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便攜可調(diào)高功率升壓電源設(shè)計(jì)

2014-05-17 01:34侯利朋
實(shí)驗(yàn)室研究與探索 2014年3期
關(guān)鍵詞:紋波二極管電感

張 松, 李 杰, 侯利朋, 劉 俊, 陳 偉

(1.中北大學(xué)電子測(cè)試技術(shù)國(guó)防科技重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;儀器科學(xué)與動(dòng)態(tài)測(cè)試教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,山西太原 030051;2.山西北方惠豐機(jī)電有限公司科研設(shè)計(jì)二所,山西長(zhǎng)治 046012)

0 引言

不同的便攜式設(shè)備需求的供電電壓不盡相同,目前大部分車載電源先將汽車蓄電池的DC12 V升高到AC220 V,再通過車載適配器給車載設(shè)備供電。但是兩次電壓變換會(huì)降低電源效率,導(dǎo)致蓄電池續(xù)航時(shí)間變短[1]。目前也有一些DC/DC電源,但功率都比較小,無法滿足某些特殊設(shè)備的需求,如車載電腦等。因此對(duì)于高功率DC/DC升壓電源的需求日益迫切,所以研制開發(fā)便攜式新型低壓開關(guān)電源有重要意義[2-3],要求其具有體積小、功率大、損耗小、效率高、應(yīng)用范圍廣等優(yōu)點(diǎn)。

本文在深入了解Boost拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上,提出一種基于UC3843芯片的 DC-DC模塊電源設(shè)計(jì)方案。經(jīng)過實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證,該模塊電源實(shí)現(xiàn)了直流電壓12~24 V的轉(zhuǎn)化,且輸出電壓可在24~31 V之間根據(jù)用戶的實(shí)際需求進(jìn)行調(diào)節(jié)[4],并在數(shù)碼管上實(shí)時(shí)顯示。與此同時(shí),電源輸出功率30 W,DC-DC變換效率達(dá)到80%,輸出紋波電壓35 mV,對(duì)于輸入電壓穩(wěn)定性要求高的便攜式設(shè)備有一定的實(shí)際應(yīng)用意義。

1 系統(tǒng)工作原理

系統(tǒng)組成原理圖如圖1所示,采用非隔離Boost結(jié)構(gòu)作為DC-DC主回路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),以高性能固定頻率電流模式控制器UC3843作為電源的控制芯片,控制開關(guān)管的開斷,結(jié)合電壓和電流反饋回路對(duì)輸出電壓進(jìn)行調(diào)節(jié)[5-6]。通過LM7805芯片將12 V輸入電壓穩(wěn)壓到5 V,為ATmega8供電,通過單片機(jī)ADC 6通道采集模擬電壓,將采集到的模擬輸入量轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)后輸出,并在數(shù)碼管上實(shí)時(shí)顯示。

圖1 系統(tǒng)總體組成

2 系統(tǒng)硬件設(shè)計(jì)

硬件電路由DC-DC主拓?fù)?、開關(guān)管驅(qū)動(dòng)、輸出電壓顯示三個(gè)模塊組成。

2.1 DC-DC 主拓?fù)?/h3>

本設(shè)計(jì)采用結(jié)構(gòu)比較簡(jiǎn)單的Boost拓?fù)浠芈穼?shí)現(xiàn)升壓功能,由儲(chǔ)能電感L1,PWM控制開斷的開關(guān)晶體管IRF540,續(xù)流二極管MBR2045ct及儲(chǔ)能濾波電容C4組成,電路圖如圖2所示。

圖2 Boost主拓?fù)潆娐穲D

2.1.1 電感的確定

當(dāng)開關(guān)管處于ton時(shí),開關(guān)管為導(dǎo)通狀態(tài),二極管處于截止?fàn)顟B(tài),流經(jīng)電感和開關(guān)管的電流逐漸增大,電感兩端的電壓為Ui,開關(guān)管導(dǎo)通和電流取樣電阻的壓降之和為Us,則電流增加部分ΔILon滿足:

當(dāng)開關(guān)管處于toff時(shí),開關(guān)管截止,二極管處于導(dǎo)通狀態(tài),儲(chǔ)存在電感中的能量提供給輸出,流經(jīng)電感和二極管的電流處于減少狀態(tài),二極管正向壓降為Uf,電感兩端電壓為Uo+Uf-Ui,則電流減少部分ΔILoff滿足:

電路穩(wěn)定狀態(tài)下(即電流連續(xù)后到最大輸出時(shí)),ΔILon=ΔILoff得:

若忽略電感損耗(電感輸入功率等于輸出功率)即滿足:

由式(4)和(5)得電感平均電流:

式中,f為開關(guān)頻率。

為保證電流連續(xù),電感應(yīng)滿足:

由式(6)~(8)可得滿足電流連續(xù)情況下的電感值:

由式(1)得電感的電流紋波:

根據(jù)設(shè)計(jì)要求計(jì)算電感的相關(guān)參數(shù)。首先,根據(jù)輸入電壓和輸出電壓確定最大占空比。由式(4)得:

