吳慧敏+王鵬+周立剛

【摘 要】

闡述了目前國際國內(nèi)TD-LTE芯片及終端的發(fā)展現(xiàn)狀，結(jié)合移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)與消費(fèi)電子的融合態(tài)勢，對TD-LTE芯片及終端的技術(shù)和市場發(fā)展趨勢進(jìn)行了分析，并就TD-LTE知識產(chǎn)權(quán)問題的處理提出相關(guān)建議。

【關(guān)鍵詞】

TD-LTE 芯片 終端 多模多頻 知識產(chǎn)權(quán)

中圖分類號：TN929.53 文獻(xiàn)標(biāo)志碼：A 文章編號：1006-1010（2014）-01-0028-05

1 引言

在全球各國家和地區(qū)電信監(jiān)管部門、運(yùn)營商與設(shè)備制造企業(yè)的共同推動(dòng)下，LTE的產(chǎn)業(yè)化和商用化發(fā)展迅猛[1]。截至2013年12月，全球已部署LTE商用網(wǎng)絡(luò)251個(gè)，143個(gè)國家的499個(gè)運(yùn)營商參與投資LTE產(chǎn)業(yè)。到2013年底，全球預(yù)計(jì)有260張LTE網(wǎng)絡(luò)實(shí)現(xiàn)商用[2]。

同時(shí)，伴隨著無線頻譜資源的日益緊缺，TDD技術(shù)的優(yōu)勢與價(jià)值逐步凸顯。目前，全球共有25張商用TD-LTE網(wǎng)絡(luò)投入建設(shè)，中國也已發(fā)放TD-LTE運(yùn)營牌照。而作為至關(guān)重要的產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié)，TD-LTE芯片及終端的發(fā)展水平將直接決定產(chǎn)業(yè)鏈的商用成熟度。

2 TD-LTE芯片及終端發(fā)展現(xiàn)狀

2.1 TD-LTE芯片發(fā)展現(xiàn)狀

目前，全球范圍內(nèi)已有超過20家芯片廠商投入TD-LTE核心芯片的設(shè)計(jì)與研發(fā)。

作為移動(dòng)通信芯片領(lǐng)域的龍頭企業(yè)，高通推出支持3GPP R10的LTE-Advanced/LTE FDD/TD-LTE/TD-SCDMA/WCDMA/CDMA 1X/CDMA EV-DO/GSM/GRPS/EDGE多模多頻芯片。同時(shí)，采用28nm HPm（High Performance mobile，移動(dòng)高性能）工藝制程的四核SoC系列芯片Snapdragon 800，增加了對Windows RT系統(tǒng)的支持，這一與微軟的合作將有利于進(jìn)一步拓展LTE終端的多樣性。

其他技術(shù)較領(lǐng)先的國際芯片企業(yè)同樣也在多模多頻、工藝制程等方面不斷進(jìn)行產(chǎn)品更新。其中，Marvell的四核SoC芯片PXA 1088 LTE已兼容TD-LTE/LTE FDD/WCDMA/TD-SCDMA/GSM五種模式；MTK的MT6589芯片制程已達(dá)28nm工藝水平，支持GSM/TD-SCDMA/WCDMA三模，并計(jì)劃于2013年底推出支持LTE五模的28nm芯片；英偉達(dá)、博通等芯片公司基于早期的優(yōu)勢業(yè)務(wù)，也陸續(xù)投入多模LTE芯片產(chǎn)業(yè)。

同時(shí)，國內(nèi)企業(yè)也積極投入TD-LTE芯片的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化?；?G階段在WCDMA領(lǐng)域的積累，海思已推出支持TD-LTE/LTE FDD/WCDMA/TD-SCDMA/GSM的五模40nm芯片，并有望于2013年底將芯片工藝提升至28nm。展訊在TD-SCDMA/GSM雙模四核SoC芯片中成功試驗(yàn)28nm工藝，并推出支持WCDMA/GSM的多模modem芯片，2014年第一季度有望推出28nm五模LTE芯片。聯(lián)芯、中興微電子推出的40nm TD-LTE/LTE FDD/TD-SCDMA/GSM四模芯片已基本達(dá)到商用水平，目前正積極投入工藝水平的提升和WCDMA制式的研發(fā)。

2.2 TD-LTE終端發(fā)展現(xiàn)狀

TD-LTE芯片在多模多頻、工藝水平、穩(wěn)定性等方面的快速提升，為TD-LTE終端特別是手機(jī)的發(fā)展提供了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。截至2013年11月，全球已有華為、中興、酷派、聯(lián)想、蘋果、三星、索尼等超過50家終端廠商投入到TD-LTE終端產(chǎn)品的研發(fā)和生產(chǎn)中，共發(fā)布TD-LTE終端274款，其中包括多款數(shù)據(jù)卡、CPE、MiFi、平板電腦以及智能手機(jī)。

