房麗婷, 曾和平, 雷亞玲, 呂梅香
(華南師范大學(xué)化學(xué)與環(huán)境學(xué)院,廣州 510006)
ZnO是一種纖鋅礦結(jié)構(gòu)的Ⅱ-Ⅵ族化合物[1],常溫下其禁帶寬度是3.37 eV,是典型的直接帶隙寬禁帶半導(dǎo)體,具有電導(dǎo)、光導(dǎo)、壓電、聲光、發(fā)光、氣敏傳感及化學(xué)催化等特性,是一種重要的功能材料[2].
通過摻雜其它元素引起ZnO能帶結(jié)構(gòu)和載流子濃度的改變,可使摻雜ZnO具有不同于本征ZnO的新特性,目前單摻雜的ZnO已得到廣泛深入的研究,主要摻雜元素有ⅢA族的B,Al,In和Ga[3],其它元素的摻雜也有報(bào)道,如Lan等[4]制備了ZnO-La薄膜得到420 nm的紫光發(fā)射; Hyundon等[5]制備了ZnO-Er薄膜,得到了465 nm左右的強(qiáng)發(fā)光帶和525 nm左右的弱發(fā)光帶.研究最多的是AZO(Al摻雜ZnO)薄膜.AZO材料因主體Zn在自然界中的儲(chǔ)量豐富,生產(chǎn)成本低,薄膜無毒、穩(wěn)定性高、制備技術(shù)簡(jiǎn)單、易于實(shí)現(xiàn)摻雜等優(yōu)點(diǎn),在光電性能方面,經(jīng)過摻雜的ZnO薄膜的性能可滿足當(dāng)今商用ITO薄膜的一切指標(biāo),在TCO薄膜中成為新的研究熱點(diǎn),應(yīng)用前景廣泛.透明導(dǎo)電薄膜具有高可見光透過率和較低的電阻率,因此既可以作為平面顯示器(FPD),太陽能平面電極材料和氣敏傳感器,也可用在節(jié)能方面,如建筑玻璃表面,汽車玻璃表面等.
近年來,研究者試圖通過共摻雜技術(shù)進(jìn)一步提高ZnO基透明導(dǎo)電膜的性能,如Mn-Co共摻雜ZnO 薄膜[6],Mn-N共摻雜ZnO 薄膜[7], Ga-P共摻雜ZnO 薄膜[8], Co-Eu共摻雜ZnO 薄膜[9]等,Y-Al共摻雜ZnO(Y-AZO)薄膜的研究也已見報(bào)道,如陽紅生等[10]采用溶膠凝膠法、旋涂成膜方式獲得了最小電阻率為1.63×102Ω·cm、可見光區(qū)平均透過率超過85%的Al-Y共摻雜ZnO透明導(dǎo)電薄膜,Tsai等[11]通過直流電源磁控濺射法以Al2O3、Y2O3為摻雜源制備出Y-AZO薄膜,研究了基體溫度對(duì)薄膜光電性能的影響.本課題組在透明導(dǎo)電膜方面的研究初見成效,彭益文等[12]采用溶膠-凝膠法在玻璃基體上制備了在可見光區(qū)透過率達(dá)到92%的納米Ce-Al共摻雜ZnO透明薄膜;余力等[13]采用浸漬提拉技術(shù)成功制備了鈰摻雜的ATO(Ce/ATO)透明薄膜,并通過測(cè)試表明;當(dāng)Ce的摻雜量為摩爾分?jǐn)?shù)1%時(shí),薄膜在可見光區(qū)的透過率超過了空白玻璃,當(dāng)Ce的摻雜量為摩爾分?jǐn)?shù)3%時(shí),薄膜在440~600 nm的平均透過率達(dá)到了92%以上.本研究通過控制變量和定量之間的濃度關(guān)系,以溶膠-凝膠浸漬提拉法制備出Y-AZO透明薄膜,并對(duì)其進(jìn)行表征.
將醋酸鋅、硝酸鋁和硝酸釔按順序和比例與乙二醇甲醚混合,加入乙醇胺穩(wěn)定劑,70 ℃加熱回流4 h,直到形成具有一定黏度的均勻淡黃色透明溶膠,本實(shí)驗(yàn)分別制備2種體系溶膠(濃度以鋅的摩爾濃度計(jì),下同),通過改變定量和變量的濃度關(guān)系(占鋅的摩爾分?jǐn)?shù),下同)來考察摻雜對(duì)薄膜結(jié)構(gòu)的影響.