當(dāng)輸出最大負(fù)載時(shí)至少應(yīng)滿足電路工作在CCM模式下,即必須滿足:

其次,考慮在10%額定負(fù)載以上電流連續(xù)的情況。電路在額定輸出時(shí)電感紋波電流為平均電流的20% ~30%,增加ΔIL可以減小電感,但為不增加輸出紋波電壓,須增大輸出濾波電容,取30%為平衡點(diǎn)[7],即:

由式(7)和(10)可得式(11):

流過電感的峰值電流:

所以選擇50~100 μH且通過10 A電流不會(huì)飽和的電感。

2.1.2 開關(guān)管的選擇

本設(shè)計(jì)選擇MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管作為開關(guān)管。MOSFET晶體管是單極型器件,頻率特性好,常用于高頻低壓領(lǐng)域。在選擇開關(guān)管時(shí),要考慮最大漏-源電壓VDSS、連續(xù)漏電流ID和導(dǎo)通內(nèi)阻RDS(ON)[8]。根據(jù)確定電感時(shí)的相關(guān)數(shù)據(jù),選擇IRF540作為開關(guān)管,其具體參數(shù)為UDSS=100 V、ID=23 A、RDS(ON)=77 mΩ。

2.1.3 整流二極管的選擇

該電路中輸出二極管首先須能承受與輸出電壓等值的反向電壓,并能傳導(dǎo)負(fù)載所需的最大電流,同時(shí)防止開關(guān)閉合時(shí),電容的電荷流向開關(guān)管至其損壞。此外,二極管要有較小的正向壓降及電流快速恢復(fù)的特點(diǎn),以減少功率損耗。本設(shè)計(jì)選用MBR系列肖特基二極管。經(jīng)過計(jì)算,流過二極管的峰值電流為:

所以選擇型號(hào)為MBR2045ct的肖特基二極管,其參數(shù)為:峰值反向電壓45 V,正向連續(xù)電流20 A,正向壓降 0.84 V。

2.1.4 濾波電容的選擇

輸出電容有濾波和儲(chǔ)能的作用,輸出電容的選定取決于對(duì)輸出紋波電壓的要求,紋波電壓與電容的等效串聯(lián)電阻ESR有關(guān),電容的允許紋波電流要大于電路中的紋波電流。

另外,為滿足輸出紋波電壓相對(duì)值的要求,濾波電容應(yīng)滿足:

式中只有ΔUo是不確定的,由該式知,電容的容值與輸出紋波電壓成反比關(guān)系[9]。

根據(jù)計(jì)算的ESR值和容值選擇電容,由于低溫時(shí)ESR值增大,故應(yīng)按低溫下的ESR值來選擇電容,所以選用2 200 μF/50 V頻率特性好的電解電容。

2.2 開關(guān)管驅(qū)動(dòng)

選擇和設(shè)計(jì)MOS管驅(qū)動(dòng)時(shí)需注意兩個(gè)方面。①可提供瞬間短路電流的大小;②高端驅(qū)動(dòng)的NMOS導(dǎo)通時(shí)需要柵極電壓大于源極電壓,而高端驅(qū)動(dòng)的MOS管導(dǎo)通時(shí)源極電壓與漏極電壓(UCC)相同,所以這時(shí)柵極電壓要比UCC4 V。上述4 V就是IRF540的最大導(dǎo)通電壓[10]。IRF540僅需要1 mA的短路電流就能導(dǎo)通,因此選用電流控制型芯片UC3843來驅(qū)動(dòng)MOS管的開斷。該芯片集成高增益誤差放大電路,電流取樣比較器及可微調(diào)振蕩器,能精確的控制占空比。UC3843外圍電路圖如圖3所示。

圖3 UC3843外圍電路

2.2.1 振蕩器電路

UC3843通過Uref引腳輸出5 V基準(zhǔn)電壓給定時(shí)電阻R7和定時(shí)電容C9充電,C9通過器件內(nèi)部電流源放電,芯片工作頻率:

取R7=7.5 kV,C9=4 700 pF,則f=49 kHz。

2.2.2 電流采樣與限流電路

由UC3843內(nèi)部結(jié)構(gòu)知,采樣電流通過電阻轉(zhuǎn)成的采樣電壓不能超過1 V,否則芯片會(huì)保護(hù)性的停止輸出??紤]取樣電阻的功耗及限流影響輸出功率,取采樣電阻R8=0.04 Ω。當(dāng)R8串連到MOS管源極時(shí),整流管和電感會(huì)造成電流波形的前沿出現(xiàn)較大尖峰,接入R5和C7構(gòu)成濾波電路濾除尖峰,避免芯片誤判而保護(hù)性停止輸出[11]。

