李祥超，馬驍騏

（南京信息工程大學(xué)氣象災(zāi)害預(yù)報(bào)預(yù)警與評(píng)估協(xié)同創(chuàng)新中心，南京210044）

0 引言

ZnO壓敏電阻作為電涌保護(hù)器的關(guān)鍵元件在限制電力系統(tǒng)過(guò)電壓方面有著不可取代的作用，能直接決定電力系統(tǒng)的過(guò)電壓水平和設(shè)備的絕緣程度。但在長(zhǎng)期工作電壓作用或短時(shí)沖擊電流作用時(shí)，其電氣性能不可避免的會(huì)產(chǎn)生老化劣化甚至失效現(xiàn)象[1]。為了避免ZnO壓敏電阻因其老化劣化導(dǎo)致對(duì)電力系統(tǒng)長(zhǎng)時(shí)間、穩(wěn)定、安全運(yùn)行的影響，研究其性能以及在長(zhǎng)期直流電壓作用下的老化劣化機(jī)理極為重要[2-3]。尤其在風(fēng)力發(fā)電方面，由于風(fēng)力發(fā)電機(jī)的外形巨大，更容易成為雷擊的目標(biāo)。除雷電的熱效應(yīng)導(dǎo)致風(fēng)機(jī)葉片爆裂外，風(fēng)機(jī)的長(zhǎng)期工作也會(huì)對(duì)內(nèi)部機(jī)輪造成損害，因此電涌保護(hù)器的選擇和安裝也極為重要，ZnO壓敏電阻老化劣化的研究分析則顯得更為關(guān)鍵。在研究中進(jìn)一步得到ZnO壓敏電阻分別在單一直流電壓，正、反向直流電壓下的壓敏電壓、漏電流和分布電容隨時(shí)間和電壓的變化規(guī)律，驗(yàn)證ZnO壓敏電阻的極性效應(yīng)。

從20世紀(jì)70年代開(kāi)始，就有很多學(xué)者針對(duì)ZnO壓敏電阻的蛻變機(jī)理展開(kāi)了大量的研究。目前國(guó)內(nèi)外對(duì)此還沒(méi)有比較一致的結(jié)論。普遍認(rèn)為ZnO壓敏電阻的老化失效是電流長(zhǎng)時(shí)間作用的老化積累，長(zhǎng)期的直流電壓及多次的電流沖擊都會(huì)使肖特基勢(shì)壘發(fā)生畸變，致使壓敏電阻非線性下降，從而引起其老化劣化現(xiàn)象的發(fā)生[4-5]。伊桂來(lái)等在《ZnO壓敏陶瓷沖擊老化的電子陷阱過(guò)程研究》一文中得出在沖擊電流作用下壓敏電阻非線性系數(shù)的變化規(guī)律；宋曉蘭在《ZnO壓敏陶瓷中的次晶界、主晶界及其對(duì)電性能的作用》一文中研究發(fā)現(xiàn)，壓敏電阻的非線性特性與其結(jié)構(gòu)、熱處理和燒結(jié)程度有著重要的關(guān)系；Eda，Matsuoka在文章《Thermally stimulated current in nonohmic ZnO ce?ramics》中提出老化的樣品會(huì)產(chǎn)生熱刺激電流，可能與離子遷移有關(guān)的結(jié)論[6-8]。到目前為止，以上學(xué)者對(duì)沖擊電流下的壓敏電阻老化劣化做了很好的研究，但對(duì)直流電壓作用下老化劣化的分析研究甚少。

通過(guò)長(zhǎng)時(shí)間直流電壓對(duì)ZnO壓敏電阻作用的方法對(duì)其老化劣化的問(wèn)題進(jìn)行試驗(yàn)，發(fā)現(xiàn)ZnO壓敏電阻隨時(shí)間和電流大小產(chǎn)生老化劣化的現(xiàn)象，得出壓敏電壓、漏電流和分布電容在老化過(guò)程中的規(guī)律，并得出在正反向電壓作用下的壓敏電阻發(fā)生極性效應(yīng)的結(jié)論，這在ZnO壓敏電阻的實(shí)際應(yīng)用中有一定的使用價(jià)值。

