楊慧娜，柏樹(shù)青

(華北電力大學(xué) 電氣與電子工程學(xué)院，北京102206)

0 引 言

由于反激變換器具有以下優(yōu)點(diǎn):(1)電路簡(jiǎn)單，能高效提供多路直流輸出，適合多組輸出要求。(2)輸入電壓在很大的范圍內(nèi)波動(dòng)時(shí)，仍可有較穩(wěn)定的輸出，無(wú)需切換而達(dá)到穩(wěn)定輸出的要求。(3)轉(zhuǎn)換效率高，損失小。(4)變壓器匝數(shù)比值較小。因此得到了廣泛應(yīng)用。變壓器作為反激變換器中的關(guān)鍵部件，對(duì)變換器的整機(jī)性能有著很大影響［1］。隨著應(yīng)用場(chǎng)合輸入、輸出電壓等級(jí)的提高，以及為適應(yīng)小型化要求而采用更高開(kāi)關(guān)頻率的發(fā)展趨勢(shì)下，反激變換器的正常運(yùn)行及性能優(yōu)化越來(lái)越受到其變壓器寄生參數(shù)的限制［2，3］。目前對(duì)變壓器寄生參數(shù)的研究中，更多是分析漏感，對(duì)于分布電容往往將其忽略，當(dāng)變壓器工作在低頻時(shí)，分布電容的影響不大。但是隨著開(kāi)關(guān)電源越來(lái)越小型化，高頻化，電子變壓器的寄生電容會(huì)對(duì)反激變換器整體性能產(chǎn)生很大的影響。在開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通瞬間，變壓器繞組分布電容中的能量發(fā)生變化，會(huì)在變壓器內(nèi)部及主電路中產(chǎn)生較大電流尖峰，影響開(kāi)關(guān)管工作的可靠性。且由于分布電容的存在，它會(huì)與變壓器或者元器件的寄生電感形成振蕩現(xiàn)象，從而會(huì)造成反激變換器不可預(yù)測(cè)的一些行為特性。由于原副邊繞組間分布電容的存在，提供了EMI 噪音的傳導(dǎo)路徑，從而產(chǎn)生嚴(yán)重的電磁干擾問(wèn)題，影響電子產(chǎn)品的電磁兼容性［4～7］。除了上述提到的變壓器分布電容的不利影響，還可以利用變壓器分布電容作為并聯(lián)諧振電容［8～10］，從而減小整個(gè)電路系統(tǒng)的體積。變壓器分布電容會(huì)對(duì)整個(gè)電路系統(tǒng)的性能產(chǎn)生很大的影響，所以通過(guò)采用不同變壓器繞組結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)分布電容的改變來(lái)改善反激變換器整體的性能具有重大的實(shí)用價(jià)值和研究意義。

變壓器繞組結(jié)構(gòu)的不同影響著分布電容的大小。文獻(xiàn)［1］針對(duì)高壓輸入低壓輸出變壓器場(chǎng)合，研究了繞組結(jié)構(gòu)的不同對(duì)變壓器分布電容大小的影響，但該文獻(xiàn)使用的方法有它的不足之處。這種方法不足主要有:(1)沒(méi)有針對(duì)各種變壓器繞組的不同繞法來(lái)提取具體的寄生電容參數(shù)。(2)理論上沒(méi)有具體解釋為什么不同的繞組結(jié)構(gòu)會(huì)對(duì)變壓器分布電容大小產(chǎn)生影響，沒(méi)有針對(duì)各種不同的繞法及布局進(jìn)行詳細(xì)的分析。文獻(xiàn)［2］給出了變壓器分布電容對(duì)電路的影響以及變壓器的等效電路模型，并提出了控制寄生電容的工程方法。文獻(xiàn)［5］首先對(duì)求取變壓器分布電容的各種不同的理論方法進(jìn)行了系統(tǒng)的總結(jié)，并針對(duì)這些方法的不足，進(jìn)行了補(bǔ)充。此外，基于前人的基礎(chǔ)上，提出了變壓器寄生電容新的等效電路模型。文獻(xiàn)［8］給出了提取變壓器寄生電容參數(shù)的3 種方法，第1 種方法是基于平板電容結(jié)構(gòu)的解析表達(dá)式計(jì)算。該方法雖然簡(jiǎn)單，易于理解，但計(jì)算過(guò)程中，用到了很多的近似，很多實(shí)際因素沒(méi)有考慮，所以該方法計(jì)算出來(lái)的寄生參數(shù)誤差較大。第2 種方法是基于實(shí)驗(yàn)測(cè)量的方法。該方法雖然方便、簡(jiǎn)單，但是只有在變壓器制造好后才能用該方法測(cè)量其分布電容參數(shù)，增加了設(shè)計(jì)的成本和時(shí)間。第3 種方法是基于有限元仿真工具的計(jì)算，也就是電磁場(chǎng)數(shù)值方法。

