肖立娟

作為第3代新型寬禁帶Ⅱ-Ⅵ化合物短波長(zhǎng)半導(dǎo)體材料的氧化鋅（ZnO），具有3.37eV的禁帶寬度和較小的波爾半徑（1.8nm）以及高達(dá)60meV的激子束縛能，可以使ZnO在室溫下實(shí)現(xiàn)有效的激子發(fā)射，在制備藍(lán)光或紫外光等光電器件上比氮化鎵（GaN）更有優(yōu)勢(shì)，展現(xiàn)出更廣闊的應(yīng)用前景[1]。ZnO具有極高的c軸擇優(yōu)取向，本征ZnO具有極的高電阻，使它具有良好的壓電常數(shù)與機(jī)電耦合系數(shù)，可應(yīng)用于壓電、聲光等器件[2，3]。與其他半導(dǎo)體材料相比，ZnO具有無毒、原料易得、價(jià)格低廉等優(yōu)勢(shì)，因此受到國(guó)內(nèi)外的廣泛關(guān)注。為了使ZnO能達(dá)到到實(shí)際應(yīng)用的要求，需要制備高質(zhì)量ZnO的p-n結(jié)。尤其是高質(zhì)量的n型和p型的ZnO單晶薄膜。

目前n型ZnO單晶薄膜的制備已經(jīng)十分成熟，因?yàn)椋孩俦菊餮趸\薄膜中存在著大量的施主和受主缺陷，并且施主缺陷占主要，所以通過自補(bǔ)償作用后本征ZnO薄膜呈n型[4]；②ZnO為離子晶體，在ZnO中，鋅的負(fù)電性為1.65，氧的負(fù)電性為3.44，二者之差為1.79，它結(jié)晶的難易程度取決于馬德?。∕adelung）能量的大小，進(jìn)行n型摻雜時(shí)Madelung能降低所以容易進(jìn)行，p型摻雜時(shí)Madelung能升高因此p型摻雜比較困難[5，6]，這體現(xiàn)在受主雜質(zhì)在ZnO中的固溶度比較低；③對(duì)于摻雜的ZnO，施主能級(jí)較淺，受主能及較深，因此可以形成良好的n型摻雜而不能形成有效的p型摻雜。

綜上所述，p型ZnO制備的困難嚴(yán)重限制了ZnO在實(shí)際中的應(yīng)用，如何制備出高結(jié)晶度、高電子遷移率、低電阻率、性能穩(wěn)定的高品質(zhì)p型ZnO薄膜成為了亟待攻克的難關(guān)。本文就p型ZnO薄膜的研究現(xiàn)狀進(jìn)行匯總并加以比較，希望能為研究人員提供制膜的新思路。

一、p型薄膜的制備方法

ZnO薄膜的制備方法多種多樣，幾乎所有的制膜技術(shù)都可以用來制作p型ZnO薄膜，如脈沖激光沉積法（PLD）、金屬有機(jī)化學(xué)氣象沉積法（MOCVD）、分子束外延法（MBE）、噴霧熱解法（Spray-Pyrolysis）、磁控濺射法（MS）等。

用PLD法制膜其生長(zhǎng)參數(shù)獨(dú)立可調(diào)，能精確控制化學(xué)計(jì)量比，容易實(shí)現(xiàn)超薄薄膜的制備和多層薄膜的生長(zhǎng)，并且薄膜的結(jié)晶性能良好。缺點(diǎn)是熔蒸“羽輝”具有很強(qiáng)的定向性，因而形成均勻厚度膜的范圍很窄。

MOCVD法可制備大面積的均勻薄膜，通過調(diào)整原材料組分進(jìn)而控制薄膜成分，并且成本相對(duì)較低，因此具有一定的工業(yè)應(yīng)用前景。不足之處在于對(duì)襯底的溫度要求較高，如控制不好會(huì)影響ZnO薄膜的結(jié)構(gòu)。

MBE法制膜容易控制摻雜組分，并且原子層上生長(zhǎng)所制薄膜純度高、結(jié)晶性好、氧缺陷密度低、具有很好的紫外輻射特性。缺點(diǎn)在于維持超真空所需費(fèi)用高，生長(zhǎng)速率低。

Spray-Pyrolysis法制膜易于摻雜，可直接加入摻雜元素的鹽溶液進(jìn)行鍍膜，并且此方法在常壓下進(jìn)行，可減少真空環(huán)境下生長(zhǎng)的ZnO薄膜中的氧空位，此外這種方法設(shè)備與工藝簡(jiǎn)單有望實(shí)現(xiàn)規(guī)?；a(chǎn)。