1 ZnO壓敏電阻劣化、老化的理論分析

ZnO晶粒吸收能量的水平與它的熱容量密切相關(guān)，電流流過(guò)ZnO壓敏電阻時(shí)主要集中在晶界層發(fā)熱。晶粒尺寸越大，大小越均勻，其吸收能量的水平就越大。當(dāng)ZnO晶粒大小不均勻時(shí)，電流流過(guò)壓敏電阻時(shí)其內(nèi)部單位厚度壓敏電壓（U1mA/mm）分布也不均勻，主要從大晶粒流過(guò)，這便導(dǎo)致電流局部集中。因?yàn)閆nO壓敏電阻的非線性特性非常明顯，所以這種影響十分顯著。晶界中的電子陷阱能夠截取ZnO晶粒的自由載流子，從而在空間中形成負(fù)電荷層，使晶界兩側(cè)的ZnO晶粒導(dǎo)帶向上彎曲，形成晶界勢(shì)壘[9]。一般地，這種勢(shì)壘可看作背靠背的雙肖特基勢(shì)壘。

ZnO壓敏電阻電流密度和電場(chǎng)強(qiáng)度的電流—電壓特性可以分為三個(gè)區(qū)段，且在不同的電流區(qū)域顯示完全不同的溫度特性。當(dāng)電壓值小于擊穿電壓時(shí)，壓敏電阻類似于絕緣體；而當(dāng)電壓值比擊穿電壓大時(shí)，壓敏電阻就成為導(dǎo)體。根據(jù)ZnO壓敏電阻的晶界勢(shì)壘能帶模型，當(dāng)外施電壓作用時(shí)，晶界勢(shì)壘能帶發(fā)生傾斜現(xiàn)象，左側(cè)勢(shì)壘受到正向偏壓的作用，而右側(cè)勢(shì)壘則受到反向偏壓的作用。類似于p-n結(jié)的性質(zhì)[10]，外施電場(chǎng)的方向與左側(cè)勢(shì)壘中電場(chǎng)的方向相反，因而勢(shì)壘中電場(chǎng)被削弱，勢(shì)壘高度降低；而對(duì)于右側(cè)勢(shì)壘，外施電場(chǎng)的方向與勢(shì)壘中電場(chǎng)的方向相同，從而加強(qiáng)了勢(shì)壘中的電場(chǎng)，勢(shì)壘高度升高。因此，導(dǎo)電過(guò)程被阻擋的主要原因就是右側(cè)勢(shì)壘高度的升高，ZnO壓敏電阻的導(dǎo)電過(guò)程主要由反偏勢(shì)壘決定。

在小電流區(qū)，當(dāng)電流流過(guò)ZnO壓敏電阻時(shí)，由于外施電壓低于壓敏電壓，漏電流主要是由越過(guò)肖特基勢(shì)壘的熱電子產(chǎn)生的電流，溫度越高，越過(guò)勢(shì)壘的電子數(shù)量越多，相應(yīng)的電流按指數(shù)規(guī)律增加，表現(xiàn)出電阻溫度系數(shù)為負(fù)值。實(shí)驗(yàn)表明，的關(guān)系曲線是一條直線。其導(dǎo)電過(guò)程可用肖特基勢(shì)壘的熱電子發(fā)射定律來(lái)表達(dá)，電流密度為[11]

式中：J0、β為常數(shù)；?B為晶界勢(shì)壘高度，mm；E為電場(chǎng)強(qiáng)度；k為玻爾茲曼常數(shù)；T為絕對(duì)溫度。

