楊 杰,洪 滔,文東輝,陳珍珍,張麗慧,姬孟托
(浙江工業(yè)大學(xué) 特種裝備制造與先進(jìn)加工技術(shù)教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,浙江 杭州 310014)
隨著社會(huì)地不斷進(jìn)步,人們對(duì)產(chǎn)品性能的要求愈來(lái)愈高,對(duì)材料表面的加工質(zhì)量亦提出了更高的要求。當(dāng)前的超精密加工技術(shù),以不改變工件材料物理特性為前提,以獲得極限的形狀精度、尺寸精度、表面粗糙度、表面完整性為目標(biāo)[1],在電子、通信、計(jì)算機(jī)、激光、航空航天等領(lǐng)域有了廣泛應(yīng)用[2]。其中,超光滑拋光加工技術(shù)作為一種重要的超精密加工技術(shù),是獲取光學(xué)元件、藍(lán)寶石襯底、單晶硅襯底等高精度表面的重要手段之一[3-4]。平面研磨是超光滑拋光加工技術(shù)的前期工序,其加工精度對(duì)最終產(chǎn)品的質(zhì)量有至關(guān)重要的影響。
研磨過(guò)程是利用上下研磨盤,通過(guò)游離磨料的方式作用于工件表面,實(shí)現(xiàn)材料的微量加工。單面的平面研磨拋光設(shè)備,按驅(qū)動(dòng)方式可以分為定偏心式、不定偏心式、直線式、搖擺式和分形驅(qū)動(dòng)幾種[5-9]。被研磨工件的表面質(zhì)量,如平面度、粗糙度等,在很大程度上取決于磨粒的軌跡分布[10]。在國(guó)內(nèi)外,已有一些有關(guān)研磨過(guò)程中磨粒軌跡分布方面的研究。楊昌明等[11]研究了行星齒輪和太陽(yáng)輪的轉(zhuǎn)速與磨粒運(yùn)動(dòng)軌跡以及研磨平面質(zhì)量的關(guān)系;趙文宏等[12]研究了定偏心與不定偏心研磨方式對(duì)平面研磨均勻性的影響,討論了研磨盤上不同位置點(diǎn)相對(duì)工件盤的運(yùn)動(dòng)軌跡,其研究表明:選擇適當(dāng)?shù)霓D(zhuǎn)速比組合,可使工件獲得均勻研磨;文東輝等[13-14]針對(duì)研磨盤和工件的轉(zhuǎn)速比和偏心距對(duì)軌跡均勻性的影響進(jìn)行了理論分析,通過(guò)單位面積軌跡點(diǎn)的數(shù)量及其標(biāo)準(zhǔn)差來(lái)評(píng)價(jià)研磨軌跡均勻性,分析表明:增大轉(zhuǎn)速比加工均勻性變差,研磨盤和工件的角速度相等有利于均勻性提高,并首次提出無(wú)理轉(zhuǎn)速比的概念,用于定偏心主驅(qū)動(dòng)平面研磨中,理論研究表明:無(wú)理數(shù)轉(zhuǎn)速比能提高研磨軌跡的均勻性;ZHAO De-wen等[15]分析了直線擺動(dòng)驅(qū)動(dòng)下,工件盤與研磨盤速度比α和工件盤往復(fù)周期與研磨盤轉(zhuǎn)動(dòng)周期的周期比kT之間的耦合關(guān)系對(duì)軌跡分布的影響,優(yōu)選出運(yùn)動(dòng)學(xué)參數(shù)以獲得更好的均勻性;HOCHENG H等[16]研究了直線擺動(dòng)驅(qū)動(dòng)中工件盤和研磨盤轉(zhuǎn)速比對(duì)化學(xué)機(jī)械平坦化中硅片非均勻性的影響,研究結(jié)果表明:轉(zhuǎn)速比盡可能接近,可以保證良好的軌跡均勻性。
由此可知,驅(qū)動(dòng)方式和轉(zhuǎn)速比是影響研磨均勻性的主要因素。本文將從兩種驅(qū)動(dòng)方式(定偏心主驅(qū)動(dòng)與直線擺動(dòng)驅(qū)動(dòng)方式)出發(fā),分析轉(zhuǎn)速比在有理數(shù)和無(wú)理數(shù)下對(duì)研磨軌跡的影響,以及在相同的轉(zhuǎn)速比下,對(duì)比兩種驅(qū)動(dòng)方式下的研磨軌跡均勻性情況。