MS法是目前應(yīng)用最多最成熟的制膜方法，其原理是電子在電場(chǎng)中加速與氣氛中的氬原子發(fā)生碰撞，使其電離，離化后的氬離子飛向陰極靶，并以高能轟擊靶面，使靶材發(fā)生濺射，濺射出來的靶材原子沉積在基片上形成薄膜。根據(jù)濺射源的不同分為直流、射頻和中頻磁控濺射。MS法具有沉積速率高、沉積溫度低、維持放電的靶電壓低、電子對(duì)襯底的轟擊能量小、過程易于控制和適合與大面積薄膜的制備等許多優(yōu)點(diǎn)。其不足之處在于靶材在濺射過程中容易發(fā)生靶中毒現(xiàn)象，并且很難制備出ZnO單晶薄膜。

二、p型ZnO薄膜的摻雜

研究人員已經(jīng)通過摻雜I族元素取代鋅（Zn）以及摻雜V族元素取代氧（O）制備出了p型ZnO薄膜，但薄膜的性質(zhì)不理想，無法同時(shí)滿足高空穴濃度、高載流子遷移率、低電阻率、高穩(wěn)定性等。后來人們發(fā)現(xiàn)通過施主受主共摻雜的方法所制備出的薄膜在各方面性質(zhì)均有所改善，這種方法最初由Yamamoto T[7，8]等人提出，通過他們對(duì)ZnO電子能帶結(jié)構(gòu)的理論計(jì)算表明，采用施主和受主共摻的方法可以促進(jìn)p型摻雜的進(jìn)行。n型摻雜〔鋁（Al）、鎵（Ga）、銦（In）〕可使Madelung能降低，p型摻雜〔（氮（N）、磷（P）、砷（As）〕可使Madelung能升高。施主和受主的共摻形成了受主-施主-受主復(fù)合體，使原來受主-受主間的斥力變?yōu)槭苤?施主間的引力，從而增加了施主雜質(zhì)的摻雜濃度。后來這種方法被國(guó)內(nèi)外該領(lǐng)域的研究人員廣泛應(yīng)用與完善，目前已經(jīng)成為制作p型ZnO薄膜的主要方法。另外，一些研究人員通過雙受主共摻法也制備出了p型導(dǎo)電的ZnO薄膜[9]。

1.I族元素的摻雜

IA族元素〔鉀（Li）、鋰（Na）、鈉（K）〕在摻入ZnO時(shí)除了會(huì)形成替位式雜質(zhì)還會(huì)形成間隙式雜質(zhì)，而間隙雜質(zhì)通常呈施主型，會(huì)對(duì)替位雜質(zhì)的受主作用產(chǎn)生一定的補(bǔ)償，這也是用IA族元素?fù)诫s難以制備p型ZnO薄膜的原因?；诿芏确汉碚撚?jì)算出Li、Na、K的受主電離能分別為0.11eV、0.16eV和0.29eV。從電離能的角度來看K的比較大，要使K電離需要吸收更大的能量，因此不適合用作施主摻雜，同時(shí)K的離子半徑大，摻入ZnO時(shí)會(huì)伴隨著氧空位Vo的生成，會(huì)對(duì)受主產(chǎn)生補(bǔ)償作用，限制了K作為受主摻雜源的應(yīng)用。用LiZn、NaZn、KZn表示替位式雜質(zhì)，用Lii、Nai、Ki表示間隙式雜質(zhì)。表1列出了Li、Na、K元素的缺陷形成能，通過表中數(shù)據(jù)可以看出，在替位雜質(zhì)的形成能中LiZn的最大，NaZn和KZn相差不多，這表明Na跟K相對(duì)于Li而言更容易形成受主。而在間隙雜質(zhì)的形成能中Lii最小，因而最容易形成間隙雜質(zhì)。間隙雜質(zhì)所產(chǎn)生的施主作用會(huì)補(bǔ)償替位雜質(zhì)的受主作用，此處也不適合作為p型ZnO薄膜的摻雜源。綜合考慮，Na元素是IA族里理想的摻雜源。