在中電流區(qū)，外施電壓高于壓敏電壓，電壓—電流特性可以用電子穿越反偏勢(shì)壘的隧道效應(yīng)來(lái)解釋，導(dǎo)電過(guò)程主要由穿越勢(shì)壘的隧道電流產(chǎn)生，由于溫度對(duì)隧道電流幾乎沒(méi)有影響，故電阻隨溫度變化很小。電流與溫度的關(guān)系只是由于進(jìn)入勢(shì)壘的電子數(shù)目和勢(shì)壘高度隨溫度的變化而造成的，這些因素給電阻帶來(lái)小的負(fù)溫度系數(shù)[12]。在大電流區(qū)，ZnO晶粒的固有電阻主要決定了其電壓—電流特性的趨勢(shì)，由于晶粒電阻是線性的，電壓與電流成正比關(guān)系，從而導(dǎo)致該特性出現(xiàn)回升現(xiàn)象[13]。根據(jù)實(shí)驗(yàn)測(cè)量，在大電流區(qū)，α接近1，這意味著ZnO晶粒中的束縛勢(shì)壘實(shí)際上被短路掉，載流子全部參加導(dǎo)電，因此雜質(zhì)和點(diǎn)陣離子熱振動(dòng)對(duì)載流子的散射作用成為有效導(dǎo)電的阻礙因素，使電阻隨著溫度升高而增加。

根據(jù)式（1）可以看出，泄漏電流與外施電壓、勢(shì)壘高度和溫度有關(guān)。當(dāng)外施電壓和溫度一定時(shí)，勢(shì)壘高度的降低會(huì)導(dǎo)致泄漏電流增大。依據(jù)老化前后不同溫度下的電壓—電流特性，可以認(rèn)為，壓敏電阻漏電流在老化后增大，完全是由于肖特基勢(shì)壘高度降低造成的，且其增大的程度取決于勢(shì)壘高度降低的程度。

ZnO壓敏電阻的介電特性不僅表明電容和介電損耗角正切（tanδ）隨溫度、頻率等因素的變化規(guī)律，并且通過(guò)極化機(jī)構(gòu)的討論，可以揭示ZnO壓敏電阻的顯微結(jié)構(gòu)。

根據(jù)等值電路，電容C和介電損耗角正切tanδ可表示為[14-15]

式中：d為晶粒尺寸，mm；H為電阻片厚度，mm；εo為真空介電常數(shù)；εr為ZnO的相對(duì)介電常數(shù)；L為耗盡層厚度，mm；K為由材料決定的常數(shù)；A為電極面積，mm2；U1mA為壓敏電壓。

2 試驗(yàn)數(shù)據(jù)分析

2.1 試驗(yàn)方案

在34S621KA壓敏電阻兩端分別施加10 mA、25 mA和42 mA電流作用10、15、20、25、30 min，通電結(jié)束將壓敏電阻放置冷卻至室溫后測(cè)量其壓敏電壓、漏電流和分布電容并記錄；同理，在32R621KA兩端分別施加10 mA、20 mA和30 mA電流，冷卻至室溫后測(cè)量數(shù)據(jù)并記錄。注意每次通電時(shí)使壓敏電阻都保持在單一正極性直流電壓作用下。將32R621KB和34S621KB壓敏電阻進(jìn)行兩端施加正、負(fù)極性交替作用的試驗(yàn)，試驗(yàn)步驟同上。其試驗(yàn)結(jié)構(gòu)見(jiàn)圖1。

采用熱穩(wěn)定測(cè)試儀作為直流高壓源。熱穩(wěn)定測(cè)試儀一般用于對(duì)低壓SPD、壓敏電阻等防雷保護(hù)器產(chǎn)品的熱穩(wěn)定脫扣能力進(jìn)行測(cè)試，可穩(wěn)定輸出電流。在其中加入一個(gè)10 kV的限流電阻R，使電流輸出更穩(wěn)定，電阻Rc則是我們?cè)囼?yàn)的樣品ZnO壓敏電阻。

圖1 直流電壓作用壓敏電阻試驗(yàn)示意圖Fig.1 Schematic diagram of varistor test under DC voltage

2.2 試驗(yàn)樣品參數(shù)