定偏心主驅(qū)動(dòng)研磨示意圖如圖1所示。
圖1 定偏心主驅(qū)動(dòng)研磨運(yùn)動(dòng)學(xué)模型
研磨盤中心為O1,工件盤中心為O2,研磨盤和工件盤繞各自中心旋轉(zhuǎn),磨粒隨機(jī)分布于研磨盤上,通過(guò)工件盤和研磨盤之間的相對(duì)運(yùn)動(dòng)實(shí)現(xiàn)材料的去除。為方便計(jì)算,定義以O(shè)1為原點(diǎn)的絕對(duì)坐標(biāo)系σ1=[O1,x1,y1],以O(shè)2為原點(diǎn)的工件坐標(biāo)系σ2=[O2,x2,y2]。本文考察研磨加工過(guò)程中研磨盤上任意一點(diǎn)磨粒P(rp,θ)相對(duì)于工件的運(yùn)動(dòng)軌跡,即研磨盤上P點(diǎn)在工件坐標(biāo)系σ2中的時(shí)變坐標(biāo)值。
由圖1可知,在任意t時(shí)刻,P點(diǎn)在絕對(duì)坐標(biāo)系σ1中的坐標(biāo)(xp,1,yp,1)為:
(1)
將坐標(biāo)系σ1通過(guò)平移和旋轉(zhuǎn)坐標(biāo)變換[17],使之與坐標(biāo)系σ2重合,可得變換矩陣為:
(2)
因此,磨粒P在工件坐標(biāo)系σ2的坐標(biāo)值可由下式獲得:
(3)
聯(lián)立式(1~3),可得磨粒P在工件坐標(biāo)系σ2軌跡方程:
(4)
式中:wp—研磨盤角速度;ww—工件盤角速度;e—研磨盤與工件盤中心距。
直線擺動(dòng)驅(qū)動(dòng)研磨示意圖如圖2所示(也稱為不定偏心式驅(qū)動(dòng))。
圖2 直線擺動(dòng)驅(qū)動(dòng)研磨運(yùn)動(dòng)學(xué)模型
與定偏心主驅(qū)動(dòng)不同的是,此驅(qū)動(dòng)方式通過(guò)引入工件的平移運(yùn)動(dòng)來(lái)改善研磨軌跡均勻性,偏心距e隨時(shí)間不斷變化。
同上理,通過(guò)坐標(biāo)平移、旋轉(zhuǎn),可得磨粒P在絕對(duì)坐標(biāo)系σ1和工作坐標(biāo)系σ2的坐標(biāo)轉(zhuǎn)換關(guān)系:
(5)
將式(4)代入式(5)中,可得到研磨盤上任意一點(diǎn)磨粒P(rp,θ)相對(duì)于工件的運(yùn)動(dòng)軌跡方程:
(6)
式中:A——工件盤直線擺幅;T——工件盤擺幅周期。
本文針對(duì)定偏心主驅(qū)動(dòng)和直線擺動(dòng)驅(qū)動(dòng)在不同轉(zhuǎn)速比下的磨粒運(yùn)動(dòng)軌跡進(jìn)行仿真試驗(yàn)。
研磨加工參數(shù)取值如表1所示。
表1 研磨加工參數(shù)
2.2.1 有理數(shù)轉(zhuǎn)速比
設(shè)定仿真時(shí)間tf=300 s,轉(zhuǎn)速比i為有理數(shù),分別為0.5,4/3,1.4,驅(qū)動(dòng)方式為定偏心主驅(qū)動(dòng)和直線擺動(dòng)驅(qū)動(dòng)。
取有理數(shù)轉(zhuǎn)速比時(shí)定偏心主驅(qū)動(dòng)下的研磨軌跡線如圖3所示(工件盤上軌跡線較少且規(guī)整重復(fù))。
圖3 定偏心主驅(qū)動(dòng)的單顆粒研磨軌跡a1、a2、a3—研磨盤、工件盤與磨粒軌跡線
直線擺動(dòng)驅(qū)動(dòng)下的研磨軌跡線如圖4所示(工件盤上軌跡線較為密集、不規(guī)則,但依然是重復(fù)的)。
相較于圖4(a,c),圖4(b)工件盤上分布的軌跡線更為密集,這也說(shuō)明此驅(qū)動(dòng)方式下轉(zhuǎn)速比越不規(guī)則,研磨軌跡的分布越致密。