浙江大學(xué)楊麗麗[10]通過采用NaxZn1-x合金靶材，利用直流反映磁控濺射技術(shù)制得了一系列Na摻雜ZnO薄膜，并通過XRD、Hall、SEM及透射譜等方法測(cè)試薄膜性能，研究了襯底溫度、靶材中Na含量以及氬氧比氣對(duì)薄膜性能的影響，并最終在靶材 Na含量為0.3%（原子數(shù)百分含量），氬氧比為2∶1，襯底溫度為550℃的條件下制得了電阻率ρ=59.9Ω·cm，載流子濃度np=2.57×1017cm3，遷移率μ=4.06cm2/Vs的p型ZnO薄膜。浙江大學(xué)的韓瑋智[11]采用同樣的方法，在Na含量為0.2%（原子數(shù)百分含量），襯底溫度為500℃的條件下制備出了載流子濃度np=1.07×1018/cm3，遷移率μ=2.12cm2/Vs，電阻率ρ=13.8Ω·cm的p型ZnO薄膜。結(jié)果表明利用Na摻雜獲得了p型ZnO薄膜，并且引入Na后并沒有降低薄膜的結(jié)晶質(zhì)量，Na占據(jù)Zn的位置表現(xiàn)為受主。

雖然用Li和K摻雜制備p型ZnO的難度很大，人們還是取得了一些進(jìn)展，Zeng等人[12]以Li-Zn合金靶為靶材，通過反映磁控濺射法在氬氣（Ar）-氧氣（O2）氣氛下制備出了p型ZnO薄膜。在Li含量為0.1%（原子數(shù)百分含量），襯底溫度為510℃時(shí)得到了電阻率ρ=17.6Ω·cm，載流子濃度np=1.01×1017/ cm3，遷移率μ=3.47cm2/Vs的p型ZnO薄膜。武軍等人[13]以摻入1%氧化鉀（K2O）的ZnO陶瓷靶為靶材，采用射頻磁控濺射技術(shù)在單晶硅（111）面上成功生長(zhǎng)出了p型ZnO薄膜，并對(duì)其結(jié)構(gòu)和電學(xué)特性進(jìn)行研究，最后在襯底溫度為500℃，氧分壓為30%時(shí)得到了表面粗糙度僅為89.05nm，載流子濃度np=5.45×1017/cm3，遷移率μ=1.96cm2/Vs，電阻率ρ=5.91Ω·cm的p型ZnO薄膜。由此可見，通過選用匹配度較高的襯底，在一定條件下，也能使Li、K替代Zn的位置成為受主，但是Li原子由于半徑較小，還會(huì)形成間隙雜質(zhì)而起到施主作用，所以載流子濃度普遍偏低。

西北工業(yè)大學(xué)的張立學(xué)等[14]制備了不同比例的堿金屬摻雜ZnO靶材，利用磁控濺射法在Si（111）基片上制備不同溫度下生長(zhǎng)的c軸擇優(yōu)取向的ZnO薄膜，并研究了摻雜元素和摻雜比例對(duì)薄膜結(jié)構(gòu)和發(fā)光特性的影響，通過XRD分析得出不同元素?fù)诫s只對(duì)（002）峰峰位有微弱影響，是由于Na、K半徑比Zn大，使晶格常數(shù)增大引起的。通過AFM分析薄膜表面平整度也是由于Na、K半徑比Zn大所引起的。通過光致發(fā)光普分析堿金屬的摻雜沒有改變鋅缺陷和氧缺陷的濃度，只可改變ZnO的禁帶寬度，影響紫外峰峰位。

