碳納米管晶體管制造技術(shù)獲得重大突破

美國(guó)威斯康星大學(xué)麥迪遜分校在碳納米管晶體管制造技術(shù)方面獲得突破。其開(kāi)發(fā)的新型高性能碳納米管晶體管成功突破了純度和陣列控制兩大難題，開(kāi)關(guān)速度比普通硅晶體管快1000倍，比此前最快的碳納米管晶體管快100倍，使碳納米管晶體管向商業(yè)應(yīng)用邁出了關(guān)鍵一步。

目前，碳納米管被認(rèn)為是制造下一代晶體管的理想材料，但高性能的碳納米管晶體管制造面臨著兩大技術(shù)難題：一是要達(dá)到極高的純度；二是要以極高的精度進(jìn)行陣列控制。研究人員采用聚合體篩選技術(shù)找到了制造高純度碳納米管半導(dǎo)體的解決方案，采用浮動(dòng)蒸發(fā)自組裝技術(shù)，通過(guò)對(duì)碳納米管溶液的快速蒸發(fā)觸發(fā)其自組裝現(xiàn)象，解決了碳納米管的陣列控制問(wèn)題。該技術(shù)目前已申請(qǐng)專利。

（FESA）

該項(xiàng)研究成果使碳納米管晶體管取代硅芯片成為可能，不僅可應(yīng)用于消費(fèi)電子領(lǐng)域，也可應(yīng)用于工業(yè)和軍事領(lǐng)域。

(科 報(bào))