對(duì)比圖3與圖4可知:直線擺動(dòng)驅(qū)動(dòng)較定偏心主驅(qū)動(dòng)下的研磨軌跡線更為密集,且無(wú)論所選取的轉(zhuǎn)速比為何值,研磨軌跡線一定會(huì)通過(guò)工件盤中心,如圖4(b~c)所示。而定偏心主驅(qū)動(dòng)下,由于磨粒P起始位置與工件盤中心不重合,磨粒軌跡線沒(méi)有經(jīng)過(guò)工件盤中心,如圖3(a~c)所示。
當(dāng)轉(zhuǎn)速比為有理數(shù)時(shí),兩種驅(qū)動(dòng)方式下的研磨軌跡均為重復(fù)的,隨著研磨時(shí)間的變長(zhǎng),重復(fù)的軌跡線會(huì)使工件表面產(chǎn)生嚴(yán)重的刻劃,從而降低工件加工表面質(zhì)量如平面度和粗糙度。
圖4 直線擺動(dòng)驅(qū)動(dòng)的單顆粒研磨軌跡(i為有理數(shù)轉(zhuǎn)速比)
2.2.2 無(wú)理數(shù)轉(zhuǎn)速比
取無(wú)理數(shù)轉(zhuǎn)速比時(shí)定偏心主驅(qū)動(dòng)的單顆粒研磨軌跡如圖5所示。
因磨粒P的起始位置與工件盤中心不重合,其研磨軌跡線連續(xù)但都不經(jīng)過(guò)工件盤中心。
直線擺動(dòng)驅(qū)動(dòng)的研磨軌跡線如圖6所示。
連續(xù)且都經(jīng)過(guò)工件盤中心,并且整個(gè)工件盤上的軌跡分布相比定偏心主驅(qū)動(dòng)方式(圖5)更均勻。
當(dāng)轉(zhuǎn)速比為無(wú)理數(shù)時(shí),兩種驅(qū)動(dòng)方式下的研磨軌跡線均為連續(xù)且開放的曲線,圖5與圖6中點(diǎn)Q為仿真結(jié)束時(shí)的點(diǎn)。與圖3和圖4對(duì)比,相同的研磨時(shí)間下,無(wú)論是兩種驅(qū)動(dòng)方式中的哪一種,無(wú)理數(shù)轉(zhuǎn)速比下軌跡線都是開放的不會(huì)重復(fù),并且都較有理數(shù)下的更長(zhǎng)更密集。
圖5 定偏心主驅(qū)動(dòng)的單顆磨粒研磨軌跡(i為無(wú)理數(shù)轉(zhuǎn)速比)
圖6 直線擺動(dòng)驅(qū)動(dòng)的單顆粒研磨軌跡(i為無(wú)理數(shù)轉(zhuǎn)速比)
圖7 有理數(shù)轉(zhuǎn)速比(i=0.5)下的多顆磨粒研磨軌跡
圖8 無(wú)理數(shù)轉(zhuǎn)速比下的多顆磨粒研磨軌跡
從圖7可見:在有理數(shù)轉(zhuǎn)速比下,直線擺動(dòng)驅(qū)動(dòng)方式的研磨軌跡比定偏心主驅(qū)動(dòng)的明顯密集;從圖8可見:取無(wú)理數(shù)轉(zhuǎn)速比時(shí)兩個(gè)驅(qū)動(dòng)方式的研磨軌跡致密度相差很小。對(duì)比圖7和圖8可見:在定偏心主驅(qū)動(dòng)下,取無(wú)理數(shù)轉(zhuǎn)速比時(shí)的研磨軌跡比有理數(shù)的要密集許多,而直線擺動(dòng)驅(qū)動(dòng)下,轉(zhuǎn)速比的影響較小。
針對(duì)多顆粒研磨軌跡的仿真,為了更合理地評(píng)價(jià)磨粒軌跡均勻性,本文采用統(tǒng)計(jì)學(xué)中的離散系數(shù)CV,主要用于比較不同水平的變量數(shù)列的離散程度及平均數(shù),來(lái)定量地表征磨粒運(yùn)動(dòng)軌跡的均勻性[18],采用笛卡爾網(wǎng)格劃分方法對(duì)工件盤進(jìn)行網(wǎng)格劃分,統(tǒng)計(jì)各個(gè)區(qū)域采樣點(diǎn)的個(gè)數(shù)。
其表征函數(shù)為:
(7)
離散系數(shù)CV隨時(shí)間t的變化規(guī)律圖如圖9所示(無(wú)線型的是定偏心主驅(qū)動(dòng),直線型的是直線擺動(dòng)驅(qū)動(dòng))。
圖9 離散系數(shù)CV隨時(shí)間t的變化規(guī)律圖
圖9中表明:
(1)當(dāng)轉(zhuǎn)速比為有理數(shù)時(shí),CV值最終收斂恒定,表明研磨軌跡為重復(fù)的,在直線擺動(dòng)驅(qū)動(dòng)式下,CV取值在0.15~0.25之間,低于定偏心主驅(qū)動(dòng)下的CV取值區(qū)間0.35~0.9,且定偏心主驅(qū)動(dòng)下不同的轉(zhuǎn)速比取值對(duì)應(yīng)的CV值相差較大,而直線擺動(dòng)驅(qū)動(dòng)下的CV值相接近;
(2)當(dāng)轉(zhuǎn)速比為無(wú)理數(shù)時(shí),CV值呈現(xiàn)遞減趨勢(shì),表明研磨軌跡為開放的,轉(zhuǎn)速比取值和驅(qū)動(dòng)方式對(duì)軌跡分布的影響均較小,兩種驅(qū)動(dòng)方式下的CV取值相近,在0.1~0.15之間,不同轉(zhuǎn)速比下CV值也相近,但直線擺動(dòng)驅(qū)動(dòng)下的CV值小于定偏心主驅(qū)動(dòng)。
對(duì)比有理數(shù)和無(wú)理數(shù)轉(zhuǎn)速比,無(wú)理數(shù)下的CV值均小于有理數(shù)的,但定偏心主驅(qū)動(dòng)下無(wú)理數(shù)轉(zhuǎn)速比對(duì)應(yīng)的CV值明顯優(yōu)于有理數(shù)下的,直線擺動(dòng)驅(qū)動(dòng)下無(wú)理數(shù)轉(zhuǎn)速比對(duì)應(yīng)的CV值優(yōu)勢(shì)不明顯。
本文主要研究了研磨盤與工件盤轉(zhuǎn)速比取值對(duì)研磨運(yùn)動(dòng)軌跡的影響,并在相同轉(zhuǎn)速比的情況下對(duì)定偏心主驅(qū)動(dòng)和直線擺動(dòng)驅(qū)動(dòng)兩種驅(qū)動(dòng)方式進(jìn)行了對(duì)比,最后用離散系數(shù)對(duì)兩種驅(qū)動(dòng)方式在不同轉(zhuǎn)速比下的研磨軌跡均勻性進(jìn)行分析,得出了如下結(jié)論:
(1)當(dāng)轉(zhuǎn)速比為有理數(shù)時(shí),軌跡線均為重復(fù),且直線擺動(dòng)驅(qū)動(dòng)下的軌跡均勻性明顯優(yōu)于定偏心主驅(qū)動(dòng)下的,但轉(zhuǎn)速比取不同值時(shí),定偏心主驅(qū)動(dòng)對(duì)比直線擺動(dòng)驅(qū)動(dòng)下的軌跡均勻性變化較為明顯;
(2)當(dāng)轉(zhuǎn)速比為無(wú)理數(shù)時(shí),軌跡線均為開放。直線擺動(dòng)驅(qū)動(dòng)下的軌跡均勻性優(yōu)于定偏心主驅(qū)動(dòng)下的,且轉(zhuǎn)速比取不同值時(shí),兩種驅(qū)動(dòng)方式下各自的軌跡均勻性趨于相近。對(duì)比有理數(shù)與無(wú)理數(shù)轉(zhuǎn)速比,無(wú)理數(shù)轉(zhuǎn)速比下的軌跡均勻性更優(yōu)越。
本文的理論分析,對(duì)研磨加工中驅(qū)動(dòng)方式與加工參數(shù)的選擇具有一定意義,選擇直線擺動(dòng)驅(qū)動(dòng)方式和無(wú)理數(shù)轉(zhuǎn)速比,可以實(shí)現(xiàn)較好的軌跡均勻性。課題組參考對(duì)比單萬(wàn)向聯(lián)軸節(jié)和兩個(gè)串聯(lián)的行星輪系的無(wú)理數(shù)轉(zhuǎn)速比實(shí)現(xiàn)方式,正在研究新的簡(jiǎn)單穩(wěn)定的無(wú)理數(shù)轉(zhuǎn)速比研磨裝置,同時(shí)本文也為后續(xù)試驗(yàn)驗(yàn)證提供理論依據(jù)。
參考文獻(xiàn)(References):
[1] 袁巨龍.功能陶瓷的超精密加工技術(shù)[M].哈爾濱:哈爾濱工業(yè)大學(xué)出版社,2000.
