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濺射時(shí)間對(duì)Ni/SiO2玻璃光衰減片衰減性能的影響

2015-06-23 18:10李磊湯卉王文雪

李磊 湯卉 王文雪

摘要:為了提高光衰減片整體的光衰減效果,采用真空磁控濺射法,利用真空磁控濺射儀制備納米級(jí)厚度的Ni/SiO2玻璃光衰減片.利用X-射線衍射(XRD)、原子能譜、掃描電鏡和722分光光度計(jì)等表征手段,研究濺射時(shí)間(5、10、15、20、25 min)對(duì)透光率、微觀結(jié)構(gòu)的影響.實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:當(dāng)濺射工作壓力為0.4Pa,濺射時(shí)間為25 min時(shí),金屬Ni在siO,玻璃基片上形成(111)和(200)晶面取向的鍍Ni薄膜;SiO2玻璃基片上沉積的薄膜平整,顆粒分布均勻、排列緊密;試樣的透光率達(dá)到0.41,采用磁控濺射法制備金屬Ni/SiO2玻璃復(fù)合薄膜式光衰減片滿足光纖通信需求.

關(guān)鍵詞:磁控濺射;Ni/SiO2,玻璃光衰減片;濺射時(shí)間

DoI:10.15938/j.jhust.2015.01.004

中圖分類號(hào):TN715+.1 文獻(xiàn)標(biāo)志碼:A 文章編號(hào):1007-2683(2015)01-0016-04

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