任瑞晨，張研研，2，李彩霞，史力斌，史冬梅

（1．遼寧工程技術(shù)大學(xué)礦業(yè)學(xué)院，阜新123000；2．渤海大學(xué)新能源學(xué)院，錦州121013；3．渤海大學(xué)數(shù)理學(xué)院，錦州121013）

1 引 言

隨著能源匱乏以及環(huán)境污染的日益嚴(yán)重，開發(fā)清潔、安全的可再生能源迫在眉睫．太陽能具有上述優(yōu)點(diǎn)，已成為國(guó)際關(guān)注的熱點(diǎn)，而太陽電池是實(shí)現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換的核心元件．目前，對(duì)太陽電池的研究主要集中在提高轉(zhuǎn)換效率和降低電池成本上．以非晶硅／單晶硅異質(zhì)結(jié)為基礎(chǔ)的HIT（Heterojunction with Intrinsic Thin-Layer）太陽電池既具有晶體硅電池高效率、高穩(wěn)定性的優(yōu)點(diǎn)，又可在低溫下制備，且有望減少對(duì)吸收層單晶硅材料的使用，因而極具發(fā)展?jié)摿1]．世界上此種電池轉(zhuǎn)換效率的最高紀(jì)錄是日本三洋公司保持的24．7%[2]，我國(guó)研制的此種電池的轉(zhuǎn)換效率為17．36%[3]，與世界紀(jì)錄還有一定的差距，因而模擬分析非晶硅／單晶硅異質(zhì)結(jié)太陽電池的結(jié)構(gòu)和機(jī)理是非常必要的．

Hirotada Inoue等討論了HIT太陽電池中基區(qū)單晶硅（即吸收層）厚度對(duì)電池效率的影響[4]，R．Stangl等分析了吸收層少子遷移率對(duì)電池性能的影響[5]．本文利用美國(guó)濱州大學(xué)研發(fā)的AMPS－1D（Analysis of Microelectronic and Photonic Structures）程序?qū)IT太陽電池進(jìn)行模擬分析．主要對(duì)比了HIT太陽電池前接觸和背接觸少子復(fù)合速率對(duì)太陽電池性能的影響，結(jié)果發(fā)現(xiàn)背接觸少子復(fù)合速率的影響更為顯著，并發(fā)現(xiàn)吸收層厚度以及少子遷移率對(duì)電池性能的影響也要受到背接觸少子復(fù)合速率或吸收層隙間缺陷態(tài)密度的制約．

2 物理模型

圖1為要模擬的HIT太陽電池結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)圖，太陽電池的窗口層為重?fù)诫s的P型非晶硅，吸收層為N型單晶硅，二者之間為起界面鈍化作用的本征非晶硅薄層．電池兩端接觸層分別為TCO（透明導(dǎo)電氧化物薄膜）和Al（金屬鋁）．

AMPS模擬軟件其工作原理主要是在確定的邊界條件下，通過求解一維泊松方程及電子和空穴連續(xù)性方程，來獲得太陽電池的各個(gè)參數(shù)．AMPS程序主要有兩種模擬方式，這里采用態(tài)密度（DOS）模式．其中非晶硅的隙間缺陷態(tài)采用雙高斯分布，單晶硅的隙間缺陷態(tài)采用平均分布．各種材料的帶尾缺陷態(tài)為指數(shù)函數(shù)分布．具體的模擬參數(shù)如表1所示[6－9]．單晶硅和非晶硅的吸收系數(shù)主要來自參考文獻(xiàn)[6，8]．電池前后接觸勢(shì)壘高度分別為1．67eV和0．11eV，模擬溫度為300K，前后表面對(duì)光的反射率分別為0和0．6，模擬波段范圍為0．3－1．1μm．

圖1 HIT太陽電池結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)圖Fig．1 The schematic diagram of structure of HIT solar cell

圖2 前后接觸少子復(fù)合速率對(duì)太陽電池光伏性能的影響Fig．2 The influence of minority carrier recombination velocity of front and back contacts on the performance of solar cell

