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深入探究內(nèi)層差分阻抗實(shí)測值比設(shè)計(jì)值偏高之秘

2014-07-31 07:19
印制電路信息 2014年7期
關(guān)鍵詞:反推電勢差分

何 洪

(深圳市賽碩爾科技有限公司,廣東 深圳 518000)

1 前言

隨著電子、通信產(chǎn)品的飛速發(fā)展,信號高頻化,高速化趨勢越來越顯著。在PCB制造業(yè)中,阻抗控制也日益普及并成為常規(guī)控制項(xiàng)目,阻抗控制越來越復(fù)雜,如同一層上要求的單線和差分類型增多,同時(shí)阻抗控制公差也越來越嚴(yán)格,由±10%向±7%、±5%、±3%方向發(fā)展。相信PCB制造業(yè)界對阻抗要求和控制有很深的了解和體會(huì)。但筆者在實(shí)際生產(chǎn)過程會(huì)時(shí)常遇到一個(gè)棘手問題是內(nèi)層差分阻抗線(Differential Stripline)實(shí)測阻抗比預(yù)測值偏高。與業(yè)內(nèi)同行交流中發(fā)現(xiàn),似乎在整個(gè)PCB業(yè)界都遇到過同樣的問題,這個(gè)問題困擾筆者多年。本文根據(jù)近年來實(shí)際的生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)和對阻抗模型計(jì)算方面的深入研究,試圖解開這個(gè)謎團(tuán),希望能對業(yè)者有所幫助。

2 實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)

為了獲得較多的、準(zhǔn)確的阻抗數(shù)據(jù),我們設(shè)計(jì)了一個(gè)厚約1.42 mm(56 mil)10層實(shí)驗(yàn)板;基材使用ISOLA IS415。

(1)實(shí)驗(yàn)板疊構(gòu)如圖1。

(2)實(shí)驗(yàn)板上共設(shè)計(jì)16根阻抗coupon(付連板)。每根阻抗條有6組阻抗線single-end,differential各3組。

實(shí)驗(yàn)板上阻抗條設(shè)計(jì)Layout圖和成品實(shí)物板圖如圖2。

3 實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)收集

因?qū)嶒?yàn)數(shù)據(jù)量非常大,本文將以L5層參考L4,L7層阻抗100 W;設(shè)計(jì)成品線寬0.10 mm(4 mil),間距0.19 mm(7.8 mil)的內(nèi)層差分阻抗線為例進(jìn)行分析。

(1)實(shí)測阻抗值數(shù)據(jù):

阻抗測量之前安裝測量設(shè)備操作規(guī)范對泰克TDR、Probe進(jìn)行了檢查,100 W空氣線校準(zhǔn)。

(2)阻抗線切片數(shù)據(jù):

為盡量保證切片數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性,每組阻抗線我們分別在A,B,C三個(gè)位置進(jìn)行切片。切片位置及阻抗計(jì)算參數(shù)切片量測示意圖如圖3。詳細(xì)數(shù)據(jù)如表1。

4 實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)分析

4.1 實(shí)測阻抗值Cp、Cpk分析

做實(shí)測阻抗Cp、Cpk分析的目的是了解實(shí)測阻抗值的分布情況。重點(diǎn)是分析阻抗設(shè)計(jì)參數(shù)的問題,希望加工后的阻抗條符合設(shè)計(jì)要求。如果實(shí)測阻抗值數(shù)據(jù)分布很分散,那么由加工流程變異造成的誤差過大,數(shù)據(jù)也不能用于分析設(shè)計(jì)問題。

注:切片樣品編號6-16數(shù)據(jù)無異常,阻抗實(shí)測值在110.82Ω~106.25Ω之間,列表省略了。

由于實(shí)測阻抗值偏離目標(biāo)值太多,如果以目標(biāo)值100 W進(jìn)行Cpk分析,Cp會(huì)很大,Cpk會(huì)非常小,實(shí)際參考意義不大。我們先拋開設(shè)計(jì)目標(biāo)值,只看測試得到的數(shù)據(jù),觀察其分布情況。

以110 W±11 W 公差為上下限進(jìn)行Cpk分析,實(shí)測阻抗值的數(shù)據(jù)集中性非常好,Cp>2, Cpk>1.66已達(dá)到6sigma水平。結(jié)合切片數(shù)據(jù)來看,線寬、銅厚數(shù)據(jù)波動(dòng)不大,數(shù)據(jù)適合進(jìn)一步分析。

