張藝耀,馮長江
(1.空軍總醫(yī)院 特診科,北京 100142;2.軍械工程學(xué)院 車輛與電氣工程系,河北 石家莊 050003)
射頻衰減器的數(shù)值計(jì)算及仿真
張藝耀1,馮長江2
(1.空軍總醫(yī)院 特診科,北京 100142;2.軍械工程學(xué)院 車輛與電氣工程系,河北 石家莊 050003)
文中主要研究衰減器在射頻域的數(shù)值計(jì)算問題。通過運(yùn)用轉(zhuǎn)移參量A和散射參量S,對(duì)T型網(wǎng)絡(luò)和Π型網(wǎng)絡(luò)的電阻取值進(jìn)行了理論研究,推導(dǎo)出了計(jì)算公式,進(jìn)而計(jì)算了特征阻抗Zo為50 Ω時(shí)T型網(wǎng)絡(luò)和Π型網(wǎng)絡(luò)電阻值,并用仿真軟件驗(yàn)證了電阻取值的科學(xué)性和實(shí)用性。
衰減器;T型網(wǎng)絡(luò);Π型網(wǎng)絡(luò);射頻;仿真
談到衰減器,多數(shù)人會(huì)簡單地認(rèn)為是電阻分壓,實(shí)際不然。雖說它的主要功能是信號(hào)的衰減,但在射頻系統(tǒng)中,需要考慮移相、端口匹配、信號(hào)反射等諸多方面,因此,既便是電阻的分壓,對(duì)阻值也有嚴(yán)格的要求。本文針對(duì)射頻衰減器的設(shè)計(jì)開展研究。
衰減器的種類很多,有L型、T型、Π型、雙T型等等,最基本的、最常用的是T型和Π型。主要為電阻型衰減器,雖說是以電阻構(gòu)成,但并不是簡單的分壓。由于工作于射頻段,對(duì)它的分析和設(shè)計(jì)需要用到射頻網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)中的轉(zhuǎn)移參量和散射參量[1-2]。
轉(zhuǎn)移參量反映了網(wǎng)絡(luò)輸入輸出端口的電壓和電流的關(guān)系,它最大的特點(diǎn)是對(duì)于復(fù)雜網(wǎng)絡(luò)可以用簡單網(wǎng)絡(luò)的級(jí)聯(lián)方式表達(dá)。這樣就很方便寫出一個(gè)復(fù)雜網(wǎng)絡(luò)的轉(zhuǎn)移矩陣。下面以T型網(wǎng)絡(luò)為例,寫其轉(zhuǎn)移矩陣。
圖1(a)是簡單的串聯(lián)電阻網(wǎng)絡(luò),它的轉(zhuǎn)移矩陣[As]為:
圖1(b)是簡單的并聯(lián)電阻網(wǎng)絡(luò),它的轉(zhuǎn)移矩陣[Ap]為:
根據(jù)轉(zhuǎn)移矩陣復(fù)雜網(wǎng)絡(luò)可由簡單網(wǎng)絡(luò)級(jí)聯(lián)而成的性質(zhì),圖1(c)T型網(wǎng)絡(luò)的轉(zhuǎn)移矩陣[A]可如下方式得到:
若T型網(wǎng)絡(luò)的輸入特征阻抗為Zin,輸出特征阻抗為Zout,可把轉(zhuǎn)移矩陣[A]變?yōu)闅w一化轉(zhuǎn)移矩陣[a]。
圖1 簡單網(wǎng)絡(luò)及T型網(wǎng)絡(luò)
散射參量反映的是二端口網(wǎng)絡(luò)歸一化入射電壓和歸一化反射電壓的關(guān)系,它對(duì)開展射頻頻段網(wǎng)絡(luò)的反射系數(shù)和傳輸特性分析非常有優(yōu)勢。特別是衰減器要求端口使用匹配負(fù)載,要求吸收全部的入射功率,因此,采用散射參量進(jìn)行分析、計(jì)算非常方便。
散射參量的矩陣形式可寫成
其中 S11、S12、S21、S22為散射參量,S11和 S22表示電壓反射系統(tǒng),S12和S22表示電壓傳輸系數(shù)。
轉(zhuǎn)移矩陣[A]和轉(zhuǎn)移矩陣[S]的關(guān)系[3-4]:
設(shè)衰減量為G,再加之衰減器要求端口匹配、無反射[5],從而得到以下條件:
式(4)可以改寫為:
其中K=10G/10。
把式(5)、式(6)與式(3)相結(jié)合,得到以下3個(gè)等式:
把式(2)中的對(duì)應(yīng)項(xiàng)代入式(7),得出T型衰減器中電阻的計(jì)算方程:
求解式(8),得到R1、R2、R3的計(jì)算公式。
按照這樣的步驟,同樣可以計(jì)算出Π型衰減器中電阻R12、R13和R23的計(jì)算公式。也可以用電路分析中的T型網(wǎng)絡(luò)和Π型網(wǎng)絡(luò)相互轉(zhuǎn)換的知識(shí)[6-7],得到R12、R13和R23的計(jì)算公式。在此不再詳細(xì)推導(dǎo)了。
有了T型和Π型網(wǎng)絡(luò)中電阻的計(jì)算公式,可以方便得到不同衰減要求的阻值大小。表1給出了在網(wǎng)絡(luò)在相同特性阻抗要求下(Zo=Zin=Zout=50 Ω),T型和Π型網(wǎng)絡(luò)中電阻與衰減值的對(duì)應(yīng)關(guān)系。
表1 T型和Π型網(wǎng)絡(luò)中電阻與衰減值的對(duì)應(yīng)關(guān)系
由于衰減器工作于射頻區(qū),要想通過實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證各衰減值下的電阻取值是否可行,難度較大。實(shí)際上在工程實(shí)現(xiàn)時(shí),通過微元件、微帶線以及PCB板的選材和設(shè)計(jì),可以很大程度上減小分布參數(shù)的影響,達(dá)到較理想的結(jié)果。因此,對(duì)電阻取值的驗(yàn)證可以通過仿真的手段來實(shí)現(xiàn)。下面我們?cè)贛ULTSIM12.0仿真環(huán)境下,通過虛擬的網(wǎng)絡(luò)分析儀測量T型網(wǎng)絡(luò)和Π型網(wǎng)絡(luò)的S參數(shù),檢驗(yàn)衰減情況和端口的反射情況[8-13]。