目前，TD-LTE手機(jī)在通信速率、功耗控制及產(chǎn)品穩(wěn)定性等關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)上已基本具備商用能力，具體參數(shù)如表1所示。

表1 TD-LTE手機(jī)關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)

數(shù)據(jù)平均速率 >40Mbps

多小區(qū)環(huán)境下靜止待機(jī)時(shí)長 >72h

手機(jī)待機(jī)電流 10mA以內(nèi)，與FDD水平相當(dāng)

無故障長時(shí)間穩(wěn)定工作時(shí)長 200h，與3G手機(jī)相當(dāng)

針對TD-LTE語音解決方案，目前全球產(chǎn)業(yè)界普遍選擇雙待和CSFB（Circuit Switched Fallback，電路域回落）技術(shù)作為語音過渡方案。雙待方案對現(xiàn)有2G/3G網(wǎng)絡(luò)無改造要求，可較好地保障用戶的業(yè)務(wù)體驗(yàn)，但在功耗、體積和成本方面對終端的要求較高，并需解決終端雙?；ジ蓴_問題。CSFB在終端上實(shí)現(xiàn)的難度較小，但需對網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行改造，在回落網(wǎng)絡(luò)、回落流程及返回機(jī)制等方面存在不同的技術(shù)方案，網(wǎng)絡(luò)改造代價(jià)及用戶體驗(yàn)均與所選取的具體方案有關(guān)。

基于以上兩種方案的技術(shù)缺陷，產(chǎn)業(yè)界已基本將VoLTE作為LTE語音業(yè)務(wù)方案的最終目標(biāo)。目前，韓國SKT、LG Uplus等已商用VoLTE，NTT DoCoMo、Verizon和Vodafone等均陸續(xù)啟動(dòng)VoLTE部署項(xiàng)目，而國內(nèi)TD-LTE工作組也已就VoLTE的發(fā)展規(guī)劃展開深入研究與討論。鑒于VoLTE的技術(shù)復(fù)雜性，具體的技術(shù)指標(biāo)及實(shí)現(xiàn)步驟仍有待明確，相關(guān)產(chǎn)品的成熟商用預(yù)計(jì)至少還需一年的時(shí)間。

3 TD-LTE芯片及終端發(fā)展趨勢

3.1 TD-LTE促進(jìn)終端產(chǎn)業(yè)鏈的技術(shù)創(chuàng)新

（1）多模多頻是發(fā)展的必然趨勢

目前，國際環(huán)境中2G/3G/LTE等多制式的通信網(wǎng)絡(luò)呈現(xiàn)長期共存的發(fā)展態(tài)勢，結(jié)合全球各國家和地區(qū)通信制式的多樣化以及TDD/FDD融合組網(wǎng)的發(fā)展態(tài)勢，支持多模多頻是核心芯片及終端發(fā)展的必然趨勢。

但是，考慮到全球2G/3G/LTE頻段的分散化，以及LTE 20MHz帶寬、多天線MIMO、載波聚合CA等技術(shù)特性的支持，多模多頻需求無疑會在射頻指標(biāo)、多模互操作、功耗和集成度以及語音方案等方面提高終端產(chǎn)品的技術(shù)復(fù)雜度[3]。而相比國際企業(yè)，國內(nèi)芯片制造業(yè)的優(yōu)勢主要在TDD領(lǐng)域，在WCDMA/CDMA/LTE FDD等制式的技術(shù)和市場上均不占優(yōu)勢。endprint

目前，國際漫游大都以語音業(yè)務(wù)為主，數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)漫游的需求尚在逐步發(fā)展中，因此短期內(nèi)五模、六模產(chǎn)品需求主要存在于高端用戶。從美國、日本和韓國等地的LTE發(fā)展經(jīng)驗(yàn)來看，Verizon、SoftBank和SKT在發(fā)展LTE網(wǎng)絡(luò)時(shí)均根據(jù)用戶的實(shí)際需求和產(chǎn)業(yè)的發(fā)展情況，選擇CDMA/LTE雙模或者GSM/WCDMA/LTE三模作為過渡階段終端多模多頻的技術(shù)要求。