選擇同一廠家生產(chǎn)的不同型號(hào)的ZnO壓敏電阻產(chǎn)品，試品型號(hào)為34S621K和32R621K兩種，分別選擇兩片各參數(shù)均不相同的壓敏電阻，編號(hào)34S621KA、B和32R621KA、B，測(cè)試靜態(tài)參數(shù)的儀器為多功能SPD靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀K-3192，其各參數(shù)見(jiàn)表1。

表1 ZnO壓敏電阻各型號(hào)參數(shù)Table 1 Parameters of various types of ZnO varistors

表1中，壓敏電壓U1mA為壓敏電阻通過(guò)1mA直流電流時(shí)其兩端的電壓；漏電流IL為在0.75U1mA的低電壓作用下，壓敏電阻中流過(guò)的電流。從表1中可看出，兩組壓敏電壓在通電作用之前，正、負(fù)極性電壓幅值差值在5 V以內(nèi)，伏安特性基本相同。這是因?yàn)樵谠囼?yàn)之前，樣品沒(méi)有經(jīng)過(guò)外施電壓的作用，壓敏電阻內(nèi)部晶粒結(jié)構(gòu)分布均勻，肖特基勢(shì)壘左右兩邊高度對(duì)稱。因此正、負(fù)向極性電壓測(cè)量值幾乎一致，此時(shí)壓敏電阻不存在極性效應(yīng)。

2.3 試驗(yàn)數(shù)據(jù)分析

圖2、圖3是34S621KA壓敏電阻老化后其正、負(fù)極性壓敏電壓、漏電流與時(shí)間和電流的規(guī)律變化圖，表2、表3是32R621KA老化后各參數(shù)數(shù)據(jù)。由圖表可以看出，在正極性電流作用下，隨著時(shí)間的加長(zhǎng)和電流的加大，壓敏電阻出現(xiàn)老化現(xiàn)象，且老化程度愈來(lái)愈嚴(yán)重，壓敏電阻的壓敏電壓呈現(xiàn)平穩(wěn)的增長(zhǎng)趨勢(shì)，在某一時(shí)刻迅速下降；漏電流則一直呈增長(zhǎng)趨勢(shì)，并在30 mA時(shí)快速上升；其次，從整體來(lái)看，正向漏電流變化比負(fù)向變化大，且在大電流長(zhǎng)時(shí)間下表現(xiàn)明顯。

由圖表所示，單一正極性直流作用時(shí)，正向壓敏電壓變化幅度均小于負(fù)向電壓變化，且在作用后出現(xiàn)明顯的極性效應(yīng)。在老化初始階段，正、負(fù)極性壓敏電壓均有上升，正向電壓與原始參數(shù)差值大約有10 V，而負(fù)向電壓則相差有30 V左右。當(dāng)電流在20 mA時(shí)，電壓上升幅度變小，通電200 min之后出現(xiàn)下降趨勢(shì)。這表明在一定電流強(qiáng)度范圍內(nèi)，壓敏電壓伏安特性的極性效應(yīng)及其老化程度均隨電流的增加而增大，但表現(xiàn)出增加逐漸減慢的趨勢(shì)，并在達(dá)到最大時(shí)銳減。

圖2 樣品34S621KA時(shí)間與壓敏電壓關(guān)系Fig.2 Relationship between 34S621KA time and varistor voltage

圖3 樣品34S621KA時(shí)間與漏電流變化規(guī)律Fig.3 Variation law of 34S621KA time and leakage current

表2 樣品32R621KA老化后壓敏電壓參數(shù)Table 2 Sample 32R621KA pressure sensitive voltage parameters after aging

