羅漢武 ,樂(lè) 健 ,毛 濤 ,李猛克,徐新堯 ,崔士剛
(1.國(guó)網(wǎng)內(nèi)蒙古東部電力有限公司檢修分公司,內(nèi)蒙古 通遼 028000;2.武漢大學(xué) 電氣工程學(xué)院,湖北 武漢 430072;3.武漢東湖學(xué)院 機(jī)電工程學(xué)院,湖北 武漢 430074)
特高壓直流輸電系統(tǒng)因其容量大、損耗小、占用土地少,在遠(yuǎn)距離電力輸送中起到越來(lái)越重要的作用[1-3]。根據(jù)國(guó)家電網(wǎng)公司總體規(guī)劃,2015年已開(kāi)始“五交八直”特高壓工程建設(shè)。
特高壓直流換流站的電磁環(huán)境十分復(fù)雜,隨著輸電電壓等級(jí)的進(jìn)一步提高,換流閥電氣應(yīng)力將增加,導(dǎo)致電磁干擾強(qiáng)度進(jìn)一步增大[4-5]。以換流閥為干擾源的傳導(dǎo)電磁干擾沿著一次回路主設(shè)備傳播,并通過(guò)耦合路徑對(duì)二次設(shè)備回路產(chǎn)生復(fù)雜干擾[6-8]。二次系統(tǒng)中包含保護(hù)、控制、監(jiān)測(cè)、通信等各種設(shè)備,其對(duì)換流站的安全運(yùn)行具有至關(guān)重要的作用。分析特高壓直流換流站二次設(shè)備回路的傳導(dǎo)電磁干擾特性,并結(jié)合現(xiàn)有相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)[9]查找二次設(shè)備薄弱環(huán)節(jié),針對(duì)性地制定電磁干擾防護(hù)措施,對(duì)從電磁兼容性領(lǐng)域出發(fā)確保特高壓直流輸電系統(tǒng)的安全穩(wěn)定運(yùn)行具有重要的理論和工程實(shí)用價(jià)值。
目前相關(guān)研究大多集中于換流站一次系統(tǒng)的寬頻建模和傳導(dǎo)干擾水平評(píng)估。文獻(xiàn)[10]提出了關(guān)鍵設(shè)備的寬頻等值電路,基于時(shí)域?qū)掝l等值電路的仿真計(jì)算方法,對(duì)換流站穩(wěn)態(tài)運(yùn)行過(guò)程、傳導(dǎo)干擾特性及其傳播過(guò)程進(jìn)行了仿真分析。文獻(xiàn)[11]基于實(shí)測(cè)數(shù)據(jù),采用布隆法進(jìn)行網(wǎng)絡(luò)綜合,得到了閥組件寬頻等效電路,建立了高壓直流換流站的寬頻仿真模型。一次回路干擾通常經(jīng)電流互感器等傳感設(shè)備耦合至二次回路,文獻(xiàn)[12]分析了高壓母線電磁干擾通過(guò)電流互感器以及一次側(cè)和二次側(cè)之間的寄生電容耦合至二次側(cè)的特性。文獻(xiàn)[13]研究了經(jīng)電流互感器等傳導(dǎo)至變電站二次設(shè)備的電磁干擾特性,分析了干擾產(chǎn)生的原因,并從系統(tǒng)軟件和硬件設(shè)計(jì)角度出發(fā)提出了提高系統(tǒng)抗干擾能力的措施。但上述文獻(xiàn)均未建立完整精確的電流互感器寬頻等效電路,從而影響了二次回路傳導(dǎo)電磁干擾分析的準(zhǔn)確性。
本文以蒙東扎魯特—青州±800 kV特高壓直流輸電工程為研究對(duì)象,結(jié)合其一次回路結(jié)構(gòu)特點(diǎn)和主設(shè)備參數(shù),建立包含換流閥、換流變、平波電抗器和交直流濾波器等主設(shè)備在內(nèi)的一次回路寬頻等效電路,建立了完整的電流互感器和二次電纜寬頻模型,分析了不同運(yùn)行工況下一次和二次回路的傳導(dǎo)電磁干擾特性,研究了不同因素對(duì)二次設(shè)備回路傳導(dǎo)電磁干擾特性的影響。