對(duì)IB族元素的金（Au）、銀（Ag）、銅（Cu），人們也進(jìn)行了一定的研究。與IA族元素相比IB族元素離子大小失配度較小，有可能比IA族元素更適合p型摻雜，但是Cu與Ag在ZnO中表現(xiàn)為深受主能級(jí)[15，16]，而Au有+1和+3兩個(gè)價(jià)態(tài)，情況更為復(fù)雜，這也揭示出了IB族元素作為p型摻雜源的不足。Y.F.Yan等人[17]用第一性原理計(jì)算出了IB族元素?fù)诫s后雜質(zhì)能級(jí)的位置，CuZn、AgZn、AuZn分別位于價(jià)帶頂0.7eV、0.4eV、0.5eV處，并且Ag原子具有最大的離子半徑，同時(shí)Ag原子d軌道能級(jí)與O原子p軌道能級(jí)間的排斥力也最弱，使它更容易進(jìn)行替位摻雜。因此Ag比Au、Cu更適合作為p型摻雜源。隋成華等人[18]采用ZnO-Ag陶瓷靶為靶材，采用反應(yīng)電子束蒸發(fā)法在氧化鋁上摻Ag制成p型ZnO薄膜，生長(zhǎng)溫度范圍從150～250℃，生長(zhǎng)過程中薄膜呈n型，通過退火來實(shí)現(xiàn)反型，退火溫度為300℃，所制薄膜的載流子濃度np=2.80×1016/cm3，電阻率為1.0kΩ·cm，遷移率為μ=0.22cm2/Vs ，增加退火溫度后載流子濃度開始減小，薄膜電阻率增大。孫利杰等[19]利用磁控濺射技術(shù)在Si基片上生長(zhǎng)了Ag摻雜ZnO薄膜，證明了受主缺陷是由Ag替位Zn引起的，最終得到了電阻率ρ=0.1Ω·cm，載流子濃度np=1.7×1018/cm3，遷移率μ=36cm2/Vs的p型ZnO薄膜，并在此基礎(chǔ)上制備了ZnO：Ag/ZnO同質(zhì)結(jié)I-V測(cè)試顯示出了明顯的整流特性。用Ag作為p型摻雜源制備出了性能比較優(yōu)異的薄膜，但是該方法對(duì)襯底以及工藝要求較高，因此生產(chǎn)成本相應(yīng)較高。

2.V族元素的摻雜

對(duì)V族元素N、P、As、銻（Sb）作N由于具有和O非常接近的原子半徑（0.146nm）會(huì)以氧位氮NO的形式起受主作用，并且它的受主能級(jí)較淺，約170meV，更是人們研究的重中之重。1997年，Minegshi K等[20]首次得到了摻N的p型ZnO薄膜，掀起了N摻雜ZnO的研究熱潮，常用的N摻雜源主要有一氧化氮（NO）、二氧化氮（NO2）、氨氣（NH3），很少直接用N2或者N2O是因?yàn)樵趽诫s過程中會(huì)形成（N2）O施主型雜質(zhì)，在氮?dú)猓∟2）和一氧化二氮（N2O）中都存在N-N鍵，而N-N鍵的鍵能很大，需要吸收很大的能量才能打開，因此很難得到氧位氮NO。P、As、Sb相對(duì)于N而言受主能級(jí)要深的多并且在ZnO中的固溶度比N要小，但是近些年研究者們也采用這些元素?fù)诫s并取得了一些進(jìn)展。

浙江大學(xué)的葉志鎮(zhèn)等[21]采用NH3為N源，在氧化鋁襯底上制備了N摻雜ZnO薄膜，并在襯底溫度為500℃，NH3∶O2=1∶1的條件下得到了p型膜。但是由于H對(duì)N的鈍化作用雖然薄膜呈p型，電阻率卻很大。后來Zhang Y Z等[22]對(duì)NH3摻雜的p型ZnO薄膜進(jìn)行后續(xù)退火處理，經(jīng)N2氣氛下500℃退火10min后，薄膜的電阻率從103Ω·cm降為7.73Ω·cm，說明退火工藝打破了N-H鍵，使N得到激活。李林等[23]采用等離子氣體輔助分子束外延法以NO作為N源，高純金屬Zn為靶材，Zn靶溫度為235℃，NO流量為0.6sccm的條件下在藍(lán)寶石上制備出載流子濃度np=2.6×1017/cm3，遷移率μ=0.8cm2/Vs，電阻率ρ=30Ω·cm的p型膜。在后續(xù)的試驗(yàn)中通過改進(jìn)生長(zhǎng)方法，采用激活的N2和O2混合氣體作為N源，并在生長(zhǎng)過程中采用間歇生長(zhǎng)的方式，即間歇性的關(guān)閉O2和Zn的閥門，但N等離子氣體一直照射基片，用這種方法制備了載流子濃度np=1.68×1018/cm3，遷移率μ=1.98cm2/Vs，電阻率ρ=2.5Ω·cm的p型Z n O薄膜。N元素是人們研究較早的制備p型膜的雜質(zhì)源，在摻雜的過程中應(yīng)盡量避免H的鈍化作用，從而得到高質(zhì)量的p型半導(dǎo)體。

