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碳納米管:讓晶體管加速退出歷史舞臺(tái)

2017-01-20 09:51游宇翔
中國(guó)纖檢 2016年12期
關(guān)鍵詞:納米管硅片晶體管

游宇翔

如果你關(guān)注碳納米管,那你肯定聽(tīng)過(guò)這些描述:“碳納米管是最好的……”“碳納米管是革命性的”。1991年,日本科學(xué)家飯島澄男在《自然》雜志上發(fā)表一篇論文,碳納米管這項(xiàng)技術(shù)由此出現(xiàn)。前途看起來(lái)一片光明,材料學(xué)家似乎戴著墨鏡都能感受到光明。人們期望通過(guò)碳納米管和硅芯片技術(shù)生產(chǎn)更小、更快和更高效的晶體管以改變世界電子工業(yè)。

電子工業(yè)領(lǐng)域?qū)σ环N由一個(gè)碳原子厚度的碳晶體制成的單壁管很感興趣,這種晶體管的直徑為1納米,約為人類頭發(fā)直徑的萬(wàn)分之一。

碳和硅均為半導(dǎo)體。然而,由于其體積都很小,由碳納米管制成的半導(dǎo)體管,在芯片上設(shè)置導(dǎo)體管的數(shù)量為數(shù)十億個(gè),遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于用硅片制成的晶體管。

碳納米芯片不僅更小,處理速度也更快、更高效,而且其發(fā)熱量比硅片更低。換句話說(shuō),碳納米芯片具有極高的處理速度和更長(zhǎng)的電池壽命,發(fā)熱量也不會(huì)很高,也無(wú)需風(fēng)扇散熱。所以,當(dāng)飯島發(fā)表論文時(shí),也就不難理解為什么業(yè)界那么興奮。

實(shí)際上,有三大難題阻礙著碳納米電子技術(shù)形成規(guī)?;I(yè)。

1.混合問(wèn)題。納米管造出來(lái)時(shí),有兩種類型的碳納米管將會(huì)混雜在一起。一種類型是半導(dǎo)體,它是制造集成電路所必須的。另一種類型是金屬,導(dǎo)電性與電線相當(dāng),但它能顯著降低甚至破壞集成電路的性能。碳納米管制成可靠的集成電路要求納米管是百分之百的半導(dǎo)體,而目前已有方法分離金屬碳納米和半導(dǎo)體。

2.電阻問(wèn)題。通過(guò)納米管和集成電路的金屬組件之間的連接,使其導(dǎo)電是個(gè)問(wèn)題,因?yàn)殡娮钑?huì)隨著連接物尺寸的減小而增大。人們需要有效地利用碳納米管,包括10納米以及10納米以下的連接物。但從結(jié)果來(lái)看,電阻過(guò)高導(dǎo)致無(wú)法實(shí)現(xiàn)。增加芯片的尺寸就意味著減少芯片上的納米管,如此一來(lái),碳納米管相對(duì)于硅片的優(yōu)勢(shì)也會(huì)消失。

3.隊(duì)列問(wèn)題。當(dāng)今世界上最先進(jìn)的電腦芯片是一顆14納米制成的芯片,上面有超過(guò)70億個(gè)晶體管。從硅片到碳納米管的轉(zhuǎn)變使在同一空間可放置更多的晶體管。要在一個(gè)極小的表面上放置數(shù)十億個(gè)晶體管,這要求精確地對(duì)齊校準(zhǔn)和納米管的間距?,F(xiàn)在的問(wèn)題就是要找到可靠的方法以實(shí)現(xiàn)這一精密布局。

混合問(wèn)題

去年4月,美國(guó)伊利諾伊大學(xué)一團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)出一種廉價(jià)的方法,以此消除金屬和半導(dǎo)體碳納米管混合物中的金屬碳納米管。他們找到一張位于金屬條上的碳納米管,并在納米管上涂了一層有機(jī)金屬,然后在這個(gè)金屬條上傳導(dǎo)一陣低壓電流。此時(shí)導(dǎo)電的金屬納米管發(fā)熱了,而半導(dǎo)體納米管的溫度保持不變因?yàn)樗粚?dǎo)電。高熱會(huì)熔化涂在金屬納米管上的有機(jī)材料,它會(huì)因此變干、腐蝕,所以人們選擇這種方法除去金屬碳納米管,留下半導(dǎo)體碳納米管。

美國(guó)麥克馬斯特大學(xué)一小組提出解決混合問(wèn)題的另一方案。有許多方法隔離金屬碳納米管,包括通過(guò)安裝半導(dǎo)體碳納米管在負(fù)電子聚合物內(nèi)把半導(dǎo)體碳納米管消除掉。研究人員修改了電子聚合物,使其處于少電子狀態(tài)。這一簡(jiǎn)單的改變扭轉(zhuǎn)了其凈化過(guò)程。在聚合物上的金屬碳納米管被清除掉,只留下半導(dǎo)體碳納米管。