本文首先給出變壓器分布電容對(duì)反激變換器的影響分析及這些分布電容的確定方法。然后，針對(duì)各種不同繞法及排列布局為什么會(huì)對(duì)變壓器分布電容大小產(chǎn)生影響進(jìn)行了深入的分析。最后，在PExprt/PEMag 軟件環(huán)境下，設(shè)計(jì)不同繞組繞法及繞組排列布局的變壓器模型，再把以上不同繞組結(jié)構(gòu)的變壓器模型導(dǎo)入到有限元軟件Ansoft Maxwell 提取不同繞組結(jié)構(gòu)的分布電容參數(shù)，根據(jù)提取的參數(shù)和理論分析的結(jié)果進(jìn)行對(duì)比，從而對(duì)本文提出的方法進(jìn)行了仿真驗(yàn)證。該方法可以考慮繞組電壓分布，變壓器材料及變壓器結(jié)構(gòu)等的影響，且不需要設(shè)計(jì)實(shí)際的變壓器，就可以準(zhǔn)確提取變壓器分布電容參數(shù)。

1 變壓器分布電容對(duì)反激變換器的影響

圖1 是考慮寄生電容后的高壓輸入低壓輸出RCD 箝位反激變換器拓?fù)洌?1，12］。其中，L1，Lm分別表示原邊漏感和磁化電感，C1_1為原邊繞組分布電容，C1_2，C01_2分別表示原邊與副邊繞組不同接線端之間的分布電容。反激變換器的工作原理是［13］:當(dāng)開(kāi)關(guān)晶體管被激勵(lì)導(dǎo)通時(shí)，輸入電壓加到變壓器初級(jí)繞組，初級(jí)繞組流過(guò)電流。由于變壓器次級(jí)整流二極管反接，次級(jí)繞組無(wú)電流流過(guò)，能量在變壓器電感中以磁能的形式儲(chǔ)存起來(lái)。當(dāng)開(kāi)關(guān)晶體管截止時(shí)，變壓器感應(yīng)電壓與輸入電壓反相，使整流二極管導(dǎo)通，變壓器儲(chǔ)存的能量釋放出來(lái)，供負(fù)載及電容器充電。

圖1 考慮分布電容時(shí)反激變換器拓?fù)銯ig.1 Diagram of RCD-clamp flyback converter including stray capacitances

為防止磁芯飽和，通常在變壓器磁路中留有較大氣隙，但這會(huì)使變壓器有較大漏磁，造成較大的漏感。當(dāng)功率開(kāi)關(guān)管關(guān)斷時(shí)，由于漏感的存在，會(huì)在開(kāi)關(guān)管上激起很高的電壓尖峰。漏感能量吸收方法有多種，圖1 電路是采用RCD 箝位電路來(lái)吸收漏感能量，控制開(kāi)關(guān)管關(guān)斷電壓尖峰［1］。