從漏電流的變化規(guī)律來(lái)看，小電流（10 mA以下）、短時(shí)間（100 min以內(nèi)）都不會(huì)加重壓敏電阻的老化劣化，這是因?yàn)樵诶匣捌?，壓敏電阻吸收的能量很少，表面溫度不高，?nèi)部晶界層晶界結(jié)構(gòu)只能發(fā)生微小的變化，離子遷移不夠活躍，在電阻片冷卻至室溫的過(guò)程中，晶界結(jié)構(gòu)得以復(fù)原，使漏電流恢復(fù)到原來(lái)的參數(shù)。而老化后期（20 mA以上、120 min以上）壓敏電阻吸收了大量的能量，內(nèi)部積聚較高的溫度，使晶界層中的離子活動(dòng)更加活躍。由式（1），漏電流與肖特基勢(shì)壘高度、外施電壓及溫度有關(guān)。當(dāng)外施電壓和溫度增加時(shí)，離子變得活躍，離子遷移會(huì)導(dǎo)致勢(shì)壘高度的降低；當(dāng)外施電壓和溫度一定時(shí)，勢(shì)壘高度降低將導(dǎo)致漏電流的增大。長(zhǎng)時(shí)間的大電流作用使壓敏電阻結(jié)構(gòu)發(fā)生改變，即使其恢復(fù)至室溫也無(wú)法使肖特基勢(shì)壘恢復(fù)至原來(lái)的高度，因此在老化后期漏電流明顯增大。

圖4至圖5是34S621KB壓敏電阻老化后其正負(fù)極性壓敏電壓、漏電流與時(shí)間和電流的規(guī)律變化圖。表4至表5是32R621KB壓敏電阻老化后各參數(shù)數(shù)據(jù)。由圖表可以看到，正、負(fù)極性通電老化后各參數(shù)變化與單一正極性通電的壓敏電阻樣品A老化規(guī)律類似，但程度明顯小得多。此外，大于一定電流和時(shí)間后，試樣的極性效應(yīng)趨于消失。

在電流30 mA，時(shí)間30min時(shí)，單一正極性老化的34S621KA正向壓敏電壓較老化前大約降低了30 V，而正、負(fù)極性交替作用老化的樣品B只降低了大約10 V，這說(shuō)明正、負(fù)極性電壓先后作用于同一類型產(chǎn)品，可以使伏安特性極性效應(yīng)減小。由表中可以看出，在老化后期電壓到達(dá)最大值后，其電壓下降趨勢(shì)與直流方向有關(guān)。這說(shuō)明正負(fù)極性交替作用后壓敏電阻雖已發(fā)生老化現(xiàn)象，但其伏安特性明顯變化的要小，極性效應(yīng)也逐漸減小。

圖4 樣品34S621KB時(shí)間與壓敏電壓關(guān)系Fig.4 Relationship between 34S621KB time and varistor voltage

圖5 樣品34S621KB時(shí)間與漏電流變化規(guī)律Fig.5 variation law of 34S621KB time and leakage current

表4 樣品32R621KB老化后壓敏電壓參數(shù)Table 4 Sample 32R621KB varistor voltage parameters after aging

表5 樣品32R621KB老化后漏電流參數(shù)Table 5 The leakage current parameters of sample 32R621KB after aging

從漏電流的變化圖表可以看出，老化前期其變化幅度基本在1 mA以內(nèi)，后期則呈曲折式上升，通電100 min以后，漏電流有小幅度明顯的升高，但還是與通電方向有關(guān)。由于正、負(fù)極性電流交替作用時(shí)，ZnO壓敏電阻晶界層內(nèi)離子左右遷移使得最終位置幾乎不變，在這種情況下肖特基勢(shì)壘高度幾乎沒(méi)有降低，因而如圖5所示，其漏電流增大的并不明顯，即其老化現(xiàn)象發(fā)生的要比單一正極性作用時(shí)發(fā)生的要緩慢許多。

圖6至圖9分別為壓敏電阻34S621KA、B和32R621KA、B老化后其正負(fù)極性分布電容與時(shí)間和電流的規(guī)律變化圖（正向測(cè)量/負(fù)向測(cè)量）。

圖6 樣品34S621KA時(shí)間與分布電容變化規(guī)律Fig.6 Variation law of 34S621KA time and distributed capacitance