圖2為衰減量為1 dB時(shí)的仿真介面。在電阻取值上選用三位有效數(shù)字,從網(wǎng)絡(luò)分析儀上可顯示出S參數(shù)。反映端口匹配的S11和S12其值在-80 dB以上,反映衰減量的S12、S21其值為-1 dB。
表2全面給出了從-0.1 dB至-10 dBT型和Π型衰減器S參數(shù)的仿真情況。仿真時(shí)電阻值按4舍5入的原則,均采用了3位有效數(shù)字??梢钥闯銎涠丝诘乃p值均小于-65 dB,說明端口的匹配情況良好。網(wǎng)絡(luò)的衰減量均較為準(zhǔn)確,最大的在0.2%左右。
圖2 衰減量為1dB時(shí)的仿真介面
表2 T型和Π型衰減器S參數(shù)的仿真情況
通過文中的工作可反映出運(yùn)用S參數(shù)所得到的T型和Π型衰減器中電阻的取值具有很強(qiáng)的科學(xué)性,如果我們?cè)谒p器設(shè)計(jì)上,通過合理的技術(shù)手段能保證電阻的阻值達(dá)到3位有效數(shù)字,其衰減量能準(zhǔn)確地達(dá)到我們的要求,這說明有一定的實(shí)用性。但本文僅研究了衰減器中電阻的取值,屬于固定衰減量的衰減器。接下來要研究的是如何把固定的衰減器變?yōu)榭煽厮p器[14-15],能按照一定的衰減步長進(jìn)行控制,這樣它的實(shí)用性就更強(qiáng)了。
[1]黃玉蘭.射頻電路理論與設(shè)計(jì)[M].2版.北京:人民郵電出版社,2014.
[2]黃智偉.射頻電路設(shè)計(jì)[M].北京:電子工業(yè)出版社,2006.
[3]孟慶鼐.微波技術(shù)[M].合肥:合肥工業(yè)大學(xué)出版社,2005.
[4]孫緒保.微波技術(shù)與天線[M].2版.北京:機(jī)械工業(yè)出版社,2015.
[5]李志昂.超寬帶低相移五位數(shù)控衰減器的研究和設(shè)計(jì)[D].西安:西安電子科技大學(xué),2013.
[6]陳長興,李敬社,段小虎.電路分析基礎(chǔ)[M].北京:高等教育出版社,2014.
[7]邱關(guān)源,羅先覺.電路[M].5版.北京:高等教育出版社,2011.
[8]聶典,李北雁,聶夢晨,等.Multisim 12仿真設(shè)計(jì)[M].北京:電子工業(yè)出版社,2014.
[9]侯亞玲.基于Multisim 10.0的模擬電路仿真分析[J].電子設(shè)計(jì)工程,2015(23):177-178.
[10]李松松,李響,高曉也.Multisim10在射頻電路實(shí)驗(yàn)教學(xué)中的應(yīng)用研究[J].現(xiàn)代電子技術(shù),2010(18):172-175.
[11]陳達(dá)軍,于肇賢.計(jì)算機(jī)仿真在多級(jí)放大電路設(shè)計(jì)中的應(yīng)用[J].現(xiàn)代電子技術(shù),2015(18):30-33.
[12]王立華.基于Multisim10的射頻LNA仿真和設(shè)計(jì)[J].電子設(shè)計(jì)工程,2012(9):23-25.
[13]馬楠,周焱.EDA在射頻電子電路設(shè)計(jì)中的應(yīng)用[J].山西電子技術(shù),2005(2):27-28.
[14]王文欽.基于HMC346型壓控衰減器的寬帶壓控衰減器設(shè)計(jì)[J].電子設(shè)計(jì)工程,2006(5):25-28.
[15]趙碧杉,曾攀,謝桂輝.一種可編程寬帶放大器的設(shè)計(jì)[J].電子設(shè)計(jì)工程,2009(7):26-28.
Numerical computation and simulation of RF attenuator
ZHANG Yi-yao1,F(xiàn)ENG Chang-jiang2
(1.Special Clinic,Air Force General Hospital,Beijing 100142,China;2.Department of Vehicle and Electrical Engineering,Ordnance Engineering College,Shijiazhuang 050003,China)
In this paper,we mainly consider the numerical computation problem of attenuator in the RF domain.By using transfer parameter A and scatter parameter S,a theoretical research has been done in resistance value of type T and type Π networks,and an induction on computation equation has been made.Then we calculate the resistance value of type T and type Π networks when characteristic impedance is 50 Ω,and use a simulation software to verify the reasonability and practicability.Key words:attenuator;type T network;type Π network;RF(Radio Frequency);simulation
TN715
A
1674-6236(2016)18-0178-04
2016-01-26 稿件編號(hào):201601245
張藝耀(1981—),女,河南漯河人,碩士研究生,工程師。研究方向:電子智能控制。