因此，國內(nèi)TD-LTE在發(fā)展初期，在積極推動(dòng)五模、六模終端發(fā)展的同時(shí)，引入兩?；蛉Ｊ謾C(jī)作為多模終端發(fā)展的中低端過渡產(chǎn)品，將有利于帶動(dòng)企業(yè)投入的積極性，促進(jìn)TD-LTE手機(jī)的快速上量。而隨著產(chǎn)品的進(jìn)一步成熟、用戶規(guī)模和市場需求的提升，運(yùn)營商及終端制造企業(yè)可及時(shí)推動(dòng)GSM/WCDMA/TD-SCDMA/CDMA/TD-LTE/LTE FDD全模智能手機(jī)產(chǎn)品的應(yīng)用。

（2）芯片工藝演進(jìn)周期縮短

伴隨著用戶需求的與日俱增，芯片產(chǎn)品的發(fā)展不再僅僅追求功能的提升，還需綜合考慮性能、功耗與成本的平衡點(diǎn)。而相比于眾多的電源管理方案，芯片工藝制程的演進(jìn)在提升性能和降低功耗方面具備更實(shí)際的意義，轉(zhuǎn)向更高制程無疑是提升芯片產(chǎn)品性能功耗比和市場競爭力最直接有效的辦法。

2007年底，Intel率先宣布將芯片工藝制程提升至45nm，而臺灣代工巨頭TSMC隨后開始為40nm芯片提供代工。隨著芯片良率的不斷提高，40nm工藝逐漸在移動(dòng)通信終端芯片領(lǐng)域得以普及。

2012年初，高通宣布推出28nm多模多頻LTE芯片。考慮到LTE階段終端耗電問題所帶來的芯片工藝與集成度的挑戰(zhàn)，業(yè)界普遍認(rèn)為28nm芯片工藝是標(biāo)志終端環(huán)節(jié)成熟的關(guān)鍵因素。

目前，Intel等國際領(lǐng)先的芯片企業(yè)已陸續(xù)展開22nm/20nm工藝的研發(fā)，并公布了16nm/14nm的演進(jìn)路線圖，LTE時(shí)代的來臨已使得全球芯片工藝的演進(jìn)周期被逐步縮短。

但鑒于國內(nèi)芯片工藝制程與國際領(lǐng)先水平之間的差距，若循序漸進(jìn)地投入22nm/20nm工藝的研發(fā)生產(chǎn)，仍難免陷入被動(dòng)跟隨的僵局。因此，建議國內(nèi)有實(shí)力的芯片廠商盡早布局16nm/14nm等下一代工藝，提前準(zhǔn)備芯片IP（Intelligence Property，知識產(chǎn)權(quán)）模塊及研發(fā)環(huán)境等，通過跨越式發(fā)展提升我國企業(yè)的市場競爭力。

（3）終端應(yīng)用能力不斷提升

伴隨著TD-LTE的商用在即（2013年12月28日，中國移動(dòng)宣布廣州、深圳兩地4G正式商用——編注），LTE技術(shù)的高速數(shù)據(jù)速率將引發(fā)用戶對終端處理能力、屏幕顯示等多方面需求的升級；而越來越多的終端企業(yè)也將謀求LTE終端的個(gè)性化、差異化發(fā)展。因此，TD-LTE技術(shù)的推廣普及將帶動(dòng)終端技術(shù)和產(chǎn)品的創(chuàng)新與變革。終端應(yīng)用能力的提升主要包括以下幾個(gè)方面：

1）處理能力

iPhone 5S的發(fā)布正式拉開了手機(jī)CPU處理器從32位演進(jìn)至64位的序幕，在高通、博通、MTK等芯片企業(yè)的支持下，包括三星在內(nèi)的終端廠商也即將推出升級類產(chǎn)品，移動(dòng)終端的硬件和軟件生態(tài)系統(tǒng)將借助64位處理器帶來PC級的用戶體驗(yàn)。同時(shí)，終端的多媒體處理能力也將得到進(jìn)一步提升，包括對OpenGL、DirectX等圖像處理技術(shù)及H.265等視頻編碼技術(shù)的支持。

另外，運(yùn)動(dòng)健身、身體追蹤等應(yīng)用的普及使得用戶對手機(jī)傳感能力的需求持續(xù)增加，以M7協(xié)處理器為代表的傳感設(shè)備能夠通過加速感應(yīng)器、陀螺儀和指南針等收集傳感數(shù)據(jù)，適用于可穿戴設(shè)備的后續(xù)發(fā)展。

2）屏幕顯示

眼球識別、柔性屏、裸眼3D等技術(shù)是近年來屏幕顯示技術(shù)的創(chuàng)新亮點(diǎn)，而手機(jī)屏幕分辨率也有望于近年達(dá)到2K（2560*1440）甚至4K（3840*2160）的水平。結(jié)合全球智能手機(jī)、電視機(jī)和計(jì)算機(jī)等多屏合一的發(fā)展趨勢，屏幕顯示技術(shù)的創(chuàng)新將帶來嶄新的用戶體驗(yàn)。