圖7 樣品34S621KB時(shí)間與分布電容變化規(guī)律Fig.7 Variation law of 34S621KB time and distributed capacitance

圖8 樣品32R621KA時(shí)間與分布電容變化規(guī)律Fig.8 Variation law of 32R621KA time and distributed capacitance

采用的壓敏電阻結(jié)構(gòu)均為中部為厚度4～5 mm的ZnO，兩邊是比周圍略為縮小的銅質(zhì)電極片，因此壓敏電阻本身就是一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的電容器。樣品34S621K和32R621K老化前后的分布電容均是在1kHz頻率下測(cè)試的，其容量很小，只有nF級(jí)，這種特性對(duì)高頻信號(hào)很敏感。因此，在此次直流作用線路中，壓敏電阻的分布電容變化并不明顯，僅僅因?yàn)闇囟壬?，電阻片?nèi)部結(jié)構(gòu)發(fā)生變化導(dǎo)致比老化前數(shù)值略微下降。

圖9 樣品32R621KB時(shí)間與分布電容變化規(guī)律Fig.9 Variation law of 32R621KB time and distributed capacitance

4 結(jié)論

ZnO壓敏電阻在直流作用下發(fā)生老化劣化現(xiàn)象，其內(nèi)部結(jié)構(gòu)和外部宏觀參數(shù)都會(huì)發(fā)生變化，而內(nèi)部結(jié)構(gòu)的改變將直接導(dǎo)致其電氣性能參數(shù)的改變。通過(guò)試驗(yàn)可以得出以下結(jié)論。

1）ZnO壓敏電阻老化前，其內(nèi)部晶界結(jié)構(gòu)完整沒(méi)有變化，晶界兩側(cè)肖特基勢(shì)壘高度對(duì)稱，其正、負(fù)極性伏安特性曲線幾乎相同，沒(méi)有產(chǎn)生極性效應(yīng)，正、負(fù)極性的壓敏電壓差值不超過(guò)5 V，漏電流幾乎相等。

2）在單一正極性直流作用下，ZnO壓敏電阻發(fā)生老化現(xiàn)象，隨著時(shí)間和電流的增加，其老化程度愈發(fā)加重，極性效應(yīng)也隨之出現(xiàn)，壓敏電壓和漏電流均出現(xiàn)不同程度的變化，且正極性老化程度大于負(fù)極性老化。

3）在正、負(fù)極性直流交替作用下，ZnO壓敏電阻老化時(shí)間推遲，老化程度減小，壓敏電壓和漏電流變化趨勢(shì)較單一正極性趨勢(shì)減弱，且極性效應(yīng)趨于消失。

4）在直流作用下，ZnO壓敏電阻的分布電容變化平緩，除與老化前數(shù)值相比有些許減小外，并無(wú)巨大波動(dòng)。

參考文獻(xiàn)：

[1]李祥超，陳則煌，周中山，徐樂(lè)，陳璞陽(yáng).限壓型電涌保護(hù)器在不同條件下劣化性能的分析[J].電器與能效管理技術(shù)，2014（14）:12-17+61.LI Xiang-chao，CHEN Ze-huang，ZHOU Zhong-shan，XU Le，CHEN Pu-yang.Analysis on aging and deteriora?tion of voltage limiting type surge protective device[J].Electrical&Energy Management Technology.2014（14）:12-17+61.

[2]張謙，柴健.ZnO壓敏電阻沖擊電流作用下滯后時(shí)間的特性分析[J].電瓷避雷器，2014（2）:48-51.ZHANG Qian，CHAI Jian.Analysis of the lagging time characteristics of ZnO varistor under application of im?pulse current[J].Insulators and Surge Arresters，2014（2）:48-51.

[3]王玉平，成鵬飛.直流ZnO電阻片的研究[J].電瓷避雷器，2010（4）：34-37.WANG Yuping，CHENG Pengfei.Study on D.C.Zn O Va?ristors[J].Insulators and Surge Arresters，2010（4）:34-37.