3 前后接觸少子復(fù)合速率對(duì)HIT太陽電池光伏性能的影響

對(duì)于 HIT太陽電池，TCO／a－Si∶H（p＋）前接觸和c－Si（n）／Al背接觸的少子復(fù)合速率對(duì)太陽電池的光伏性能具有一定的影響，但二者的影響程度是不同的．圖2中模擬了背接觸少子空穴復(fù)合速率保持107cm·s－1不變，前接觸少子電子復(fù)合速率對(duì)太陽電池光伏性能的影響，以及前接觸少子電子復(fù)合速率保持107cm·s－1不變，背接觸少子空穴復(fù)合速率對(duì)太陽電池光伏性能的影響．從圖中可以看出，隨著前接觸復(fù)合速率的增大，太陽電池的短路電流只微小降低（由34．573mA·cm－2降至34．289mA·cm－2），開路電壓和填充因子沒有變化，故電池的轉(zhuǎn)換效率也只微小降低（由18．779%降至18．618%）．從圖2中可看出，與電池的前接觸相比，電池的背接觸少子復(fù)合速率對(duì)電池的光伏性能影響較大．之所以背接觸少子復(fù)合速率比前接觸少子復(fù)合速率對(duì)電池性能影響顯著，其主要原因是非晶硅發(fā)射層很薄，產(chǎn)生的光生少子電子較少，因而擴(kuò)散到前接觸的少子較少，故前接觸少子復(fù)合速率的影響很?。欢鶇^(qū)單晶硅較厚，產(chǎn)生的光生少子空穴較多，且內(nèi)部缺陷較少，導(dǎo)致內(nèi)部復(fù)合較少，因而能擴(kuò)散到背接觸處的少子空穴相對(duì)較多，故背接觸處的少子復(fù)合速率對(duì)電池的光伏性能影響更大．從圖2中還可以看出，隨著背接觸少子復(fù)合速率的增大，開路電壓則由0．762V衰減到了0．650V，由公式（1）可知，這主要是因?yàn)閺?fù)合電流增大所導(dǎo)致的．

公式（1）是文獻(xiàn)[10]中所提到的一種簡(jiǎn)單表述，即太陽電池的開路電壓Voc等于內(nèi)建電勢(shì)Vin和復(fù)合影響Rei的差值．填充因子則隨著開路電壓的降低而降低[11]，由0．85衰減到了0．836．電池的短路電流大幅度衰減（由37．975mA·cm－2衰減到了34．289mA·cm－2），這主要是由于較多空穴在背接觸處的復(fù)合導(dǎo)致空穴電流降低，從而引起總電流的降低，如圖3所示．圖3中對(duì)比了背接觸空穴復(fù)合速率分別為0和107cm·s－1時(shí)的電子電流、空穴電流和總電流的大小，可以看出高背接觸復(fù)合速率引起的空穴電流的衰減．綜上導(dǎo)致隨著背接觸空穴復(fù)合速率的增大，電池的轉(zhuǎn)換效率由24．589%降至18．618%．由此可看出，加強(qiáng)背接觸鈍化質(zhì)量，降低HIT太陽電池背接觸少子復(fù)合速率，對(duì)提高電池的轉(zhuǎn)換效率是非常必要的．

為HIT太陽電池增加重?fù)诫s的n型非晶硅背表面場(chǎng)后，如圖4所示，模擬中發(fā)現(xiàn)，無論背接觸空穴復(fù)合速率如何變化，電池的光伏性能不變，轉(zhuǎn)換效率都為24．589%，這與無非晶硅背場(chǎng)且背接觸復(fù)合速率為0時(shí)HIT電池的轉(zhuǎn)換效率相同．由此可以看出，理想的背場(chǎng)對(duì)少子空穴起到了很好的背反射作用，基本上沒有空穴到達(dá)背接觸處，這一點(diǎn)從圖3中也可判斷出，有非晶硅背場(chǎng)時(shí)，盡管背接觸處的復(fù)合速率很高為107cm·s－1，但此時(shí)的空穴電流與無非晶硅背場(chǎng)且背接觸為0時(shí)的空穴電流相等．因而增加非晶硅背場(chǎng)后無論背接觸的復(fù)合速率如何變化，電池的光伏性能沒有變化．可見，HIT太陽電池的非晶硅背場(chǎng)起到了良好的背表面鈍化作用．

表1 HIT太陽電池的模擬參數(shù)設(shè)置Table 2 The setting of parameters of HIT solar cell for the simulation

圖3 不同背接觸時(shí)的電流比較Fig．3 The comparison of currents among different back contacts

圖4 有非晶硅背場(chǎng)的HIT太陽電池結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)圖Fig．4 The schematic diagram of structure of HIT solar cell with amorphous silicon BSF

4 吸收層對(duì)HIT太陽電池光伏性能的影響

4．1 吸收層厚度對(duì)HIT太陽電池光伏性能的影響

基區(qū)單晶硅作為HIT太陽電池的光吸收層，其厚度對(duì)太陽電池光伏性能具有一定的影響，而且這種影響與單晶硅的隙間缺陷態(tài)密度以及電池的背接觸少子復(fù)合速率關(guān)系密切．圖5中分別模擬對(duì)比了單晶硅的隙間缺陷態(tài)密度Nmd高低（以Nmd＝3．0×1012和1．9×1011cm－3·eV－1為例）以及背接觸少子空穴復(fù)合速率Sp高低（以Sp＝107和10cm·s－1為例）時(shí)，吸收層厚度對(duì)HIT太陽電池光伏性能的影響．