[2] 周志斌,肖沙里,周 宴,等.現(xiàn)代超精密加工技術(shù)的概況及應(yīng)用[J].現(xiàn)代制造工程,2005(1):121-123.
[3] 孫 磊,郭偉剛,袁巨龍,等.超薄石英晶片超精密拋光實(shí)驗(yàn)的研究[J].機(jī)電工程,2013,30(9):1055-1058.
[4] 紀(jì)宏波,彭 巖,周芬芬,等.氧化鋯陶瓷平面零件超精密研磨實(shí)驗(yàn)的研究[J].機(jī)電工程,2013,30(9):1059-1062.
[5] 靳永吉. CMP拋光運(yùn)動(dòng)機(jī)理研究[J].IC制造設(shè)備,2005,34(9):37-41.
[6] 蘇建修,郭東明,康仁科,等.硅片化學(xué)機(jī)械拋光時(shí)運(yùn)動(dòng)形式對(duì)片內(nèi)非均勻性的影響分析[J].中國(guó)機(jī)械工程,2005,16(9):815-819.
[7] MATSUO T,TOUGE M,YAMDA H. High-precision surface grinding of ceramics with superfine grain diamond cup wheels[J].AnnalsofCirp,1997,46(1):249-252.
[8] 鄭 文.搖擺式圓盤研磨機(jī)研磨軌跡型態(tài)的研究[J].中國(guó)重型裝備,2005(2):1-3.
[9] 簡(jiǎn)志偉.平面研磨加工路徑分析研究[D].中國(guó)臺(tái)灣:淡江大學(xué)工學(xué)院,2000.
[10] 蘇建修,郭東明,康仁科,等.ULSI制造中硅片化學(xué)機(jī)械拋光的運(yùn)動(dòng)機(jī)理[J].半導(dǎo)體學(xué)報(bào),2005,26(3):606-612.
[11] 楊昌明,朱 利,張 冒.研磨機(jī)研磨運(yùn)動(dòng)軌跡分析[J].機(jī)床與液壓,2012,40(15):7-9.
[12] 趙文宏,周兆忠,文東輝,等.定偏心和不定偏心平面研磨均勻性的研究[J].金剛石與磨料磨具工程,2006(3):46-49.
[13] 盛繼生,文東輝,計(jì)時(shí)鳴.主動(dòng)驅(qū)動(dòng)條件下研磨軌跡均勻性的研究[J].農(nóng)業(yè)機(jī)械學(xué)報(bào),2010,41(4):209-212.
[14] 姬孟托,洪 滔,文東輝,等.無(wú)理數(shù)轉(zhuǎn)速比下的平面研磨軌跡均勻性研究[J].機(jī)電工程,2016,33(5):532-536.
[15] ZHAO D, WANG T, HE Y, et al. Kinematic optimization for chemical mechanical polishing based on statistical analysis of particle trajectories[J].IEEETransactionsonSemiconductorManufacturing,2013,26(4):556-563.
[16] HOCHENG H, TSAI H Y, TSAI M S. Effects of kinematic variables on non-uniformity in chemical mechanical planarization[J].InternationalJournalofMachineTools&Manufacture,2000,40(11):1651-1669.
[17] 史榮昌.矩陣分析[M].北京:北京理工大學(xué)出版社,1996.
[18] 姬孟托.基于無(wú)理數(shù)轉(zhuǎn)速比的平面研磨拋光均勻性研究[D].杭州:浙江工業(yè)大學(xué)機(jī)械工程學(xué)院,2016.