3）近場通信

目前，歐美、臺灣、香港等部分地區(qū)已將內(nèi)置NFC（Near Field Communication，近場通信）功能的手機(jī)應(yīng)用于市政管理、金融支付等多個(gè)領(lǐng)域，而展訊、MTK等也已推出支持NFC功能的TD-SCDMA芯片解決方案。特別是將NFC、指紋識別等技術(shù)與TD-LTE終端相結(jié)合，能夠進(jìn)一步為移動(dòng)支付提供安全方便的技術(shù)保障。

4）位置服務(wù)

位置服務(wù)是近年來移動(dòng)通信網(wǎng)絡(luò)和衛(wèi)星定位系統(tǒng)合作的典范，特別是目前我國自主研發(fā)的北斗定位導(dǎo)航系統(tǒng)已正式民用，TD-LTE芯片及終端兼容北斗既是對國家自主創(chuàng)新技術(shù)的支持，也有利于保障我國移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)絡(luò)的信息安全。

未來TD-LTE移動(dòng)終端的發(fā)展依然應(yīng)以人為本，多年的發(fā)展經(jīng)驗(yàn)已說明單純的硬件比拼或是軟件更新并不能獲得真正的商用價(jià)值，國內(nèi)企業(yè)還需更多地探索合理的軟硬結(jié)合，并積極推出貼近目標(biāo)用戶的市場細(xì)分產(chǎn)品。

3.2 TD-LTE終端業(yè)務(wù)應(yīng)用場景廣闊

近年來，隨著移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的蓬勃發(fā)展，國際運(yùn)營商在建設(shè)智能管道的同時(shí)陸續(xù)投入應(yīng)用服務(wù)領(lǐng)域的探索，傳統(tǒng)通信技術(shù)服務(wù)的商業(yè)化傾向日益明顯。而TD-LTE技術(shù)能夠?yàn)槿找嬖鲩L的信息消費(fèi)需求提供有力的網(wǎng)絡(luò)支持，針對各類差異化應(yīng)用場景的TD-LTE終端產(chǎn)品將具備廣闊的應(yīng)用場景。

一方面，國內(nèi)終端企業(yè)可考慮將TD-LTE技術(shù)與消費(fèi)電子領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新相結(jié)合，積極參與移動(dòng)支付、智能家電等場景應(yīng)用，借助國內(nèi)巨大的用戶規(guī)模及換機(jī)潛力進(jìn)行差異化的產(chǎn)品設(shè)計(jì)和推廣，并穩(wěn)步積累參與國際市場的實(shí)力。

另一方面，借鑒國際領(lǐng)先運(yùn)營商LTE網(wǎng)絡(luò)的業(yè)務(wù)示范與產(chǎn)業(yè)拉動(dòng)經(jīng)驗(yàn)，國內(nèi)可加強(qiáng)對行業(yè)應(yīng)用的探索研究。特別是在公網(wǎng)支持之外，積極拓展政務(wù)、石油、電力等專網(wǎng)終端的示范應(yīng)用領(lǐng)域，將目前豐富的信息資源，充分應(yīng)用至現(xiàn)代服務(wù)業(yè)，推進(jìn)基于TD-LTE的移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)、物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)和云計(jì)算的示范應(yīng)用，從而促進(jìn)TD-LTE產(chǎn)業(yè)化和商用化的健康持續(xù)發(fā)展。endprint

3.3 TD-LTE終端產(chǎn)業(yè)鏈規(guī)模競爭空前激烈

目前，全球已有20余家芯片企業(yè)和50余家終端企業(yè)參與TD-LTE終端產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié)，其中以國內(nèi)企業(yè)為主要代表的TD-SCDMA傳統(tǒng)企業(yè)已基本全部演進(jìn)至TD-LTE，來自GSM/WCDMA/LTE FDD領(lǐng)域的企業(yè)借助共平臺設(shè)計(jì)支持TD-LTE，部分傳統(tǒng)WiMAX及PHS終端企業(yè)陸續(xù)轉(zhuǎn)向TD-LTE，而在美國Sprint等CDMA運(yùn)營商的帶動(dòng)下，部分CDMA終端企業(yè)也將向TD-LTE升級演進(jìn)，另外TD-LTE還吸引了部分新興芯片及終端企業(yè)的參與。