另外，在高壓小功率場(chǎng)合，分布電容儲(chǔ)能與漏感儲(chǔ)能相當(dāng)，甚至比漏感儲(chǔ)能大，此時(shí)分布電容對(duì)電路性能影響很大。變壓器分布電容對(duì)電路的影響主要有:(1)在開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換時(shí)，繞組電壓發(fā)生變化，繼而分布電容中的能量發(fā)生變化，因此就會(huì)在變壓器內(nèi)部和主電路回路中產(chǎn)生高頻的振蕩環(huán)流，增加變壓器以及功率器件的功率損耗，并且產(chǎn)生高頻電磁輻射。如果采用峰值電流控制，將影響電流采樣的正確性，從而對(duì)電源的穩(wěn)壓精度、穩(wěn)定性以及損耗產(chǎn)生較大影響。因此原副邊繞組的寄生電容會(huì)對(duì)電路產(chǎn)生影響。(2)開(kāi)關(guān)管開(kāi)通速度越快，繞組電壓的變化速度就越快，從而繞組分布電容中的能量流動(dòng)也會(huì)越快，根據(jù)i = C(du/dt)可知會(huì)形成較大電流尖峰。開(kāi)關(guān)管開(kāi)通速度較慢，雖然能夠減小分布電容引起的電流尖峰幅值，但會(huì)使尖峰持續(xù)時(shí)間變長(zhǎng)，為此需采用較大的濾波元件，造成電流的相移，不利于系統(tǒng)閉環(huán)設(shè)計(jì)。(3)變壓器繞組電壓越高，分布電容儲(chǔ)存的能量越大，在開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通瞬間會(huì)導(dǎo)致原邊電流前沿產(chǎn)生尖峰。根據(jù)i = C(du/dt)可知在電壓變化率一定的情況下，變壓器分布電容越大，原邊電流也就越大，進(jìn)而影響開(kāi)關(guān)管工作的可靠性，甚至造成開(kāi)關(guān)管的毀壞。(4)可以利用變壓器分布電容作為并聯(lián)諧振電容。所以基于以上分析，應(yīng)對(duì)變壓器分布電容進(jìn)行合理控制。

因此，為了保證變壓器在高頻時(shí)具有良好的性能，必須考慮寄生參數(shù)的影響，研究影響變壓器寄生參數(shù)的因素［13～15］。本文通過(guò)研究不同的繞組連接方式和繞組排列布局對(duì)分布電容大小的影響，給出了改變分布電容大小的方法。

2 分布電容的確定

2.1 繞組分布電容

根據(jù)W = CU2/2 可知繞組的分布電容與繞組中的電壓分布有關(guān)，在電壓大小確定的情況下，繞組中存儲(chǔ)的電場(chǎng)能量越大，分布電容就越大。因此要計(jì)算同一繞組按多層繞制的層間分布電容，首先要確定繞組中的電壓分布。根據(jù)靜電場(chǎng)理論，由下式近似計(jì)算2 層繞組分布電容C 的大小:

式中:E 是2 層繞組間電場(chǎng)強(qiáng)度;ε 是層間絕緣材料介電常數(shù);V 是1 層繞組的體積;u 是相鄰層間的電壓分布;d 是繞組相鄰層間距;l 是繞組導(dǎo)線平均長(zhǎng)度;h 是繞組高度;Uin是輸入電壓。式(1)給出了2 層繞組分布電容的計(jì)算，如果匝數(shù)比較多，繞組就是多層多段結(jié)構(gòu)，總的繞組分布電容也可以由式(1)計(jì)算得到。

2.2 繞組間分布電容

根據(jù)靜電場(chǎng)理論，不同繞組間的分布電容可根據(jù)C = εS/d 推導(dǎo)而得。由于很多變壓器繞組骨架近似矩形，因此可以把變壓器繞組等效成一塊極板，這樣就得到了平行板電容器模型，如圖2所示。

圖2 平行板電容器模型Fig.2 Parallel-plate capacitor model

圖3 極板的有效距離Fig.3 Effective distance between plates

如圖3，兩塊極板之間的有效距離可表示為［9］

則原副邊繞組間的分布電容可近似為

式中:ε1表示層間介質(zhì)等效相對(duì)介電常數(shù);d2表示匝與匝間的距離;h 表示層間空隙長(zhǎng)度;對(duì)于實(shí)心圓線來(lái)說(shuō)，r0等于包括絕緣的圓線的半徑，對(duì)于金屬箔線來(lái)說(shuō)，r0等于徑向長(zhǎng)度的一半;l1表示兩層繞組平均匝長(zhǎng);L1表示層的高度;δ 表示導(dǎo)線絕緣層的厚度。

有些變壓器繞組的骨架是圓柱形，所以除了用平行板電容器外，還可以用圓柱形電容器來(lái)等效原副邊相鄰繞組層。如圖4 所示:

圖4 圓柱形電容器模型Fig.4 Cylindrical capacitor model

則原副邊繞組間的分布電容可近似為［9］

因此變壓器原副邊相鄰繞組層可以用平行板或者圓柱形模型等效，從而近似算出2 繞組間分布電容，不過(guò)，大多數(shù)情況下都使用平行板模型。

3 繞組結(jié)構(gòu)對(duì)變壓器分布電容大小的影響

3.1 繞組連接方式對(duì)分布電容大小的影響

3.1.1 C 型接法

變壓器繞組繞制方式主要分為C 型繞法，Z型繞法以及分段式繞法［16～19］。本文以高輸入電壓低輸出電壓反激變壓器為例，因此原邊匝數(shù)遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于副邊匝數(shù)，因?yàn)槌跫?jí)匝數(shù)較多，所以初級(jí)繞組一般要分層分段繞制。而匝間電容遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于層間電容，因此可以忽略匝間電容。由于繞組兩層之間存在電位差，所以就產(chǎn)生了層間電容，變壓器繞組層與層之間的不同的連接方式會(huì)導(dǎo)致層間不同的電位差，繼而產(chǎn)生不同大小的分布電容。圖5 是繞組C 型連接示意圖與電壓分布圖。其中，U 為初級(jí)繞組電壓;w 如圖所示;k 為初級(jí)繞組的層數(shù);l 為繞組的平均匝長(zhǎng)。繞組兩相鄰層之間的距離是d。層間的絕緣介質(zhì)的介電常數(shù)是ε。根據(jù)文獻(xiàn)［13］，由于高頻變壓器的漏磁通相比激磁主磁通完全可以忽略，所以激磁線圈每匝所交鏈的磁通基本相同，每匝的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)，或激磁感抗也基本相同，而且每匝線圈的交流電阻一般遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于激磁感抗，因此假設(shè)變壓器線圈的電位沿繞組匝數(shù)線性分布，即每一匝線圈的電壓降均相同是合理的。則根據(jù)圖5 可知每層繞組兩端的電壓差都是U/k，繞組相鄰層之間的電壓隨著繞組長(zhǎng)度而變化。根據(jù)靜電場(chǎng)理論，相鄰繞組可以等效為兩塊平行板模型，則相鄰層間電壓表達(dá)式為

電場(chǎng)強(qiáng)度為

因?yàn)镃 型繞法初級(jí)繞組分布電容Cs的近似表達(dá)式為

圖5 變壓器C 型繞組結(jié)構(gòu)與電壓分布Fig.5 Type C winding of transformer and voltage distributions

3.1.2 Z 型接法

Z 型繞法也就是所說(shuō)的折疊繞法，即在繞完1層之后，將線端拉至第1 層的始端繼續(xù)繞第2 層，依次重復(fù)。變壓器繞組的Z 型繞法如圖6 所示。由圖6 可以看出，Z 型繞法相鄰層間各處的電壓差是相等的，即U(x)= U/k，則電場(chǎng)強(qiáng)度為

Z 型繞組分布電容為

圖6 變壓器Z 型繞組結(jié)構(gòu)與電壓分布Fig.6 Type Z winding of transformer and voltage distributions

3.1.3 分段式繞法

利用分段骨架將變壓器繞組匝數(shù)分成幾等份，每一份繞制在一個(gè)骨架上，這就是繞組的分段式繞法。其中，q 是分段數(shù)，k 是每段繞組的層數(shù)，如圖7 所示。基于以上C 型繞法分布電容的計(jì)算以及靜電場(chǎng)理論，每段繞組的分布電容為

根據(jù)分段式繞組的電壓分布，則初級(jí)繞組總分布電容為

圖7 繞組分段式繞法以及電壓分布Fig.7 Segmentation winding and voltage distributions

基于以上對(duì)C 型接法，Z 型接法以及分段式繞法的分析可知，C 型繞法結(jié)構(gòu)雖然簡(jiǎn)單，但是相鄰兩層相鄰匝間的最大電壓差大，分布電容儲(chǔ)存的能量就比較大，從而繞組的端口等效電容較大;Z 型繞法的繞線相比C 型繞法較復(fù)雜，但是繞組相鄰層相鄰匝間壓差比較小，對(duì)比(8)式和(11)式，Z 型繞法計(jì)算得到的分布電容是C 型繞法分布電容的3/4，可見(jiàn)繞組的端口等效電容明顯減小。如果變壓器繞組匝數(shù)很多，要進(jìn)一步減小繞組分布電容，則可采用分段式繞法。由于分段式繞法是利用分段骨架將原來(lái)的繞組匝數(shù)分成相等的若干份，各段繞組間的最大電壓差就只有輸入電壓的若干份之一，分段越多分布電容的值就越小。對(duì)比(8)和(13)式可知，把原本C 型接法的繞組分成q 段后，分段式繞組分布電容只有C 型繞法分布電容的1/q。同樣，把Z 型接法的繞組分成q 段后，分段式繞組分布電容只有Z 型繞法分布電容的1/q。