圖5 吸收層厚度對(duì)HIT太陽電池光伏性能的影響Fig．5 The effect of thickness of absorber on the performance of HIT solar cell

圖5（a）中的模擬結(jié)果表明，當(dāng)背接觸復(fù)合速率較低為Sp＝10cm·s－1時(shí)，若隙間缺陷態(tài)密度Nmd不同，則吸收層厚度對(duì)太陽電池的光伏性能影響是不同的．當(dāng)吸收層的隙間缺陷態(tài)密度較高為Nmd＝3．0×1012cm－3·eV－1時(shí)（以下簡(jiǎn)稱情況A），開路電壓隨著基區(qū)厚度的增加明顯降低，由0．756V降低到0．746V．而當(dāng)吸收層單晶硅的隙間缺陷態(tài)密度較低為Nmd＝1．9×1011cm－3·eV－1時(shí)（以下簡(jiǎn)稱情況B），隨著吸收層厚度的增加，開路電壓由50μm時(shí)的0．759V增加大150μm時(shí)的0．761V，之后不再增大．以上結(jié)果是因?yàn)楫?dāng)背接觸復(fù)合速率較低且單晶硅隙間缺陷態(tài)密度較高時(shí)，少數(shù)載流子的復(fù)合以隙間復(fù)合為主，因而隨著單晶硅厚度的增加，隙間少數(shù)載流子復(fù)合增加，因而導(dǎo)致開路電壓顯著降低．而當(dāng)背接觸復(fù)合速率和單晶硅隙間缺陷態(tài)密度都較低時(shí)，這里背接觸復(fù)合速率的影響稍大，因而隨著吸收層厚度的增加，使到達(dá)背接觸處的少數(shù)載流子減少，因而復(fù)合電流略微降低，開路電壓有微小增加．無論吸收層單晶硅的隙間缺陷態(tài)密度高或者低，隨著單晶硅厚度的增加，光生載流子都是增多的，因而兩種情況的短路電流都明顯增加．以上結(jié)果導(dǎo)致，在情況A的條件下，HIT太陽電池的轉(zhuǎn)換效率在150μm處達(dá)到峰值，之后隨著單晶硅厚度的增加，轉(zhuǎn)換效率反而降低；在情況B的條件下，電池的轉(zhuǎn)換效率將隨著單晶硅厚度的增加而增大，當(dāng)然當(dāng)吸收層厚度超過了其少數(shù)載流子擴(kuò)散長(zhǎng)度后，再增加單晶硅的厚度就沒有任何意義了[12]．

圖5（b）中的模擬結(jié)果表明，保持背接觸復(fù)合速率較高為Sp＝107cm·s－1時(shí)，無論隙間缺陷態(tài)的密度較高為Nmd＝3．0×1012cm－3·eV－1（情況C）或較低為Nmd＝1．9×1011cm－3·eV－1（情況D）時(shí)，HIT太陽電池的短路電流和開路電壓都隨著單晶硅厚度的增加而單調(diào)遞增，于是導(dǎo)致電池的轉(zhuǎn)換效率單調(diào)遞增．這主要是因?yàn)楫?dāng)電池的背接觸復(fù)合速率很高時(shí)，少數(shù)載流子在背接觸處的復(fù)合將比隙間復(fù)合顯著得多，因此背接觸處的復(fù)合將占主要地位，這與情況B相似．隨著單晶硅厚度的增加，能夠擴(kuò)散到背接觸處的少子空穴將減少，因此占主要地位的背接觸處的復(fù)合減少，開路電壓升高．當(dāng)然，單晶硅厚度增加，電池的短路電流仍然增大．故情況C和情況D電池的轉(zhuǎn)換效率都單調(diào)遞增．

以上開路電壓的變化情況與文獻(xiàn)[4]中的實(shí)驗(yàn)結(jié)果基本符合．綜上所述當(dāng)背接觸處的復(fù)合占主要地位時(shí)，即情況B、C和D，則隨著吸收層單晶硅厚度的增加，電池的轉(zhuǎn)換效率單調(diào)遞增；當(dāng)單晶硅內(nèi)部隙間缺陷復(fù)合占主要地位時(shí)，即情況A，則隨著吸收層單晶硅厚度的增加，電池的轉(zhuǎn)換效率并非單調(diào)變化，而是在某一厚度處達(dá)到峰值，圖4中有非晶硅背場(chǎng)的太陽電池可以看成是情況A的特例．因此HIT電池的吸收層單晶硅并非越厚電池的轉(zhuǎn)換效率越高，應(yīng)視具體情況而定．

