尹陳艷,龔學(xué)余,杜 丹,向 東,胡凌志,譚清懿
(南華大學(xué),湖南 衡陽(yáng) 421001)
離子回旋共振加熱(ICRH)是托卡馬克中等離子體的主要加熱手段之一[1-2]。ICRH 天線系統(tǒng)主要包括發(fā)射機(jī)、同軸傳輸線、阻抗匹配裝置和天線4部分,ICRH 實(shí)驗(yàn)中,等離子體的耦合阻抗隨等離子體參數(shù)的變化而變化。尤其在有邊界局域模(ELM)活動(dòng)時(shí),邊緣密度分布的變化引起等離子體耦合阻抗快速變化,這些變化通常將導(dǎo)致天線輸入阻抗的實(shí)部在0.5~10Ω 內(nèi)變化[2],與傳輸線的特性阻抗相比,這顯然是失配的。阻抗失配時(shí),ICRH 天線系統(tǒng)發(fā)射的電磁波不能有效地耦合到等離子體中,失配嚴(yán)重時(shí),ICRH 天線系統(tǒng)不能滿足長(zhǎng)時(shí)間連續(xù)波運(yùn)行,嚴(yán)重制約ICRH 實(shí)驗(yàn)的加熱效果。由此可知,為能有效地加熱,ICRH 天線系統(tǒng)與等離子體相互作用時(shí)如何實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的阻抗匹配是一很關(guān)鍵的問題。
三支節(jié)液態(tài)調(diào)配器是在同軸線的內(nèi)外導(dǎo)體之間充入一些具有低介電常數(shù)的液體(硅油),充分利用電磁波在空氣和硅油兩種不同媒質(zhì)中傳播速度的不同,來(lái)改變支節(jié)的特性阻抗,從而使傳輸線阻抗和天線負(fù)載阻抗達(dá)到匹配。三支節(jié)液態(tài)調(diào)配器的優(yōu)點(diǎn)是損耗小、實(shí)時(shí)反饋控制好、解決了常規(guī)短路支節(jié)調(diào)配器容易打火的問題,因此這種匹配裝置已在EAST 上成功使用[3]。本文采用傳輸線理論分析三支節(jié)液態(tài)調(diào)配器ICRH 時(shí)的阻抗匹配過(guò)程,并根據(jù)阻抗匹配條件,得到天線輸入阻抗變化時(shí)它的優(yōu)化調(diào)配參數(shù),為托卡馬克ICRH 實(shí)驗(yàn)提供一定的理論參考。
圖1為ICRH 天線系統(tǒng)的示意圖。圖中3個(gè)支節(jié)的總高度相等,均為L(zhǎng);L1、L2、L3分別為3個(gè)支節(jié)內(nèi)硅油液面高度;hAB、hBC、hCD分別為天線與支節(jié)1、支節(jié)1與支節(jié)2、支節(jié)2與支節(jié)3之間的距離。天線輸入阻抗ZR=1/YR=R+j X,其中YR為天線的輸入導(dǎo)納。根據(jù)傳輸線理論,計(jì)算得到傳輸線B 點(diǎn)左側(cè)(由B 點(diǎn)向A 點(diǎn)看)的導(dǎo)納:
其中:Y0=1/Z0,Z0為同軸傳輸線空氣段的特性阻抗,一般為50Ω;k0為微波在真空中的傳播常數(shù),k0=2πf/c,f 為微波頻率,c為真空中的光速。
圖1 ICRH 天線系統(tǒng)示意圖Fig.1 Scheme of ICRH antenna system
支節(jié)1的底端G 短路,支節(jié)內(nèi)裝有硅油的一段可看作高度為L(zhǎng)1的終端短路傳輸線(介質(zhì)為硅油),其導(dǎo)納為:
其中:YL=1/ZL,ZL為各支節(jié)內(nèi)液體段的特征阻抗,Z0/ZL=,ε為硅油的介電常數(shù),ε=2.72;kL為微波在硅油中的傳播常數(shù),kL=k0
支節(jié)內(nèi)長(zhǎng)度為L(zhǎng)-L1的一段可看作是介質(zhì)為空氣的阻抗變換,即微波從支節(jié)1底端G傳播到端口B 時(shí)的電壓反射系數(shù)Γ1為:
支節(jié)1的導(dǎo)納為:
微波從B 點(diǎn)左側(cè)經(jīng)過(guò)支節(jié)1的調(diào)配傳到B點(diǎn)右側(cè)時(shí),此處的輸入導(dǎo)納為:
經(jīng)過(guò)長(zhǎng)度為hBC的傳輸線后,C 點(diǎn)左側(cè)的輸入導(dǎo)納為:
同理,采用類似的步驟逐步計(jì)算得到D 點(diǎn)右側(cè)的輸入導(dǎo)納Y′D,并根據(jù)原始定義求得定向耦合器E 處的電壓反射系數(shù)ΓE為:
當(dāng)ICRH 天線系統(tǒng)達(dá)到阻抗匹配時(shí),則:
根據(jù)上述理論推導(dǎo),數(shù)值模擬得到阻抗匹配條件下天線輸入電阻R 與三支節(jié)液態(tài)調(diào)配器硅油液面高度L1、L2之間的變化關(guān)系(圖2),計(jì)算參數(shù)為:hAB=110.80m,hBC=2.45m,hCD=2.45m,L3=2.19m,f=50.0 MHz,L=6m,X=50Ω。由圖2可知,有兩對(duì)L1和L2可使ICRH 天線系統(tǒng)獲得匹配,圖2a為阻抗匹配條件下R 與第1 對(duì)L1和L2之間的關(guān)系,圖2b為阻抗匹配條件下R 與第2 對(duì)L1和L2之間的關(guān)系。可看出,離子回旋加熱實(shí)驗(yàn)中,當(dāng)其他實(shí)驗(yàn)參數(shù)固定時(shí),L1隨R增大而增大,L2隨R增大而減小。圖2b中的L1和L2隨R 變化的趨勢(shì)與圖2a中的相反,L1隨R 增大而減小,L2隨R 增大而增大。R 小于2Ω時(shí),L1-L2隨R變化明顯,R 大于2Ω時(shí),L1-L2隨R 變化很小且較平緩。
圖2 阻抗匹配時(shí)R 與L1、L2 之間的關(guān)系Fig.2 Relationship between L1,L2and Rat impedance matching
為了驗(yàn)證上述三支節(jié)液態(tài)調(diào)配器的調(diào)配參數(shù)能否使天線系統(tǒng)獲得較好的匹配狀態(tài),可進(jìn)一步通過(guò)數(shù)值模擬定向耦合器E 處的ΓE與L1、L2之間的關(guān)系來(lái)確定。例如,當(dāng)R=4 Ω時(shí),圖2a中L1=2.70m、L2=4.46m(匹配解1),圖2b中L1=1.09m、L2=0.54m(匹配解2),數(shù)值模擬時(shí)L2固定,其他實(shí)驗(yàn)參數(shù)與圖2的相同,可得到ΓE與L1的變化關(guān)系(圖3)。由圖3可知,當(dāng)調(diào)配參數(shù)在兩匹配解附近時(shí),定向耦合器E 處的ΓE較小;調(diào)配參數(shù)為匹配解時(shí),ΓE接近零,此時(shí)匹配狀態(tài)最好;調(diào)配參數(shù)偏離匹配解較大時(shí),ΓE接近1,此時(shí)能量損失最大,匹配狀態(tài)差。數(shù)值模擬結(jié)果表明其他實(shí)驗(yàn)參數(shù)相同時(shí),有兩對(duì)L1和L2的值可使系統(tǒng)獲得匹配,至于使用哪一對(duì)值,根據(jù)優(yōu)化設(shè)計(jì)指導(dǎo)原則,一般選擇L1-L2較小的一對(duì),即加熱實(shí)驗(yàn)中,調(diào)配ICRH 天線系統(tǒng)的阻抗匹配可參考圖2b中R 與L1、L2之間的變化關(guān)系。
圖3 ΓE 與L1、L2 之間的關(guān)系Fig.3 Relationship between L1,L2andΓE
采用傳輸線原理分析了托卡馬克ICRH時(shí),三支節(jié)液態(tài)調(diào)配器的阻抗匹配過(guò)程。在其他實(shí)驗(yàn)參數(shù)相同的條件下,三支節(jié)液態(tài)調(diào)配器匹配解一般有兩組,對(duì)比模擬結(jié)果,根據(jù)優(yōu)化設(shè)計(jì)指導(dǎo)原則,實(shí)際操作時(shí)一般選擇L1-L2較小且傳輸線上發(fā)射系數(shù)較小的一組,相關(guān)分析結(jié)果可為ICRH 實(shí)驗(yàn)提供一定的理論參考。
[1] 杜丹,龔學(xué)余,曹錦佳,等.ICRH 帶狀雙天線的間距對(duì)等離子體耦合特性的影響[J].計(jì)算物理,2012,29(3):389-393.DU Dan,GONG Xueyu,CAO Jinjia,et al.Effect of two strip antenna distance on plasma coupling characteristics[J].Chinese Journal of Computational Physics,2012,29(3):389-393(in Chinese).
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[3] 王鵬,趙燕平,毛玉周,等.EAST 裝置離子回旋加熱液態(tài)阻抗匹配系統(tǒng)的研究[J].核聚變與等離子體物理,2005,25(4):278-282.WANG Peng,ZHAO Yanping,MAO Yuzhou,et al.Study of liquid impedance matching for ICRF on the EAST Tokamak[J].Nuclear Fusion and Plasma Physics,2005,25(4):278-282(in Chinese).