然而在2009年Lyons對(duì)N元素的摻雜機(jī)理提出了質(zhì)疑，他在APL發(fā)表了一篇文章“why nitrogen cannot lead to p-type conductivity in ZnO”[24]并通過用理論計(jì)算證明了他們的觀點(diǎn)，即只有當(dāng)費(fèi)米能級(jí)高于價(jià)帶頂1.3eV以上，才能形成起受主作用的氧位氮NO，否則形成的NO是不帶電荷的，起不到受主作用，由此得出結(jié)論N在ZnO中是以深受主形式穩(wěn)定存在，此觀點(diǎn)又與人們之前的認(rèn)知相悖。盡管如此，Kawasaki[25]課題組在2010年通過MBE的方法以NH3為氮源在ZnMgO上面制備出了N原子濃度為1×1019/cm3的薄膜。這種理論上與實(shí)際之間的矛盾，還有待日后進(jìn)行更深入的研究。

對(duì)于用磷作為p型摻雜源近些年也取得了很大的進(jìn)展，通常采用的P源是Zn3P2和P2O5[26，27]，B Yao等人[23]采用磁控濺射法在石英襯底上生長(zhǎng)出了P摻雜的ZnO薄膜，經(jīng)過750℃空氣中退火5min后呈p型導(dǎo)電，并得出空穴的產(chǎn)生是由于形成了PZn-2VZn復(fù)合體，而不是PO。馬鳴珂等人[28]用P2O5為P源利用磁控濺射技術(shù)在石英玻璃上制備了p型ZnO薄膜，并經(jīng)后續(xù)的800℃快速退火后，使薄膜的各項(xiàng)性能得以優(yōu)化，最終得到了載流子濃度np=7.47×1017/cm3，遷移率μ=12.5cm2/Vs，電阻率ρ=6.886×10-1Ω·cm的薄膜。由于P摻雜ZnO導(dǎo)電類型的轉(zhuǎn)變嚴(yán)重依賴薄膜的生長(zhǎng)環(huán)境以及后續(xù)的退火處理，因此對(duì)制膜工藝參數(shù)的要求較高，進(jìn)行工業(yè)化生產(chǎn)的成本較大。

由于As的原子半徑比較大，摻入ZnO中As可能會(huì)有3種行為即占據(jù)Zn位、占據(jù)O位、占據(jù)Zn與O的間隙位置。至于究竟是那種起受主作用，Ryu等人做了回答[29，30]，他們通過采用分子束沉積技術(shù)生長(zhǎng)了摻As的p型ZnO，用這種方法制備的薄膜比之前用熱擴(kuò)散法制備的薄膜結(jié)晶性要好，通過PL譜分析As在ZnO里是淺能級(jí)受主，并且證明了這是由于AsZn-2VZn復(fù)合能級(jí)引起的。Wahl[31]等人通過實(shí)驗(yàn)證明了 As原子起受主作用是因?yàn)檎紦?jù)了Zn的位置而不是O的位置。種種實(shí)驗(yàn)結(jié)果均證明了2004年Limpijumnong[32]提出的大尺寸適配原子摻雜理論是正確的。近期馮秋菊等人[33]在Si（100）襯底上制備出了高取向的As摻雜ZnO納米線陣列，為ZnO基納米光電器件的實(shí)現(xiàn)提供了一種可行的p型摻雜方法。

3.共摻法

進(jìn)行ZnO的p型摻雜主要需要解決的一個(gè)問題就是受主雜質(zhì)在ZnO中的固溶度，之前人們單一摻雜I族或V族元素，通過改變實(shí)驗(yàn)參數(shù)，變換制膜方法，改進(jìn)生長(zhǎng)條件，對(duì)p型薄膜的參數(shù)進(jìn)行了優(yōu)化，雖然也制備出了一些高質(zhì)量的p型ZnO薄膜，但對(duì)實(shí)驗(yàn)條件，生長(zhǎng)條件要求較高，從經(jīng)濟(jì)的角度來看沒辦法投入到實(shí)際應(yīng)用中。常規(guī)方法進(jìn)行單元素?fù)诫s所制備的薄膜空穴濃度還是偏低，這是由于p型摻雜引起Madelung能的升高，不利于p型摻雜的進(jìn)行，因此進(jìn)入替代位置起受主作用的雜質(zhì)很少，如果通過施主和受主雜質(zhì)共同摻雜的方法就能使系統(tǒng)的Madelung能降低，使施主-受主間的引力取代原來受主間的斥力。因而人們對(duì)共摻雜方法進(jìn)行了深入的研究。常用的共摻方法一般采用N與（Al、Ga、In）等施主雜質(zhì)共摻，其中Al-N共摻法研究的比較多。浙江大學(xué)的葉志鎮(zhèn)小組[34]曾在2004年制備出了載流子濃度為7.56×1017/cm3，電阻率為94.3Ω·cm的p型ZnO薄膜。重慶師范大學(xué)的梁薇薇等[35]也采用Al-N共摻法制備了一批載流子濃度高達(dá)1×1018～6×1018/cm3，對(duì)應(yīng)的電阻率為1～9Ω·cm，遷移率為1～2cm2/Vs的優(yōu)質(zhì)p型膜，并得出了共摻的退火溫度較單一摻雜有所降低，可能與失主雜質(zhì)Al的摻入有關(guān)這一結(jié)論。該組在2008年時(shí)也曾采用In-N共摻的方法制備出了空穴濃度為1.22×1018/cm3，遷移率為2.19cm2/Vs，電阻率為2.33Ω·cm的p型ZnO薄膜[36]，并研究了退火溫度對(duì)薄膜性質(zhì)的影響，在550～600℃，退火時(shí)間在5～10min內(nèi)得到的薄膜性質(zhì)穩(wěn)定。