電阻問(wèn)題

去年,美國(guó)IBM公司一主導(dǎo)團(tuán)隊(duì)報(bào)道了解決這個(gè)電阻問(wèn)題,即用典型的金屬接觸器一般連接在碳納米管的頂部或四周,IBM團(tuán)隊(duì)把接觸器安置在碳納米管的兩端。他們?cè)诩{米管上加入金屬部件,并把它加入到鉬硬質(zhì)合金集成電路上。

英特爾公司也在現(xiàn)有頂級(jí)芯片制程中使用了14納米。英特爾打算在2017年推出10納米制程的芯片。IBM的團(tuán)隊(duì)創(chuàng)建了碳納米晶體管。試驗(yàn)顯示,接觸長(zhǎng)度從300納米減少到10納米,其電阻并沒(méi)有增加。

排列問(wèn)題

2014年3月,美國(guó)威斯康星大學(xué)一團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)出一項(xiàng)技術(shù),稱之為“劑量控制,浮動(dòng)蒸發(fā)自組裝”,這給隊(duì)列問(wèn)題提供了一解決方案。其工作原理是,在一個(gè)容器里裝點(diǎn)水,然后將一個(gè)薄的矩形底板置于容器底部。試想象一6英寸的尺子在一平底鍋外面豎直起來(lái)的樣子。一滴包含半導(dǎo)體納米管的溶液滴進(jìn)底板附近的水里。結(jié)果液滴在水面上擴(kuò)散開(kāi)來(lái),碳納米管穿過(guò)底板表層,而底板的表面又與水接觸。

為控制沉積在底板上的碳納米管的厚度和密度,應(yīng)緩慢地把底板從水里拉上來(lái)。隨著底板慢慢拉出,水里的碳納米管已所剩無(wú)幾,最后就都流失掉。若這個(gè)底板達(dá)到要求的厚度,又往里滴一滴碳納米管溶液,這只是重復(fù)了之前的動(dòng)作。但該過(guò)程在碳納米管間產(chǎn)生一系列精確的碳納米管隊(duì)列,之后可用在集成電路上。不久的將來(lái),威斯康星團(tuán)隊(duì)將開(kāi)發(fā)出排列整齊的納米管。

融會(huì)貫通

2013年9月,美國(guó)斯坦福大學(xué)一研究小組在《自然》雜志上發(fā)文,描述了第一臺(tái)裝載碳納米管的電腦。這臺(tái)電腦的處理器有178個(gè)晶體管,均用碳納米管制成,其性能相當(dāng)于英特爾1971年出售的第一批處理器。以今天的標(biāo)準(zhǔn)來(lái)看,這個(gè)系統(tǒng)確實(shí)落后,但不可否認(rèn)的是,碳納米管可代替硅片制造電腦。

三年后,今年9月2日,威斯康星大學(xué)研究小組在《科學(xué)》雜志上發(fā)文稱,研究人員利用陣列問(wèn)題、混合問(wèn)題和電阻問(wèn)題解決方案制造了碳納米晶體管。這種碳納米管的性能比現(xiàn)今最先進(jìn)的硅晶體管更加出色。該文出版前,碳納米管相對(duì)于硅的優(yōu)越性只是在理論模型上表現(xiàn)過(guò)。該團(tuán)隊(duì)讓碳納米管制造的半導(dǎo)體管發(fā)揮出最先進(jìn)的性能,從而使該領(lǐng)域從理論走向現(xiàn)實(shí),實(shí)現(xiàn)了飛躍。

碳納米管器件的性能確實(shí)是巨大的進(jìn)步,但也僅僅是一步而已。在不久的將來(lái),我們不會(huì)再使用設(shè)置碳納米芯片的電子設(shè)備,這里的關(guān)鍵詞是“不遠(yuǎn)的將來(lái)”。2016年8月31日,日本富士通半導(dǎo)體公司宣布,他們將于2018年底在產(chǎn)品中使用Nantero公司的碳納米管隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。

人們普遍認(rèn)為,硅片的處理能力最多也就只能持續(xù)到2019年。為此,IBM正在努力制造可行的碳納米商用芯片,并計(jì)劃在2020年投入市場(chǎng)。會(huì)成功嗎?沒(méi)人敢保證。但最近的進(jìn)步正在克服碳納米管集成電路中的各種問(wèn)題,可能還會(huì)遇到更多問(wèn)題,但碳納米管取代晶體管已成為必然。

(據(jù)美國(guó)財(cái)富雜志最新資料http://www.forbes.com/sites/kevinmurnane/2016/09/08/carbon-nanotubes-are-getting-closer-to-making-our-electronic-devices-obsolete/#7600316043bb)

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