圖6 吸收層少子遷移率對(duì)太陽電池光伏性能的影響Fig．6 The effect of minority carrier mobility of absorption layer on the performance of solar cell

4．2 吸收層少子遷移率對(duì)HIT太陽電池光伏性能的影響

吸收層N型單晶硅的質(zhì)量決定了其少數(shù)載流子遷移率的大?。诒辰佑|少子復(fù)合速率不同時(shí)，吸收層少子空穴遷移率對(duì)HIT太陽電池光伏性能的影響是不同的．圖6中模擬了背接觸少子復(fù)合速率較高（如Sp＝107cm·s－1且無非晶硅背場(chǎng)）以及較低（如Sp＝0cm·s－1，即加上非晶硅背場(chǎng)的理想情況）時(shí)，吸收層空穴遷移率對(duì)電池性能的影響．模擬發(fā)現(xiàn)，無論少子復(fù)合速率高或低時(shí)，電池的短路電流都會(huì)隨著空穴遷移率的增加而增大．這是因?yàn)楦鶕?jù)（2）式[12]可知，空穴遷移率的增加，使空穴的擴(kuò)散長(zhǎng)度增大，因而能被pn結(jié)有效收集的空穴增加，故短路電流增大．

式中Lp、μp和τp分別表示少子空穴的擴(kuò)散長(zhǎng)度、遷移率和壽命．當(dāng)Sp＝107cm·s－1時(shí)，開路電壓隨著少子遷移率的增大而明顯衰減，如圖6（a）所示．而當(dāng)Sp＝0cm·s－1時(shí)，隨著少子遷移率的增大，開路電壓基本不變．這是因?yàn)樯僮涌昭ㄟw移率的增加，使空穴擴(kuò)散長(zhǎng)度增大，于是到達(dá)背接觸處的空穴增多，若背接觸處的復(fù)合速率高，則復(fù)合電流大，因此開路電壓明顯減小，這種現(xiàn)象在文獻(xiàn)[5]中也有提到，但若增加理想的背場(chǎng)，相當(dāng)于背接觸復(fù)合速率接近零，則盡管到達(dá)背接觸處的空穴增多，但復(fù)合電流基本不變，故開路電壓不變．以上結(jié)果導(dǎo)致HIT太陽電池背接觸復(fù)合速率高時(shí)，隨著少子空穴遷移率的增大，電池的轉(zhuǎn)換效率反而降低；而當(dāng)背接觸復(fù)合速率低時(shí)，隨著少子遷移率的增大，電池的轉(zhuǎn)換效率升高．

5 結(jié) 論

采用美國(guó)濱州大學(xué)研發(fā)的AMPS軟件模擬了HIT太陽電池的前后接觸少子復(fù)合速率、吸收層單晶硅的厚度以及吸收層少子遷移率對(duì)太陽電池光伏性能的影響．模擬中發(fā)現(xiàn)，HIT太陽電池的背接觸少子復(fù)合速率比前接觸少子復(fù)合速率對(duì)太陽電池光伏性能的影響要顯著得多，因此加強(qiáng)電池背接觸的鈍化效果對(duì)提高電池的轉(zhuǎn)換效率是很必要的，理想的非晶硅背場(chǎng)起到了很好的背接觸鈍化作用．HIT太陽電池的吸收層單晶硅厚度對(duì)太陽電池的轉(zhuǎn)換效率也有一定的影響．當(dāng)電池的背接觸復(fù)合占主要地位時(shí)，單晶硅越厚則電池的轉(zhuǎn)換效率越高；而當(dāng)單晶硅的隙間缺陷態(tài)復(fù)合占主要地位時(shí)，則電池的轉(zhuǎn)換效率會(huì)在某一厚度處達(dá)到峰值，之后隨著單晶硅厚度的增加電池的效率反而降低．因此，單晶硅的厚度應(yīng)該根據(jù)背接觸少子復(fù)合速率以及單晶硅隙間缺陷態(tài)的具體情況而定．模擬中還發(fā)現(xiàn)，當(dāng)背接觸少子復(fù)合速率較高時(shí)，隨著單晶硅少子遷移率的增大，電池的轉(zhuǎn)換效率反而降低；當(dāng)背接觸少子復(fù)合速率較低時(shí)，隨著單晶硅少子遷移率的增大，電池的轉(zhuǎn)換效率升高．因而，提高單晶硅少子遷移率的前提是要確保電池背接觸的鈍化質(zhì)量．

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