雖然施主-受主共摻的方法為制備p型ZnO薄膜提供了一個(gè)很好的思路，并取得了良好的效果，但此種方法也有它自身的弊端。施主-受主共同進(jìn)入ZnO，薄膜中同時(shí)存在大量的施主缺陷和受主缺陷，導(dǎo)致這種p型ZnO薄膜的導(dǎo)電均勻性很差，從大量的實(shí)驗(yàn)結(jié)果中可以看出，很多研究人員通過施主-受主共摻的方法都得到了高補(bǔ)償?shù)谋∧?，而這種薄膜是不能應(yīng)用到實(shí)際的。

近些年，一些研究人員基于密度泛函理論的第一性原理，又提出了雙受主摻雜法，比如將Li-N或Na-N同時(shí)作為受主雜質(zhì)摻入ZnO中以獲得更高摻雜濃度和更淺的受主能級(jí)。

浙江大學(xué)的林蘭、葉志鎮(zhèn)等[37]曾采用Na-N共摻法制備p型ZnO薄膜XPS分析表明，Na取代了Zn的位置作為替位受主存在，N主要以N-H鍵形式存在，至于是否存在NaZn-NO受主復(fù)合體，并沒有給出肯定的答案。解小宇等[38]用平面波超軟贗勢(shì)法，通過構(gòu)建理想模型，對(duì)Na-N共摻雜中Na與N分開和Na與N相連2種情況進(jìn)行分析對(duì)比得出Na與N分開時(shí)，雜質(zhì)元素在ZnO中更穩(wěn)定，有利于雜質(zhì)的施主作用。

對(duì)于Li-N共摻，浙江大學(xué)的盧洋番等[39]通過鈍化作用，也制備了高度c軸取向的p型ZnO薄膜。胡小穎等[40]通過第一性原理研究了Li-N、Li-2N共摻ZnO的電子結(jié)構(gòu)，基于第一性原理，采用平面波贗勢(shì)法，對(duì)Li-N共摻形成的一個(gè)雙受主缺陷，與Li-2N共摻形成的三受主缺陷進(jìn)行比較得出Li-2N體系比Li-N體系具有更高的受主雜質(zhì)濃度，并且非局域化特征更明顯，更有利于制備p型ZnO薄膜，為實(shí)驗(yàn)提供了理論支持。

三、結(jié)語

ZnO半導(dǎo)體能否在今后得到廣泛的應(yīng)用取決于能否制備出高質(zhì)量的ZnO基p-n結(jié)，尤其是能否制備出高質(zhì)量的p型ZnO。雖然目前對(duì)ZnO薄膜p型摻雜的研究已經(jīng)取得了一定的進(jìn)展，但仍有很多問題需要解決，盡管可以制備出p型ZnO薄膜，但其穩(wěn)定性不高，并且對(duì)其具體的導(dǎo)電機(jī)制，還沒有明確合理的解釋。對(duì)于摻雜元素、摻雜方法、制備方法的選擇，仍有待繼續(xù)探索；對(duì)薄膜內(nèi)電子和空穴的行為仍然需要對(duì)其進(jìn)行研究，并使理論與實(shí)驗(yàn)得到的結(jié)果相符，力圖用最經(jīng)濟(jì)的方法制備出高空穴濃度、高遷移率、低電阻率、可重復(fù)性高的p型ZnO薄膜。

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