TI GaN功率設(shè)計(jì)可高效驅(qū)動(dòng)200 V交流伺服驅(qū)動(dòng)器和機(jī)器人

德州儀器(TI)推出一項(xiàng)創(chuàng)新的三相氮化鎵(GaN)逆變器參考設(shè)計(jì)，可幫助工程師構(gòu)建200 V、2 kW交流伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和下一代工業(yè)機(jī)器人，具有快速的電流回路控制、更高的效率、更精確的速度和轉(zhuǎn)矩控制。

三相高頻GaN逆變器參考設(shè)計(jì)采用TI去年最新推出的LMG3410 600 V、12 A GaN功率模塊，具有集成FET、柵極驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能。 GaN模塊可使設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)比硅FET快5倍，可在100 kHz時(shí)實(shí)現(xiàn)高于98%的效率水平，在24 kHz脈寬調(diào)制(PWM)頻率下，可實(shí)現(xiàn)高于99%的效率水平。使用GaN，設(shè)計(jì)人員可以優(yōu)化開(kāi)關(guān)性能，減少電機(jī)的功率損耗，并可降低散熱片的尺寸以節(jié)省電路板空間。與低電感電機(jī)配合使用時(shí)，以100 kHz運(yùn)行逆變器，可大幅改善轉(zhuǎn)矩脈動(dòng)。