中外合作成功研制出1.5英寸石墨烯單晶

中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所、美國德克薩斯州州立大學(xué)、香港理工大學(xué)，以及華東師范大學(xué)的研究人員合作，在國家重大技術(shù)專項(xiàng)“晶圓級石墨烯材料和器件基礎(chǔ)研究”等項(xiàng)目的支持下，在國際上首次實(shí)現(xiàn)了石墨烯單核控制形核和快速生長，成功研制出了1.5英寸石墨烯單晶。

銅表面催化生長是目前制備石墨烯薄膜的主要技術(shù)途徑，但由于無法實(shí)現(xiàn)單核控制，制備的薄膜一般為多晶，且生長速度隨著時(shí)間的推移逐漸變慢。研究人員通過向具有一定溶碳能力的Cu85Ni15合金局域提供碳源，產(chǎn)生局部碳濃度過飽和，成功解決了石墨烯單個(gè)核心控制形核這一技術(shù)難題。

據(jù)稱，通過單核控制制備晶圓級石墨烯是三維硅單晶技術(shù)在二維材料中的再現(xiàn)，對于推動(dòng)石墨烯在電子學(xué)領(lǐng)域的應(yīng)用具有重要意義。該項(xiàng)研究成果所研發(fā)的控制形核技術(shù)同時(shí)也為探索其它二維材料單晶晶圓的制備提供了新的思路。

（KX.1127）