魏圣泉,鄭玉斌,王玉潔,袁寶國
(合肥工業(yè)大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院,合肥 230009)
鈦合金由于其優(yōu)異的力學(xué)性能以及耐高溫、抗腐蝕性強等特點,在航空航天領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用[1—3]。長久以來,氫元素的富集一直被認為是導(dǎo)致鈦合金發(fā)生氫脆的主要原因;而近年來的研究發(fā)現(xiàn),適當含量的氫,可以改變鈦合金的顯微組織,從而改善鈦合金的加工性能[4]。如1959年西德學(xué)者Zwiecker和Schleicher發(fā)現(xiàn),適當含量的氫有利于改善鈦合金熱壓力加工性能;李曉華[5]發(fā)現(xiàn)一定含量的氫可以明顯減小鈦合金的高溫變形流變應(yīng)力,如氫含量為0.3%(質(zhì)量分數(shù))時,流變應(yīng)力峰值降低36% ~60%,變形溫度降低50℃。
基于密度泛函理論的第一性原理是基于體系的哈密頓量,通過求解多粒子體系的薛定諤方程來研究體系的電子結(jié)構(gòu)[6]。劉林飛[7]等人借助第一原理贗勢平面波的方法,計算出了C,N,O在α鐵中的擴散激活能,得出的結(jié)果與實驗的誤差小于6.2%;尚家香[8]等人通過第一性原理方法研究了氫原子在B2-NiAl和Cr合金中的占位以及對鍵合作用的影響,預(yù)測H在B2-NiAl/Cr體系中主要占據(jù)Cr的四面體間隙位置。
本研究采用第一性原理方法對Ti-H體系的幾何結(jié)構(gòu)和電子能量進行計算,研究不同氫含量對Ti-H體系結(jié)構(gòu)和能量變化的影響。
鈦具有2種同素異形體,在882.5℃以下為密排六方結(jié)構(gòu)(hcp)的α鈦晶體;882.5℃至熔點間為體心立方結(jié)構(gòu)(bcc)的β鈦晶體??紤]到鈦的實際應(yīng)用,只取α鈦為研究對象,α鈦的理論晶格常數(shù)為:a=b=0.295 06 nm,c=0.464 78 nm,α=β=90°,γ =120°,空間群為 P63/MMC。采用超晶胞(Supercell)方法構(gòu)建了α鈦和氫物質(zhì)的量比分別為16∶1,12∶1,8∶1,6∶1,16∶3 的鈦氫結(jié)構(gòu)模型,其中氫原子占據(jù)了α鈦的八面體間隙位置,對應(yīng)氫含量(質(zhì)量分數(shù))分別為 0.13%,0.1733%,0.2597%,0.3460%,0.3891%,理論模型見圖1。
圖1 H原子位于八面體間隙的α-Ti-H晶體結(jié)構(gòu)模型Fig.1 Crystal structure models of α-Ti-H with one H atom at octahedral site
所有計算均在基于密度泛函理論(DFT)的第一原理量子力學(xué)軟件CASTEP(cambridge sequential total energy package)中進行。第一性原理又稱從頭計算,不需要任何經(jīng)驗參數(shù),只需一些必要的晶體結(jié)構(gòu)參數(shù),通過求解多粒子系統(tǒng)的薛定諤方程來精確獲得體系的結(jié)構(gòu)與能量信息。首先通過絕熱近似(波恩-奧本海默近似)[9]將電子和原子核運動分離,進而把多粒子體系轉(zhuǎn)化成多電子系統(tǒng);再利用Hartree-Fock方程與密度泛函近似理論,提出每個電子周圍所處的勢場可以看成等效勢場,體系的能量由電子密度值唯一確定,這樣就將多電子體系轉(zhuǎn)化成了單電子體系;在上述近似的基礎(chǔ)上,Kohn和Sham于1965年提出了一套用于求解多粒子系統(tǒng)能量與結(jié)構(gòu)的Kohn-Sham方程,如式(1)所示。
式中:E[ρ]為體系能量,由體系的電子密度確定,公式右側(cè)第1項代表體系的動能,第2項代表電子在相同局域勢Vext下受到的外勢場影響,第3項是體系電子之間的庫倫排斥項,第4項表示電子直接相互作用的交換關(guān)聯(lián)項[10]。Kohn-Sham方程將具有相同粒子數(shù)密度且無相互作用的粒子動能T0[ρ]替代T[ρ],把T[ρ]和T0[ρ]兩者之間的誤差部分轉(zhuǎn)移到交換關(guān)聯(lián)項Exc[ρ]中。1965年W.Kohn和L.J.Sham提出用均勻電子氣的交換關(guān)聯(lián)能密度來代替非均勻的交換關(guān)聯(lián)能密度,即所謂的局域密度近似(LDA):Exc[ρ]=∫εxc[ρ(r)]ρ(r)dr,該近似得到的模擬結(jié)果與實驗值高度吻合,在計算科學(xué)領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用[11]。1986年,J.P.Perdew和K.Burke在LDA近似的基礎(chǔ)上提出了廣義梯度近似(GGA)[12],即交換關(guān)聯(lián)項不僅與空間一點的局域密度(LDA)相關(guān),還與電子附近的密度相關(guān),即關(guān)聯(lián)于電子的密度梯度,GGA近似的表示方程如下:,實際應(yīng)用中經(jīng)常采用的交換關(guān)聯(lián)勢有PW91,PBE,Beeke,RPBE等。