蒙東扎魯特—青州特高壓工程輸電電壓等級(jí)為±800 kV,雙極輸電容量為10000 MW,采用雙極接線,每極由雙12脈動(dòng)閥組串聯(lián)連接,每個(gè)脈動(dòng)閥組單獨(dú)設(shè)1個(gè)閥廳,每個(gè)換流站共有4個(gè)閥廳。高壓和低壓閥廳內(nèi)均有6座閥塔。本文采用基于PSCAD的時(shí)域電路計(jì)算方法,對(duì)換流閥穩(wěn)態(tài)運(yùn)行時(shí)頻繁開(kāi)通、關(guān)斷過(guò)程產(chǎn)生的電磁干擾進(jìn)行仿真計(jì)算。扎魯特?fù)Q流站整體寬頻等效電路的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)如圖1所示。
扎魯特?fù)Q流站換流閥額定電流為6250 A,每個(gè)閥廳包含6個(gè)閥模塊,各閥模塊通過(guò)寄生電容耦合成1個(gè)閥廳的寬頻等效電路,如圖2(a)所示。圖2(b)給出了最基本單元的晶閘管寬頻等效電路,其中考慮了晶閘管本體、水冷電阻、飽和電抗器、均勻電容和阻容吸收回路的影響。
圖3為單相雙繞組換流變壓器寬頻等效電路。低頻特性主要考慮了勵(lì)磁阻抗(RmP、LmP)、一次側(cè)和二次側(cè)漏阻抗(Rk1、Lk1、Rk2、Lk2)的影響。高頻特性主要考慮了寄生電容的影響,包括一次側(cè)繞組對(duì)地寄生電容C11、二次側(cè)繞組對(duì)地寄生電容C22、一二次側(cè)繞組之間的寄生電容C12、一二次側(cè)繞組的匝間電容Ck1和Ck2。
圖1 扎魯特?fù)Q流站整體寬頻等效電路Fig.1 Broadband equivalent circuit of Zhalute converter station
圖2 換流閥寬頻等效電路Fig.2 Broadband equivalent circuit of converter valve
圖3 換流變壓器寬頻等效電路Fig.3 Broadband equivalent circuit of converter transformer
圖4為平波電抗器寬頻等效電路,其中考慮了主電感Lmp、損耗電阻Rmp、對(duì)地電容Cg以及繞組中間的電容C12p的影響。
圖4 平波電抗器寬頻等效電路Fig.4 Broadband equivalent circuit of smoothing reactor
圖5給出了直流、交流和交流PLC濾波器的寬頻等效電路。圖中,直流濾波器結(jié)構(gòu)的確定應(yīng)以直流線路所產(chǎn)生的等效干擾電流為基礎(chǔ);交流濾波器一般分為2種,除調(diào)諧濾波器外還要配置并聯(lián)電容器以提供無(wú)功功率;換流站內(nèi)的PLC濾波器可分為直流和交流2種,其中交流PLC濾波器必須并聯(lián)安裝在換流變壓器交流網(wǎng)側(cè)出口引線上。
圖5 濾波器寬頻等效電路Fig.5 Broadband equivalent circuit of filters
電流互感器的一次繞組與一次回路串聯(lián),二次回路有測(cè)量、繼電保護(hù)以及電能計(jì)量裝置接入?!?00kV特高壓直流輸電工程所采用的電流互感器寬頻等效電路如圖6所示。
圖6 電流互感器寬頻等效電路Fig.6 Broadband equivalent circuit of current transformer
圖6中,勵(lì)磁阻抗主要由渦流損耗的電阻Rcls、額外損耗的非線性電阻Relc、磁滯損耗和磁化電流的非線性電感Lm三部分構(gòu)成;Rs和Ls為二次側(cè)的漏阻抗;RB和LB為負(fù)載;K為電流互感器繞組匝數(shù)比。