2.2.3 電壓反饋電路

UC3843根據(jù)電壓反饋來確定當(dāng)前的輸出脈寬。R4、R6及R9構(gòu)成電壓反饋電路,通過此反饋來確定脈寬寬度,它和2.5 V基準(zhǔn)電壓做比較來確定誤差電壓,若反饋電壓高于2.5 V,則脈寬變窄,反之變寬,由此可以確定輸出24 V時(shí)所選電阻的阻值;通過調(diào)節(jié)R9的值可以改變輸出電壓,達(dá)到電壓可調(diào)的目的[12]。

2.2.4 誤差放大器電路

UC3843輸出端與反相輸入端之間應(yīng)接補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò),以便控制閉環(huán)頻率響應(yīng)。反饋補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)在回路傳輸特性的處將產(chǎn)生一個(gè)極點(diǎn)。取Rf=220 kV、Cf=1 000 pF,該極點(diǎn)可消除功率電路中濾波電容等效串聯(lián)電路產(chǎn)生的零點(diǎn),改善放大器的動(dòng)態(tài)響應(yīng),從而提高開關(guān)電源的穩(wěn)定性[13]。

2.2.5 推拉輸出

當(dāng)UC3843推拉輸出驅(qū)動(dòng)MOS管時(shí),峰值電流可達(dá)±1 A,可直接驅(qū)動(dòng)MOS管,但根據(jù)MOS管特性,應(yīng)在推拉輸出端和柵極之間接一個(gè)20 Ω的電阻以起到隔離緩沖的作用[14]。

2.3 輸出電壓顯示

ATmega8有一個(gè)10位的逐次逼近型 ADC。該ADC與一個(gè)8通道的模擬多路復(fù)用器連接,能對(duì)來自端口C的8路單端輸入電壓進(jìn)行采樣;ADC還包括一個(gè)采樣保持電路,以確保在轉(zhuǎn)換過程中輸入到ADC的電壓保持恒定[15]。通過寫ADMUX寄存器的REFSn位把AVCC或內(nèi)部2.56 V參考電壓連接到AREF引腳。在AREF引腳上加一個(gè)電容進(jìn)行解耦,以更好地抑制噪聲[16]。

當(dāng)ADEN置位時(shí)參考電壓及輸入通道選擇才生效,ADEN清零時(shí)ADC并不耗電,因此在進(jìn)入節(jié)能睡眠模式之前關(guān)閉 ADC。設(shè)置 ADCSRA寄存器的ADEN即可啟動(dòng)ADC,ADC將轉(zhuǎn)換成的數(shù)字量存放于數(shù)據(jù)寄存器ADCH及ADCL中。

本設(shè)計(jì)選用ADC6通道采集模擬電壓,C0~C3為位選輸出,D0~D7為段選輸出,AREF接地,參考電壓為MVCC,電路圖如圖4所示。

圖4 ATmega電壓采集

通過程序控制ADC電壓采樣,將轉(zhuǎn)換后的數(shù)字量進(jìn)行電壓換算,并點(diǎn)亮共陰極數(shù)碼管實(shí)時(shí)顯示。

3 實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證

3.1 便攜性測(cè)試

系統(tǒng)整機(jī)電路,其尺寸:長(zhǎng)7 cm,寬4 cm,便攜易帶。

3.2 功率和效率測(cè)試

通過改變負(fù)載大小測(cè)試系統(tǒng)的承載能力,并計(jì)算輸出的最大功率及電源效率。數(shù)據(jù)如表1所示。

輸出功率達(dá)到30 W,效率達(dá)到80%,且效率隨負(fù)載增大而增大。負(fù)載小時(shí),電路中電流較大,二極管和開關(guān)管功耗會(huì)增大,且電流增大會(huì)使電感容易磁飽和,損耗增大。

表1 不同負(fù)載的相關(guān)數(shù)據(jù)

輸出紋波電壓均值為35 mV,如圖5所示。

圖5 輸出電壓紋波

3.3 輸出電壓可調(diào)測(cè)試

該系統(tǒng)可在24~31 V之間穩(wěn)壓輸出,其表2。

表2 不同輸出電壓的相關(guān)參數(shù)

通過可變電阻R9調(diào)整輸出電壓,從而使反饋電壓最終保持在2.5 V左右。

輸出電壓改變時(shí),系統(tǒng)仍能很好地帶負(fù)載輸出。輸出電壓28 V,負(fù)載30 Ω時(shí),PWM波形正常,輸出電壓穩(wěn)定,系統(tǒng)工作正常。

4 結(jié)語

采用UC3843控制開關(guān)管開斷,Boost拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)升壓,電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,成本低,提高了電源效率及性價(jià)比。7×4 cm2的整機(jī)結(jié)構(gòu),便攜易帶;輸出功率達(dá)到30 W,如果增大電感線徑,輸出功率仍可以提高,可以滿足某些功率偏大的便攜設(shè)備的要求;通過調(diào)節(jié)可變電阻改變反饋電壓,達(dá)到改變輸出電壓的目的,并直觀顯示在數(shù)碼管上,滿足不同設(shè)備的供電要求。為DC-DC變換電路的快速實(shí)現(xiàn)提供一種工程方面的參考。

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