4.2 阻抗模擬計(jì)算

(1)阻抗模擬計(jì)算我們使用業(yè)界普遍使用英國Polar公司SI9000阻抗計(jì)算軟件。

(2)從16個(gè)切片數(shù)據(jù)中選取實(shí)測阻抗值最接近阻抗值平均值的編號15的切片數(shù)據(jù)帶入SI9000進(jìn)行模擬計(jì)算:

阻抗計(jì)算參數(shù)如下。

相對介電常數(shù)Er參數(shù)值選取參照ISOLA IS415 Datasheet中頻率2GHz的數(shù)據(jù)。實(shí)驗(yàn)板疊構(gòu)中使用0.101 mm(4 mil)core和2116PP,因0.101 mm(4 mil)core也是2116PP壓合而成,故我們都使用2116PP的Dk參數(shù)(注:本文中Dk,Er均表示相對介電常數(shù)。

Er1=3.7,對應(yīng)介電層為疊構(gòu)中L4-L5:0.101 mm(4 mil )core;Er2=3.7,對應(yīng)介電層為疊構(gòu)中L5-L7:3張2116PP+0.101 mm(4 mil)core。

使用SI9000中標(biāo)準(zhǔn)的Differential stripline模型計(jì)算阻抗結(jié)果如圖5。

按實(shí)際切片數(shù)據(jù)計(jì)算出的阻抗與設(shè)計(jì)值一致,可見受控的加工流程產(chǎn)生的誤差對阻抗結(jié)果影響非常小。

那為是什么導(dǎo)致實(shí)測阻抗值比設(shè)計(jì)值高出這么多呢?

有兩種可能(阻抗測量前已對測量設(shè)備進(jìn)行校驗(yàn),可以排除測量誤差):

Dk數(shù)據(jù)可能不準(zhǔn)確,因?yàn)槌善穼?shí)驗(yàn)板的Dk參數(shù)是唯一我們無法實(shí)際測量。

設(shè)計(jì)值有問題,SI9000阻抗計(jì)算模型可能不準(zhǔn)確。

首先SI9000反推計(jì)算看看什么Dk值可以達(dá)到109歐阻抗值。當(dāng)Er1,Er2=3.1時(shí)阻抗值達(dá)到109 W。Dk=3.1與ISOLA datasheet中 2116的Dk=3.7相差甚遠(yuǎn),參考目前普通FR4中最Low Dk,Low Df基材松下Megtron62116PP Dk=3.6(1)??梢耘袛鄦栴}不在Dk數(shù)據(jù)上面。那么設(shè)計(jì)值不準(zhǔn)成為最大的嫌疑。

表2

阻抗仿真計(jì)算方法有多種,我們使用認(rèn)為最簡單直觀的靜電場分布方法來解釋:

阻抗模型:在同一層面相鄰導(dǎo)線間,左邊導(dǎo)線trace電勢+1 V,右邊導(dǎo)線trace電勢-1 V,上下Ground層電勢為0 V;導(dǎo)線trace的高電勢(+1 V,-1 V)向區(qū)域內(nèi)低電勢0V區(qū)域進(jìn)行擴(kuò)散傳播。

阻抗值計(jì)算:模型區(qū)域劃分為若干個(gè)網(wǎng)格,根據(jù)每個(gè)網(wǎng)格的Er值計(jì)算出網(wǎng)格的電勢,得到電勢后就可進(jìn)一步求出阻抗值。(阻抗求解過程復(fù)雜且不是本文重點(diǎn),略過)

從靜電場分布圖可以看到導(dǎo)線周圍的電勢非常強(qiáng),遠(yuǎn)離區(qū)域的電勢非常低,接近0 V了。接下來我們再來看看Er分布情況。 我們知道FR-4基材是樹脂(Er_Resin范圍2.6~3.2)和玻璃纖維(Er_Glass范圍4.8~5.6)組成(通過筆者計(jì)算,IS415玻纖Dk大約是5.0;樹脂的Dk大約是2.668。),介電層中Er分布是不均勻的。從切片圖我們也可以看到銅箔導(dǎo)線層在壓合之后樹脂會(huì)填充兩導(dǎo)線之間,導(dǎo)線兩側(cè)也由樹脂填充。也就是說靜電場強(qiáng)區(qū)域絕大部分是低Er值的樹脂,減弱區(qū)域有大部分是低Er值的樹脂。