電流互感器中的鐵芯采用的材料有硅鋼片、坡莫合金和超微晶合金,具有很好的磁化效果。這些鐵磁質(zhì)的矯頑力很小,一般矯頑力Hc≈1 A/m,在交變磁場(chǎng)中的磁滯損耗很小,可忽略磁滯的影響。
各元件參數(shù)計(jì)算如下:
其中,N為繞組匝數(shù);S為鐵芯截面面積;L為磁路平均長(zhǎng)度;Ielc為額外損耗電流的有效值;k2為常數(shù),其值取決于電流互感器鐵芯的電阻率、疊片厚度和寬度等材料和形狀參數(shù);Uφ為線圈中感應(yīng)電壓的有效值;Pcl為互感器中硅鋼片鐵芯的渦流損耗;N2為二次線圈匝數(shù);d為硅鋼片厚度;c為鐵芯材料常數(shù);ρ為電阻率;μm為最大相對(duì)磁導(dǎo)率;Bsat為鐵芯飽和磁感應(yīng)強(qiáng)度。
圖7給出了電流互感器接額定負(fù)載時(shí)變比k(輸出電流與輸入電流之比)的頻譜特性(未考慮二次電纜)。
圖7 變比的頻譜特性Fig.7 Spectrum characteristic of k
從圖7中可以看出,電流互感器變比的幅頻特性呈現(xiàn)非線性;僅在工頻附近電流互感器變比幅值為0,即折算至一次側(cè)后變比幅值為1;當(dāng)頻率高于500 Hz時(shí),變比幅值均小于0,表明電流互感器會(huì)對(duì)該頻率范圍內(nèi)的各次電流分量進(jìn)行衰減。
二次信號(hào)電纜采用分布參數(shù)模型,由傳輸線理論可知:
其中,ch()為雙曲余弦函數(shù);sh()為雙曲正弦函數(shù);U2、I2分別為電纜終端電壓、電流相量;U、I分別為距終端距離x處的電壓、電流相量;γ、Zc分別為傳輸線的傳播常數(shù)、特性阻抗。
電纜末端相對(duì)首端電流幅值的衰減率為:
其中,I1為電纜首端電流相量;Z2為電纜終端負(fù)載阻抗;l為電纜長(zhǎng)度。
以型號(hào)為KVVP22的信號(hào)電纜為例,取額定負(fù)載,將參數(shù) Z2、Zc、γ、l代入式(6),計(jì)算得到各次諧波電流衰減率與電纜長(zhǎng)度之間的關(guān)系如圖8所示。
圖8 電纜長(zhǎng)度對(duì)電流衰減率的影響Fig.8 Influence of cable length on attenuation rate
由圖8可知,電纜長(zhǎng)度在0~200 m范圍內(nèi)時(shí),電纜長(zhǎng)度越長(zhǎng),各次諧波電流幅值衰減得越嚴(yán)重。
將二次電纜及其終端負(fù)載整體接入電流互感器二次側(cè),圖9給出了不同負(fù)載率下電流互感器變比的頻譜特性。
圖9 不同負(fù)載率下變比的頻譜特性Fig.9 Spectrum characteristics of k under different load rates
圖9包含了負(fù)載率在0~1.5范圍內(nèi)等間距取值時(shí)的10條曲線,可以看出這些曲線基本重合,表明負(fù)載率對(duì)電流互感器變比頻譜特性的影響很小。
圖10給出不同電纜長(zhǎng)度下電流互感器變比的頻譜特性。
圖10 不同電纜長(zhǎng)度下變比的頻譜特性Fig.10 Spectrum characteristics of k under different cable lengths
由圖10可知,電纜長(zhǎng)度主要對(duì)頻率高于50 kHz的電流互感器變比頻譜特性產(chǎn)生影響,從而對(duì)二次回路高頻電流傳導(dǎo)干擾特性產(chǎn)生影響。
本文基于所建立的寬頻等效電路,進(jìn)行了扎魯特—青州±800 kV特高壓直流輸電工程在雙極運(yùn)行、單極大地返回、單極金屬返回3種運(yùn)行方式全壓和降壓70%下,一次回路的傳導(dǎo)電磁干擾特性的仿真計(jì)算。圖11為雙極全壓運(yùn)行時(shí)換流閥電流頻譜特性。表1給出了不同運(yùn)行方式下?lián)Q流閥的傳導(dǎo)電磁干擾水平。