[4]何金良，劉俊，胡軍，龍望成.電力系統(tǒng)避雷器用ZnO壓敏電阻研究進(jìn)展[J].高電壓技術(shù)，2011（3）:634-643.HE Jinliang，LIU Jun，HU Jun，LONG Wangcheng.Devel?opment of Zn0 varistors in metal oxide arrestors utilized in ultra high voltage systems[J].High Voltage Engineering，2011（3）:634-643.

[5]張適昌，嚴(yán)萍，王玨，袁偉群，任成燕，邵濤.浪涌保護(hù)器SPD保護(hù)的不確定性[J].高電壓技術(shù)，2009（1）:114-119.ZHANGShichang，YANPing，WANGJue，YUAN Weiqun，REN Chengyan，SHAO Tao.Indeterminateness of protection against lighting strike using surge protection de?vices[J].High Voltage Engineering，2009（1）:114-119.

[6]伊桂來(lái)，李建英，堯廣，成鵬飛，李盛濤.ZnO壓敏陶瓷沖擊老化的電子陷阱過(guò)程研究[J].物理學(xué)報(bào)，2010，59（9）：6345-6350.YI Guilai，LI Jianying，YAO Guang，CHENG Pengfei，LI Shengtao.Research on electronic process of impulse degra?dationofZnO-basedceramics[J].ActaPhysicaSinica.2010，59（9）:6345-6350.

[7]宋曉蘭.ZnO壓敏陶瓷中的次晶界、主晶界及其對(duì)電性能的作用[D].西安:西安交通大學(xué)，1993.

[8]EDA K，MATSUOKA M.Thermally stimulated current in nonohmic ZnO ceramics[J].Japanese Journal of Applied Physics.1977，16（11）:195-196.

[9]邢曉東，謝道華，胡明.壓敏電阻陶瓷材料的研究進(jìn)展[J].電子元件與材料.2008，27（4）：20-23.XING Xiaodong，XIE Daohua，HU Ming.A Survey on the Varistor Ceramics[J].Electronic Components$Materi?als.2008，27（4）:20-23.

[10]李祥超，朱若虛，周中山，李鵬飛.暫態(tài)抑制二極管在雷電阻尼振蕩波沖擊下的性能分析[J].電瓷避雷器，2016（3）:132-136.LI Xiangchao，ZHU Ruoxu，ZHOU Zhongshan，LI Pengfei.Performance Analysis on Transient Voltage Suppressor un?der Lightning Oscillation Damping Impulse[J].Insulators and Surge Arresters，2016（3）:132-136.

[11]李祥超，趙學(xué)余，姜長(zhǎng)稷，游志遠(yuǎn).電涌保護(hù)器（SPD）[M].北京：氣象出版社，2010.

[12]張鵬，張棖，汝洪博，李祥超.ZnO壓敏電阻兩片并聯(lián)方法及性能分析[J].電子元件與材料，2011（12）:34-37.ZHANG Peng， ZHANG Cheng， RU Hongbo， LI Xiangchao.Parallel connection of two ZnO varistors and its performance[J].Electronic Components and Materi?als.2011（12）:34-37.

[13]劉俊，何金良，胡軍，龍望成.ZnO壓敏電阻老化機(jī)理的研究進(jìn)展[J].電工電能新技術(shù)，2010（3）：63-67.LIU Jun，HE Jin-liang，HU Jun，LONG Wangcheng.Re?search progress of degradation mechanism of Zn O varistors[J].Advanced Technology of Electrical Engineering and En?ergy.2013（3）:63-67.

[14]LI Xiangchao，ZHOU Zhongshan，CHEN Zehuang，CHEN Puyang.Propagation and suppression method of lighting wave in coaxial line[J].International Journal of Applied Electromagnetics and Mechanics.49（2015）:315-325.

[15]LI Xiangchao，ZHANG Jing.Analysis of 8/20 μs lighting current impulse fuse breaking performance[J].Internation?al Journal of Applied Electromagnetics and Mechanics，2016（1）:1-11.