見(jiàn),聚合物的吸熱峰和放熱峰分別在15℃和11℃處,這是聚合物烷基鏈的相轉(zhuǎn)變溫度。而聚合物的主鏈結(jié)構(gòu)在溫度測(cè)試范圍內(nèi)沒(méi)有明顯的相轉(zhuǎn)變過(guò)程,表明聚合物的熱性能比較穩(wěn)定。
聚合物PBDID-TCNT在氯仿溶液和成膜狀態(tài)下的紫外-可見(jiàn)-近紅外吸收光譜如圖3(a)所示。聚合物在氯仿溶液中的最大吸收峰和起始吸收峰分別在830 nm和960nm處。在薄膜狀態(tài)下的最大吸收峰沒(méi)有發(fā)生紅移,但是吸收峰范圍相比溶液的吸收峰范圍明顯變寬,而且薄膜狀態(tài)下的肩峰也更加明顯,說(shuō)明聚合物分子鏈在成膜之后堆積更為有序。聚合物的光學(xué)能帶隙通過(guò)薄膜的起始吸收值計(jì)算得到,其值為1.29 eV。聚合物的LUMO和HOMO通過(guò)循環(huán)伏安法測(cè)定,如圖3(b)所示。聚合物的起始還原電勢(shì)為-0.60V,起始氧化電勢(shì)為1.13V。根據(jù)公式LUMO或HOMO=[Eonset(Fc/Fc+vs Ag/Ag+)-Eonset-4.8]eV計(jì)算聚合物的LUMO能級(jí)或HOMO能級(jí),這里4.8 eV是二茂鐵(Fc/Fc+)在真空情況下的能級(jí),Eonset(Fc/Fc+vs Ag/Ag+)為二茂鐵(Fc/Fc+)相對(duì)參比電極(Ag/Ag+)的電勢(shì),其測(cè)試值為0.05 V。因此聚合物的LUMO和HOMO分別為-4.15 eV和-5.88 eV??梢?jiàn)該聚合物既具有很低的LUMO,又具有很低的HOMO。聚合物電化學(xué)能帶隙為1.73 eV,比光學(xué)能帶隙(1.30 eV)大0.44 eV,這一方面因?yàn)殡姾勺⑷氲倪^(guò)程中存在接觸勢(shì)壘,另一方面是由聚合物材料的激子結(jié)合能引起的[7-8]。
圖2 聚合物PNBDID-TCNT的(a)TG和(b)DSC曲線
圖3 (a)聚合物PNBDID-TCNT的紫外-可見(jiàn)-近紅外吸收光譜,(b)循環(huán)伏安曲線
圖4 聚合物薄膜室溫下的原子力高度圖(5μm×5 μm)
為了進(jìn)一步研究聚合物的微觀結(jié)構(gòu),我們采用原子力顯微鏡(AFM)來(lái)對(duì)聚合物膜的形態(tài)進(jìn)行表征。其中聚合物薄膜是配制成溶液旋涂在清潔處理過(guò)的硅片上制成的。聚合物PNBDID-TCNT的表面形貌如圖4所示,其薄膜的表面粗糙度(RMS)為1.13 nm,結(jié)晶性較好,并且從圖中可以看出,室溫下聚合物PNBDID-TCNT薄膜具有較為致密的形貌,表現(xiàn)出很好的、集聚的納米纖維晶體結(jié)構(gòu)。這是由分子間的強(qiáng)相互作用導(dǎo)致的,表明聚合物PNBDID-TCNT在薄膜狀態(tài)下有很強(qiáng)的結(jié)晶傾向,并且形成了有序的分子鏈排列。
本文制備了一種新型低能帶隙D-A共軛聚合物PNBDID-TCNT,該聚合物具有優(yōu)異的熱穩(wěn)定性、寬的吸收光譜、很低的LUMO/HOMO(-4.15 eV/-5.88 eV)以及有序的晶體結(jié)構(gòu)。該聚合物材料在有機(jī)光伏以及晶體管器件等方面有很大的潛在應(yīng)用。
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