圖11 換流閥電流頻譜特性Fig.11 Current spectrum characteristic of converter valve
表1 不同運(yùn)行方式下的換流閥電磁干擾特性Table 1 Electromagnetic interference of converter valve under different operation modes
由圖11可知,總體而言,換流閥的傳導(dǎo)電磁干擾水平隨著頻率的增大而逐漸降低,在1 kHz~1 MHz范圍內(nèi)衰減速率較大,在20 kHz~0.5 MHz范圍內(nèi),傳導(dǎo)電磁干擾水平由 130.5 dBμA 下降為 80.8 dBμA。
由表1可知,雙極運(yùn)行、單極大地返回、單極金屬返回3種運(yùn)行方式下,隨著直流電壓降低,傳導(dǎo)電磁干擾水平變大,尤其是頻率在20 kHz以上時(shí)變化更加明顯。這主要是因?yàn)樵诖笥|發(fā)角下運(yùn)行時(shí),存在濾波器和換流變壓器的諧波負(fù)荷和損耗較大,換流閥承受的電壓應(yīng)力較大,其阻尼回路的損耗增加等一系列運(yùn)行性能惡化的問(wèn)題,引起交流側(cè)和直流側(cè)的諧波分量增加,傳導(dǎo)電磁干擾水平增大。因此在進(jìn)行換流站內(nèi)設(shè)備抗擾度設(shè)計(jì)時(shí),應(yīng)該考慮大觸發(fā)角的情況。雙極運(yùn)行工況下的傳導(dǎo)電磁干擾水平大于單極運(yùn)行工況下的水平;在低于80 kHz頻率范圍內(nèi),單極金屬返回方式下的傳導(dǎo)電磁干擾水平大于單極大地返回方式下的水平;而在80~500 kHz范圍內(nèi)單極大地返回方式下的傳導(dǎo)電磁干擾水平大于單極金屬返回方式下的水平。
特高壓直流換流站的二次設(shè)備包括站控、閥控、晶閘管觸發(fā)、在線監(jiān)測(cè)系統(tǒng)、直流監(jiān)測(cè)系統(tǒng)、交流保護(hù)、直流保護(hù)等主要設(shè)備。對(duì)于干擾途徑而言,一方面,干擾通過(guò)電壓互感器或電流互感器以傳導(dǎo)的形式對(duì)二次設(shè)備產(chǎn)生干擾;另一方面,空間產(chǎn)生強(qiáng)瞬態(tài)電磁場(chǎng),并通過(guò)電磁輻射耦合對(duì)保護(hù)和控制電纜終端產(chǎn)生干擾。
二次設(shè)備端口主要包括以下2個(gè)端口。
a.外殼端口:設(shè)備的物理邊界。電磁場(chǎng)通過(guò)這個(gè)邊界可以向外輻射或進(jìn)入設(shè)備。
b.電纜端口:導(dǎo)線或電纜與設(shè)備相連接的端口,包括電源端口、信號(hào)端口和功能接地端口。電源端口是為設(shè)備供電或由設(shè)備向外供電的端口,包括電源輸入與電源輸出。信號(hào)端口是用于本地連接、現(xiàn)場(chǎng)連接以及連接至高壓設(shè)備或通信設(shè)備的端口。功能接地端口不同于信號(hào)端口、控制端口和電源端口,其與接地系統(tǒng)連接,但不作為電氣安全用的電纜端口。
基于所建立的特高壓直流換流站一次回路、電流互感器和二次電纜的寬頻等效電路,通過(guò)仿真得到雙極全壓運(yùn)行時(shí)二次信號(hào)端口電流幅頻特性如圖12所示。圖13給出了雙極全壓、雙極降壓70%、單極大地返回全壓、單極大地返回降壓70%運(yùn)行工況下二次信號(hào)端口處傳導(dǎo)電磁干擾水平的對(duì)比。
圖12 雙極全壓方式下二次信號(hào)端口處電流頻譜特性Fig.12 Current spectrum characteristic at secondary signal port under bipolar full voltage operation mode