3.2 繞組布局對(duì)分布電容大小的影響

除了繞組層與層間連接方式外，繞組不同的布局也會(huì)對(duì)變壓器分布電容大小產(chǎn)生影響。繞組的布局主要有傳統(tǒng)式布局和交錯(cuò)式布局，如圖8 所示。

圖8 傳統(tǒng)式布局與交錯(cuò)式布局Fig.8 Traditional layout and interleaved layout

根據(jù)C = εS/d，由圖8 可看出，采用交錯(cuò)布局，同一繞組層與層的實(shí)際間距增大了，所以繞組分布電容相比傳統(tǒng)布局要小。但是采用交錯(cuò)布局排列后，原副邊繞組正對(duì)的面積變大，初級(jí)與次級(jí)間實(shí)現(xiàn)了較為緊密的耦合，因此初次級(jí)繞組間分布電容相比傳統(tǒng)布局變大，但是漏感相比傳統(tǒng)布局就減小了，這種情況下低漏感與大分布電容就成了一對(duì)矛盾。所以，采用哪種變壓器繞組排列布局，應(yīng)根據(jù)實(shí)際需要折衷考慮。

基于上述分析，可以得出以下結(jié)論:(1)變壓器繞組采用不同的繞法，對(duì)分布電容的大小有很大影響。分段式繞法分布電容最小，C 型繞法分布電容最大，而Z 型繞法介于中間。(2)變壓器繞組采用交錯(cuò)式布局與未采用交錯(cuò)式布局相比，同一繞組層與層之間分布電容明顯減小，而原副邊繞組間分布電容明顯增大。這是因?yàn)椴捎媒诲e(cuò)布局后，同一繞組層與層的距離變大了，原副邊繞組正對(duì)面積也變大了。

4 仿真分析

本文用PExprt 軟件設(shè)計(jì)了220 V 輸入、15 V/15 W 輸出，工作頻率為200 kHz，采用峰值電流控制，工作于DCM 模式的反激變換器。變壓器參數(shù)如表1 所示。為了驗(yàn)證不同繞組結(jié)構(gòu)對(duì)分布電容大小的影響，本文利用PEMag 軟件改變變壓器繞組繞法以及排列布局，從而分別得到C 型、Z 型、分段式以及交錯(cuò)式布局的變壓器繞組模型，把以上模型導(dǎo)入Ansoft Maxwell 軟件提取這4 種不同繞組結(jié)構(gòu)的分布電容參數(shù)。

把在PExprt 軟件中建立的Z 型繞組結(jié)構(gòu)的變壓器模型導(dǎo)入到Ansoft Maxwell 軟件中得到的電位分布云圖如圖9 所示。從圖9 可得知假設(shè)變壓器線圈的電位沿繞組匝數(shù)線性分布，即每一匝線圈的電壓降均相同是正確的。變壓器電場(chǎng)強(qiáng)度分布云圖如圖10 所示，從圖10 得知Z 型繞法相鄰層間各處的電場(chǎng)大小是相等的，即驗(yàn)證了上述公式(9)是正確的。

表1 變壓器參數(shù)Tab.1 Parameters of the transformer

圖9 變壓器電位分布云圖Fig.9 Voltage distribution of the transformer

圖10 變壓器電場(chǎng)強(qiáng)度分布云圖Fig.10 Electric field intensity distribution of the transformer

由于本文采用的是高壓輸入，低壓輸出的反激式變壓器，初級(jí)匝數(shù)多，次級(jí)匝數(shù)少，由于次級(jí)匝數(shù)很少，則次級(jí)繞組結(jié)構(gòu)單一，所以主要研究的是匝數(shù)、層數(shù)多的高壓側(cè)繞組，也就是初級(jí)繞組。因此該文改變變壓器初級(jí)繞組的繞法以及排列布局，利用Maxwell 軟件提取初級(jí)繞組不同情況下的分布電容以及原副邊繞組間分布電容來(lái)驗(yàn)證上述分析。用軟件提取的5 個(gè)分布電容的電路模型如圖11 所示。

圖11 軟件提取的5 個(gè)分布電容參數(shù)的電路模型Fig.11 Circuit model of extracted five stray capacitances by software