表1 2種不同體系的溶膠Table 1 The sols of two different systems
本實(shí)驗(yàn)以25 mm×76 mm×0.8 mm玻璃片為基板,采用浸漬-提拉法制備Y-AZO薄膜,設(shè)備為沈陽科晶設(shè)備制造有限公司生產(chǎn)的HWTL-0.001型恒溫提拉機(jī),具體操作為:將溶膠轉(zhuǎn)入100 mL的燒杯中,放在恒溫提拉機(jī)的杯槽中,將清洗好的玻璃片裝在固定位置,用螺絲釘固定,提拉速度由電機(jī)自動(dòng)控制,調(diào)節(jié)好提拉速度控制程序開始鍍膜.本實(shí)驗(yàn)所采用的控制程序?yàn)椋合陆邓俣葹? cm/min,停留時(shí)間1 min,上升速度同下降速度一致為3 cm/min,提拉完一層后,放在100 ℃烘箱中干燥10 min,得到凝膠薄膜;然后將凝膠薄膜放入馬弗爐中緩慢加熱到400~600 ℃退火2 h,自然冷卻后,得到Y(jié)-AZO單層薄膜,重復(fù)以上提拉過程,如此反復(fù)多次操作,以達(dá)到一定的厚度.
樣品Y-AZO薄膜的物象和結(jié)構(gòu)分析采用德國Bruker公司生產(chǎn)的D8 ADVANCE型X射線衍射儀(XRD),形貌和能譜的分析用德國蔡司(FE-SEM)公司生產(chǎn)Zeiss Ultra 55型場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡(SEM),UV-Vis光譜由日本島津的UV-1700紫外可見光譜儀分析測(cè)定.
圖1、圖2分別為固定一種摻雜元素的濃度,改變另一種摻雜元素對(duì)Y-AZO晶體影響的XRD譜圖.各樣品的XRD衍射峰與標(biāo)準(zhǔn)氧化鋅衍射譜相吻合,說明通過該方法制得的單摻雜和共摻雜ZnO粒子均為六角纖鋅礦結(jié)構(gòu).固定Al摻雜量,Y摻雜量大于Al摻雜量時(shí),29°左右時(shí)開始出現(xiàn)雜峰,這歸屬于Y2O3的衍射峰[14],且雜質(zhì)峰面積隨Y摻雜量的增加而增大,而當(dāng)Y摻雜量小于或等于Al摻雜量時(shí),則不會(huì)出現(xiàn)雜峰相.固定Y摻雜量,當(dāng)Al摻雜量等于Y摻雜量時(shí),雜峰開始消失.繼續(xù)增大Al摻雜量,雜峰完全消失.可見,鋁的摻雜能促進(jìn)其他粒子的摻雜.這是因?yàn)閅離子和Al離子在ZnO晶格中主要以替代Zn離子位的形式固溶于其中,離子半徑r(Al3+) 圖1 固定Al變化Y的樣品粉體的XRD譜 圖2 固定Y變化Al的樣品粉體的XRD譜 薄膜的表面形貌與溶膠摻雜量有著直接的關(guān)系.無雜質(zhì)的樣品薄膜表面光滑平整、結(jié)構(gòu)致密(圖3),膜層晶粒分布均勻,其晶粒尺寸分布為20~30 nm,但隨著Y摻雜量增加時(shí),Y摻雜量多于Al摻雜量時(shí),薄膜層出現(xiàn)明顯的大顆粒且分布在薄膜的表面,這與樣品XRD分析相一致.從圖中還可看出,隨著Y摻雜量的增大,薄膜的粒子尺寸變小,這也和XRD圖分析的一致. 利用場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡的附件能譜儀對(duì)薄膜的成分進(jìn)行了初步分析.從圖4A中可以明顯的觀察到Zn、O、Al元素的信號(hào),說明Al成功的摻雜到ZnO中. 圖4B同樣可以觀察到Zn、O、Al,Y元素的信號(hào),進(jìn)一步說明該工藝可同時(shí)實(shí)現(xiàn)2種元素的共摻雜.圖中的Si、Mg、Ca為基底支撐材料信號(hào). 固定Y(或Al)摻雜量和薄膜層數(shù),隨著Al(或Y)摻雜量的增加,Y-AZO薄膜的紫外吸收邊向短波方向移動(dòng),即發(fā)生藍(lán)移(圖5、圖6).隨著摻雜量的增加,薄膜中載流子濃度隨之增加,增加的載流子填入導(dǎo)帶中較低能級(jí),引起光學(xué)帶隙的加寬,使得本征吸收邊向短波方向移動(dòng)(Burstein-Moss效應(yīng)和量子尺寸效應(yīng))[16].此外,各樣品薄膜在可見光區(qū)的平均透過率在87%左右,且在400 nm左右有一最高的透過率,純ZnO在387 nm有一很強(qiáng)的本征發(fā)光峰,是由價(jià)帶頂?shù)目昭ㄅc導(dǎo)帶底的電子形成的電子空穴對(duì)復(fù)合發(fā)光引起的[14],摻雜Al或Y原子后,影響了ZnO基體的能級(jí)結(jié)構(gòu),同時(shí)可能存在能量轉(zhuǎn)移,使得本征峰發(fā)生紅移[14],比較圖2可知,釔對(duì)ZnO本征峰的影響強(qiáng)于鋁. 