圖13 不同運(yùn)行方式下二次信號(hào)端口處電流頻譜特性Fig.13 Current spectrum characteristic at secondary signal port under different operation modes
由圖12可知,當(dāng)扎魯特—青州±800 kV特高壓直流換流站一次回路經(jīng)電流互感器、二次電纜穩(wěn)態(tài)傳導(dǎo)電磁干擾至二次信號(hào)端口時(shí),傳導(dǎo)電磁干擾水平隨頻率的增大而減小。圖13表明,雙極運(yùn)行工況下的二次信號(hào)端口處傳導(dǎo)電磁干擾水平高于單極運(yùn)行時(shí)的水平,降壓運(yùn)行時(shí)的傳導(dǎo)電磁干擾水平高于全壓運(yùn)行時(shí)的水平。
由式(6)的計(jì)算推導(dǎo)分析可知,隨著電纜長(zhǎng)度的增加,二次信號(hào)端口處的傳導(dǎo)電磁干擾水平基本不變。同時(shí)根據(jù)前文的分析可知,負(fù)載率對(duì)二次信號(hào)端口處的傳導(dǎo)電磁干擾水平基本沒(méi)有影響。
本文通過(guò)建立包含一二次設(shè)備在內(nèi)的扎魯特—青州特高壓直流工程換流站整體寬頻等效電路,進(jìn)行了二次設(shè)備回路穩(wěn)態(tài)傳導(dǎo)電磁干擾特性的研究,分析了二次信號(hào)電纜長(zhǎng)度、負(fù)載率等對(duì)二次設(shè)備回路傳導(dǎo)電磁干擾的影響規(guī)律,得到的主要結(jié)論如下。
a.一次設(shè)備回路傳導(dǎo)電磁干擾特性分析表明:換流閥的傳導(dǎo)電磁干擾水平在20 kHz~0.5 MHz范圍內(nèi)時(shí)由 130.5 dBμA 下降為 80.8 dBμA;大觸發(fā)角運(yùn)行時(shí)的傳導(dǎo)電磁干擾水平較大,雙極運(yùn)行時(shí)的傳導(dǎo)電磁干擾水平高于單極運(yùn)行時(shí)的水平。
b.二次設(shè)備回路中,隨著電纜長(zhǎng)度的增加,二次信號(hào)端口處的傳導(dǎo)電磁干擾水平基本不變,且負(fù)載率對(duì)二次信號(hào)端口處的傳導(dǎo)電磁干擾水平基本沒(méi)有影響。
參考文獻(xiàn):
[1]趙騰,張焰,葉冠豪,等.多回特高壓直流分層饋入模式下交直流混聯(lián)系統(tǒng)的穩(wěn)態(tài)特性分析[J].電力自動(dòng)化設(shè)備,2016,36(8):157-164.ZHAO Teng,ZHANG Yan,YE Guanhao,etal.Steady-state characteristics analysis for AC-DC hybrid system in hierarchicalinfeed mode of multi-loop UHVDC[J].Electric Power Automation Equipment,2016,36(8):157-164.
[2]田書(shū)欣,程浩忠,常浩,等.特高壓電網(wǎng)社會(huì)效益分析及評(píng)價(jià)方法[J].電力自動(dòng)化設(shè)備,2015,35(2):145-153.TIAN Shuxin,CHENG Haozhong,CHANG Hao,et al.Analysis and evaluation of social benefit from UHV power grid[J].Electric Power Automation Equipment,2015,35(2):145-153.