基于電磁場(chǎng)理論，電容的存在形式可以通過(guò)假設(shè)若干個(gè)變量來(lái)表達(dá)，PExprt 軟件的分布電容電路模型中假定了兩個(gè)變量，ap和am間的電壓，即u(ap，am)，am和bm間電壓，即u(am，bm)。這兩個(gè)變量均等效在一次側(cè)，則根據(jù)靜電場(chǎng)理論有:

從(14)式可看出有3 種能量，因此對(duì)應(yīng)需要3個(gè)分布電容存儲(chǔ)，如圖11(a)所示。圖11(a)的分布電容參數(shù)與圖11(b)中分布電容參數(shù)的關(guān)系是，當(dāng)初級(jí)電壓u(ap，am)為零，級(jí)間電壓u(am，bm)不為零，則

當(dāng)初級(jí)電壓u(ap，am)不為零，級(jí)間電壓u(am，bm)為零，則

表2 是用軟件提取的不同繞組結(jié)構(gòu)的分布電容參數(shù)，從表2 提取的參數(shù)中，也可以直接驗(yàn)證式(15)和(16)的正確性。

表2 不同繞組結(jié)構(gòu)的分布電容參數(shù)Tab.2 Stray capacitances of different winding strategy

根據(jù)表1 中變壓器參數(shù)和前面所述C 型、Z型、以及兩段式繞法的初級(jí)繞組的分布電容計(jì)算公式，分別計(jì)算出相應(yīng)的Cself，與軟件提取的分布電容參數(shù)進(jìn)行比較，如表3 所示。從相對(duì)誤差上可以看出，用軟件提取的初級(jí)繞組分布電容值和理論計(jì)算值基本相符。這樣間接驗(yàn)證了表2 中用軟件提取的各分布電容的正確性。

圖12 是根據(jù)表2 生成的柱形圖，從圖中可以更直觀地看出各種不同繞組結(jié)構(gòu)分布電容的大小。從表中數(shù)據(jù)可以歸納出以下規(guī)律:原副邊繞組都由C 型改成Z 型接法后，分布電容Cself只有C型繞法的3/4，初級(jí)繞組分布電容C1_1只有C 型繞法的1/3，級(jí)間電容Cmutual基本不變。把初級(jí)繞組由原來(lái)的Z 型接法改為兩段式繞法后，初級(jí)繞組分布電容C1_1只有原來(lái)Z 型繞法的1/2，級(jí)間電容Cmutual變化不大;把原來(lái)Z 型接法再交錯(cuò)式排列后，初級(jí)繞組分布電容C1_1比未采用交錯(cuò)式布局的分布電容明顯減小，而原副邊繞組間分布電容Cmutual則明顯增大。因此可以通過(guò)改變變壓器繞組結(jié)構(gòu)，達(dá)到改變其分布電容的大小的目的，經(jīng)過(guò)驗(yàn)證，此種方法效果明顯。并且以上規(guī)律與前面的理論分析十分符合，從而驗(yàn)證了文中分析的正確性以及這種提取分布電容參數(shù)方法的可行性。

圖12 不同繞組結(jié)構(gòu)的分布電容柱形圖Fig.12 Bar graph of stray capacitances with different winding strategy

表3 Cself 的軟件提取值驗(yàn)證Tab.3 Verification of by using PExprt software

5 結(jié) 論

反激變換器在高頻下工作時(shí)，變壓器分布電容對(duì)系統(tǒng)效率、開(kāi)關(guān)損耗、器件應(yīng)力、閉環(huán)穩(wěn)定性等的影響不能忽略，尤其在輸入電壓很高時(shí)，分布電容的影響就更明顯。除了抑制變壓器分布電容外，在某些情況下，可以對(duì)變壓器的分布電容加以利用，比如利用高頻變壓器分布電容做并聯(lián)諧振電容。由于變壓器分布電容大小與繞組連接方式和繞組排列布局有很大關(guān)系，因此，可以通過(guò)改變變壓器繞組結(jié)構(gòu)來(lái)達(dá)到改變分布電容大小的目的。隨著頻率的不斷提高，變壓器分布電容的影響就越大。所以為了得到性能良好的電路系統(tǒng)，設(shè)計(jì)大電壓、高頻率變壓器時(shí)，必須考慮變壓器分布電容的影響。

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