現(xiàn)在我們可以總結(jié)造成實(shí)測阻抗值比設(shè)計(jì)值偏大的原因:

(1)內(nèi)層差動(dòng)阻抗模型電場是不均勻分布,導(dǎo)線周圍區(qū)域電場較強(qiáng),對阻抗值影響最大。

(2)PCB介電層Er也是不均勻分布,在導(dǎo)線周圍的強(qiáng)電場區(qū)域絕大部分是低Er值的樹脂填充。

(3)根據(jù)Er跟阻抗值成反比關(guān)系⑵,強(qiáng)電場區(qū)域的低Er值樹脂造成實(shí)測阻抗值偏高。

上面分析的結(jié)果并非筆者首次發(fā)現(xiàn)的,筆者后來在Polar公司網(wǎng)站找到了同樣結(jié)論的闡述(3)。Polar公司也從SI8000開始引入改進(jìn)后的內(nèi)層差分阻抗模型。

改進(jìn)模型計(jì)算結(jié)果100.95 W比原模型結(jié)果99.77 W大了1.18 W,增大比例不足1.5%,與實(shí)測值均值109 W仍然差很多。對于改進(jìn)模型的結(jié)果,為什么還是差這么多呢,是靜電場理論有問題?還是我們樹脂的Dk值計(jì)算有問題?還是SI9000的改進(jìn)模型問題?

按照靜電場分布理論來看,樹脂Er值較小的變化都引起阻抗較大的變化。我們分別按樹脂極限D(zhuǎn)k值Er_Resin=2,Er_Resin=3.2,與IS415樹脂Dk=2.668進(jìn)行對比:

樹脂的Dk值變化如此之大,SI9000改進(jìn)模型中引入的樹脂Dk參數(shù)對最終結(jié)果的影響卻如此之小,超出筆者的想象。筆者看不出改進(jìn)模型有何實(shí)際意義。SI9000引入的改進(jìn)模型不但沒有解決問題,更表明SI9000的內(nèi)層差動(dòng)阻抗模型對FR-4玻纖樹脂混合介電層處理得很不理想。實(shí)驗(yàn)進(jìn)行到此,謎底基本揭曉。但現(xiàn)實(shí)問題依然困擾著筆者,也激勵(lì)著筆者繼續(xù)探索尋找更準(zhǔn)確的仿真計(jì)算方法。

5 結(jié)語

(1)有些業(yè)界朋友把Dk反推運(yùn)用到生產(chǎn),筆者個(gè)人是不太贊成這種做法。首先反推Dk缺乏合理的理論基礎(chǔ)支持,同時(shí)不利于工程師按規(guī)則設(shè)計(jì)。另外反推的Dk有效性很差,這次反推修改OK,下次失敗又要反推;差分阻抗反推Dk用在單端阻抗也會(huì)出問題。總之,疊構(gòu)決定Dk分布,疊構(gòu)不同每次反推的Dk都會(huì)不同。

(2)使用Polar SI系列軟件時(shí),如果遇到Low Dk基材、銅厚>17.1 mm 1/2 oz時(shí),要小心內(nèi)層差分阻抗的設(shè)計(jì)。因?yàn)長ow Dk基材樹脂的Dk比較低,厚銅時(shí)導(dǎo)線間填充的樹脂會(huì)比較多;根據(jù)電場分布圖可知這兩種情況都會(huì)造成阻抗偏高很多。如本文中IS415基材,34.3 mm(1 oz)銅厚,阻抗偏差達(dá)8%接近10%公差限。

因筆者水平有限,錯(cuò)誤之處在所難免,歡迎各位批評指正。

[1]Panasonic High Speed, Low Loss Multi-layer Materials Megtron6 Data Sheet, https://www3.panasonic.biz/em/pcbm/en/product/r5775/1_Application_Features/index.html.

[2]Calculation of PCB Track Impedance, Andrew J Burkhardt, Christopher S Gregg and J Alan Staniforth.

[3]在使用編織玻璃纖維加強(qiáng)的疊層板時(shí), 為何測量阻抗與場求解程序得到的計(jì)算值不同, http://www.polarinstruments.com/cn/support/cits/AP139.html.

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