[3]徐箭,張華坤,孫濤,等.多饋入直流系統(tǒng)的特高壓直流接入方式優(yōu)選方法[J].電力自動(dòng)化設(shè)備,2015,35(6):58-63.XU Jian,ZHANG Huakun,SUN Tao,et al.Optimal selection of UHVDC connection mode to multi-infeed HVDC system[J].Electric Power Automation Equipment,2015,35(6):58-63.
[4]趙志斌,崔翔,王琦.換流站閥廳電磁騷擾強(qiáng)度的計(jì)算分析[J].高電壓技術(shù),2010,36(3):643-648.ZHAO Zhibin,CUI Xiang,WANG Qi.Analysis of electromagnetic disturbance from valve hall in convert station[J].High Voltage Engineering,2010,36(3):643-648.
[5]余占清,何金良,曾嶸,等.高壓換流站的主要電磁騷擾源特性[J].高電壓技術(shù),2008,34(5):898-902.YU Zhanqing,HE Jinliang,ZENG Rong,et al.Characteristics of major EMD sources in HVDC converter stations[J].High Voltage Engineering,2008,34(5):898-902.
[6]孫海峰,崔翔,齊磊,等.高壓直流換流閥過(guò)電壓分布及其影響因素分析[J].中國(guó)電機(jī)工程學(xué)報(bào),2010,30(22):120-126.SUN Haifeng,CUI Xiang,QI Lei,et al.Overvoltage distribution in HVDC converter valves and analysis of influencing factors[J].Proceedings of the CSEE,2010,30(22):120-126.
[7]王琦,劉磊,崔翔.HVDC換流站二次系統(tǒng)暫態(tài)電磁騷擾的測(cè)量與計(jì)算[J].南方電網(wǎng)技術(shù),2008,2(3):22-25.WANG Qi,LIU Lei,CUI Xiang.Measurement and calculation of the transient electro-magnetic disturbances of secondary system in HVDC converter station[J].Southern Power System Technology,2008,2(3):22-25.
[8]鄧軍,肖遙,楚金偉,等.±800 kV云廣特高壓直流線路合成電場(chǎng)仿真計(jì)算與測(cè)試分析[J].電力自動(dòng)化設(shè)備,2015,35(2):138-144.DENG Jun,XIAO Yao,CHU Jinwei,et al.Simulative calculation and measurement analysis of total electric field for±800 kV Yunnan-Guangzhou UHVDC transmission lines[J].Electric Power Automation Equipment,2015,35(2):138-144.
[9]中國(guó)國(guó)家發(fā)改委.±800 kV特高壓直流換流站二次設(shè)備抗擾度要求:DLT 1087—2008[S].北京:中國(guó)電力出版社,2008.
[10]余占清,何金良,張波,等.高壓直流換流站中換流閥傳導(dǎo)騷擾時(shí)域仿真分析[J].中國(guó)電機(jī)工程學(xué)報(bào),2009,29(10):17-23.YU Zhanqing,HE Jinliang,ZHANG Bo,etal.Time-domain simulationofconductedEMD causedby HVDC valvesin substations[J].Proceedings of the CSEE,2009,29(10):17-23.
[11]孫海峰,崔翔,齊磊,等.高壓直流換流閥器件高頻建模[J].電工技術(shù)學(xué)報(bào),2009,24(11):142-148.SUN Haifeng,CUI Xiang,QI Lei,et al.High-frequency modeling of valve components in high voltage direct current converter stations[J].Transactions of China Electrotechnical Society,2009,24(11):142-148.
[12]鞏學(xué)海,何金良.變電所二次系統(tǒng)電磁兼容抗擾度指標(biāo)分析[J].高電壓技術(shù),2008,34(11):2412-2416.GONG Xuehai,HE Jinliang.Analysis on electromagnetic compatibility immunity indexes for secondary systems of substation[J].High Voltage Engineering,2008,34(11):2412-2416.
[13]林立鵬,陳炳堂.變電站二次設(shè)備抗干擾措施[J].廣東電力,2005,18(1):68-70.LIN Lipeng,CHEN Bingtang.Anti-interference measuresfor secondary equipments in substations[J].Guangdong Electric Power,2005,18(1):68-70.