基于上述理論基礎(chǔ),采用周期性邊界條件,用平面波基組展開多電子體系,Kohn-Sham方程中的外部勢Vext采用超軟贗勢(USP)表示,交換關(guān)聯(lián)能運用GGA下的PW91泛函近似,平面波截止能量精度設(shè)為Precise并調(diào)高Ecut為360 eV,布里淵區(qū)K點取值精度為Fine級別(3×5×5)。采用BFGS算法對電子體系進行幾何優(yōu)化,收斂條件設(shè)置如下:原子總能量收斂值為5.0×10-6eV/atom,原子的最大位移偏差值為5.0×10-4nm,原子的最大受力值小于0.01 eV/atom,最大應(yīng)力值小于0.02 GPa。
將不同氫含量的α鈦超晶胞完全弛豫,穩(wěn)態(tài)后的晶格參數(shù)如表1所示。圖2是不同氫含量時α Ti-H的體積、體積膨脹率變化情況。在Ti晶格的八面體間隙位置引入的H原子使Ti晶格發(fā)生畸變,隨著氫含量的增加,晶胞的平衡常數(shù)a,b,c均有一定程度的增大,同時置氫后α鈦的體積與體積膨脹率變大,說明置氫加速了α Ti-H的晶格畸變。如置氫量為 0.3891%時,α鈦的膨脹率最大,達到1.8687%。比較不同氫含量α Ti-H的晶體結(jié)構(gòu)可以發(fā)現(xiàn),在低氫濃度(Ti∶H=12∶1)時晶胞保持密排六方(hcp)結(jié)構(gòu),較高氫濃度時變?yōu)樯晕⑴で拿芘帕浇Y(jié)構(gòu),體積膨脹導(dǎo)致畸變能增大,當氫濃度達到一定的限度時,晶胞結(jié)構(gòu)不穩(wěn)定,容易生成更為穩(wěn)定的Ti-H化合物[13]。
圖2 氫含量對α-鈦體積及體積膨脹率的影響Fig.2 Effect of the hydrogen content on the volume(a)and on the volume expansion rate(b)of α-titanium crystal
表1 α鈦晶體的晶格常數(shù)計算結(jié)果Table 1 Calculated results of lattice constants of α-Ti
為了討論不同濃度的氫原子在α鈦晶胞中的占位穩(wěn)定性,分別計算了氫在Ti中的雜質(zhì)形成能,雜質(zhì)形成能采用式(2)計算。
式中:Eimp為雜質(zhì)形成能,X表示Ti,H表示氫原子,Etot(X-H)表示包含氫原子在內(nèi)的α鈦體系總能量,Etot(X)表示純Ti體系總能量,Etot(H)表示一個氫原子的總能量[14]。經(jīng)計算,自由Ti原子和H原子的能量分別為-1601.012 eV和-13.310 eV,鈦氫物質(zhì)的量比為16∶1的晶胞達到穩(wěn)定后的能量為-25 679.094 9 eV,考慮到其超晶胞建模為(2×2×2)方式,換算成單晶胞得到的穩(wěn)態(tài)能量為-3 209.886 9 eV,利用相同方法計算不同氫濃度下Ti-H晶胞的穩(wěn)態(tài)能量與雜質(zhì)形成能,結(jié)果如表2所示。
表2 α鈦晶體的能量與雜質(zhì)形成能計算結(jié)果Table 2 Calculated results of energy and Eimpof α-Ti
由表2可知,隨著氫濃度的增加,Ti-H體系的穩(wěn)態(tài)能量呈逐步下降趨勢,同時雜質(zhì)形成能Eimp也隨著氫含量的增大而減小,從穩(wěn)態(tài)能量和雜質(zhì)形成能兩方面可以得出結(jié)論:高氫含量的α-Ti晶體穩(wěn)定性高于低氫含量的α-Ti晶體。
1)置氫后α鈦晶胞發(fā)生晶格畸變,導(dǎo)致Ti-H晶體發(fā)生體積膨脹,且體積膨脹率隨著氫原子濃度的增加而增大,低氫濃度時晶胞保持hcp結(jié)構(gòu),高濃度時為稍微變形的hcp結(jié)構(gòu),因晶格畸變而儲存的能量會促進Ti-H化合物的生成。
2)隨著氫含量的增加,Ti-H晶體的能量和雜質(zhì)形成能均呈下降趨勢,α鈦的穩(wěn)定性進一步增強。
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