圖3 各Y-AZO薄膜的SEM 圖4 AZO(A)和Y-AZO樣品(B)的EDS能譜 圖5 含Al不同質(zhì)量分?jǐn)?shù)薄膜的UV-VIS譜 圖6 含Y不同質(zhì)量分?jǐn)?shù)薄膜的UV-VIS譜 本實(shí)驗(yàn)以相同的方法配置了0.3 mol/L和0.6 mol/L的AZO溶膠,在只保證薄膜濃度不同的條件下測(cè)試了其UV-VIS圖,由圖7可知0.6 mol/L的4層薄膜與0.3 mol/L的14層、0.6 mol/L的5層與0.3 mol/L的16層表現(xiàn)出相似的截止紫外線的能力,且兩者在可見區(qū)的透過率都比較高.說明滿足一定性能要求下,通過增加溶膠濃度可減少鍍膜層數(shù),有利于工業(yè)生產(chǎn),但是,溶膠的濃度繼續(xù)增加,如達(dá)到1 mol/L和2 mol/L,會(huì)嚴(yán)重導(dǎo)致薄膜的不透明. 溶膠的濃度為1 mol/L時(shí),薄膜平均可見透過率為70%左右(表2),當(dāng)濃度增加到2 mol/L時(shí),平均可見透過率降為15%. 圖7 不同AZO溶膠濃度薄膜的UV-VIS譜 表2 不同質(zhì)量濃度和薄膜層數(shù)的AZO薄膜可見光區(qū)的透過率Table 2 The visble transmittance of AZO thin films with different concentrations 薄膜層數(shù)的影響與溶膠濃度影響類似,在一定范圍內(nèi),增加薄膜層數(shù)會(huì)顯著增加薄膜的光學(xué)性能(圖8),但是超過了一定范圍(15層),薄膜光譜選擇性的變化隨薄膜厚度改變的效果逐漸變小,考慮到工業(yè)生產(chǎn)的成本問題,選擇最優(yōu)化的溶膠濃度和鍍膜層數(shù)是必要的. (1)利用溶膠-凝膠法制備了釔鋁共摻雜氧化鋅(Y-AZO)薄膜,測(cè)試結(jié)果表明, 摻雜后的Y-AZO納米晶粒為典型的六角纖鋅礦晶體結(jié)構(gòu),且具有很高的結(jié)晶度,平均顆粒粒徑為30 nm;樣品薄膜有一定的截止紫外線的功能,在可見光區(qū)的平均透過率為87%,接近超白玻璃. 圖8 0.3 mol/L溶膠不同層數(shù)薄膜的UV-VIS譜 (2)制備過程中的溶膠濃度、摻雜量、涂膜層數(shù)對(duì)薄膜性能有影響,一定范圍內(nèi)(濃度小于0.6 mol/L,層數(shù)小于15層)增加溶膠濃度和薄膜厚度,可增加薄膜單位體積內(nèi)有效粒子的數(shù)目,從而提高薄膜的光學(xué)性能;共摻雜時(shí),若釔的量高于鋁的量,樣品中則會(huì)出現(xiàn)氧化釔顆粒.若鋁的量高于或等于釔的量,則不會(huì)有雜質(zhì)出現(xiàn);摻雜量的變化同樣會(huì)影響到薄膜的光譜選擇性. 參考文獻(xiàn): [1] 袁玉珍,王輝,劉漢法,等.膜厚對(duì)Zr,Al共摻雜ZnO透明導(dǎo)電薄膜結(jié)構(gòu)和光電性能的影響[J].人工晶體學(xué)報(bào),2010,39(1):169-173. Yuan Y Z, Wang H, Zhang H F, et al. Effect of film thickness on structure and optoelectrical properties of Zr, AlCo-doped ZnO transparent conducting thin films[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2010,39(1):169-173. [2] 張化福,劉漢法,袁長(zhǎng)坤.鋁鋯共摻雜氧化鋅透明導(dǎo)電薄膜的低溫制備及特性研究[J].真空科學(xué)與技術(shù)學(xué)報(bào),2010,30(3):306-310. Zhang H F, Liu H F, Yuan C K, et al. Low temperature growth and properties of Al-Zr-doped ZnO films[J]. 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2.3 摻雜量對(duì)薄膜UV-VIS的影響
2.4 AZO濃度對(duì)薄膜UV-VIS的影響
2.5 鍍膜厚度對(duì)薄膜UV-VIS的影響
3 結(jié)論
華南師范大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版)2014年2期