相比3G階段，TD-LTE與LTE FDD標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)只有10%左右的差異，而共平臺設(shè)計(jì)又在工程實(shí)現(xiàn)方面保證了TDD與FDD產(chǎn)業(yè)的融合發(fā)展。同時(shí)，印度、巴西、中國等TD-LTE規(guī)模市場的陸續(xù)啟動(dòng)，為全球終端制造企業(yè)提供了廣闊的市場空間和全新的發(fā)展機(jī)遇。因此，TD-LTE核心芯片及終端環(huán)節(jié)擁有規(guī)?？涨暗漠a(chǎn)業(yè)鏈支持，多廠商環(huán)境將有利于終端產(chǎn)品的多樣化以及產(chǎn)業(yè)的健康持續(xù)發(fā)展。

與此同時(shí)，終端產(chǎn)業(yè)規(guī)模的擴(kuò)大必將使得原本激烈的市場競爭進(jìn)一步升溫。在核心芯片領(lǐng)域，瑞薩已宣布關(guān)閉移動(dòng)通信modem業(yè)務(wù)，ST-Ericsson將部分業(yè)務(wù)分拆后宣布關(guān)閉；在終端領(lǐng)域，即使如蘋果、三星等巨頭也在不斷更新產(chǎn)品線，蘋果針對中低端市場推出了iPhone 5C，而三星則通過技術(shù)的推陳出新來吸引市場眼球。

面對國際企業(yè)的強(qiáng)勢競爭，國內(nèi)企業(yè)在TD-LTE核心芯片和終端領(lǐng)域?qū)⒚媾R一定的風(fēng)險(xiǎn)與挑戰(zhàn)，主要包括以下三個(gè)方面：

（1）核心技術(shù)及IP庫

TD-LTE多模多頻對核心芯片的工藝、功耗、IP模塊和終端的集成度提出了巨大考驗(yàn)。相比于國際領(lǐng)先企業(yè)，國內(nèi)核心芯片企業(yè)開發(fā)技術(shù)及經(jīng)驗(yàn)積累仍有不足，終端企業(yè)的產(chǎn)品規(guī)劃及創(chuàng)新能力有限，整個(gè)終端產(chǎn)業(yè)鏈在產(chǎn)品設(shè)計(jì)、研發(fā)和生產(chǎn)制造等方面仍存在一定的差距。

（2）研發(fā)測試環(huán)境

TD-LTE多模芯片及終端的設(shè)計(jì)開發(fā)需要研發(fā)、測試、生產(chǎn)環(huán)境的配套升級，但環(huán)境的建設(shè)意味著大量人力、物力、財(cái)力的投入。同時(shí)，LTE部分關(guān)鍵元器件、測試軟件、儀器儀表等目前仍受到國外企業(yè)的壟斷控制，國內(nèi)芯片及終端企業(yè)在研發(fā)測試環(huán)境的建設(shè)方面存在一定的缺口。

（3）專利壁壘

一方面，全球TD-LTE專利數(shù)量巨大、專利權(quán)人分布零散，而中國企業(yè)的高質(zhì)量專利數(shù)量有限。另一方面，國內(nèi)企業(yè)在進(jìn)入WCDMA、CDMA等領(lǐng)域時(shí)，同樣將面臨專利壁壘問題。

TD-LTE空前的市場規(guī)模將導(dǎo)致無法避免的產(chǎn)業(yè)競爭與行業(yè)整合。因此，在商用的后續(xù)發(fā)展過程中，國內(nèi)企業(yè)必須提升自身的核心競爭力，加強(qiáng)商業(yè)市場的靈活應(yīng)對能力。

3.4 TD-LTE終端產(chǎn)業(yè)鏈面臨知識產(chǎn)權(quán)挑戰(zhàn)

近年來，多家通信業(yè)巨頭陸續(xù)陷入專利訴訟戰(zhàn)中，特別是在終端領(lǐng)域，2011年以來先后爆發(fā)了諾基亞與蘋果、摩托羅拉與蘋果、三星與蘋果訴訟案等多起知識產(chǎn)權(quán)糾紛。知識產(chǎn)權(quán)糾紛的高密度出現(xiàn)，一方面在于，新技術(shù)和新產(chǎn)業(yè)模式的出現(xiàn)對舊有產(chǎn)業(yè)格局產(chǎn)生沖擊，導(dǎo)致傳統(tǒng)勢力在競爭中不斷祭出專利訴訟的手段遏制新興勢力；另一方面，擁有技術(shù)優(yōu)勢的企業(yè)也需要通過專利等知識產(chǎn)權(quán)手段，保護(hù)自身技術(shù)與研發(fā)的現(xiàn)有利益。

在3G時(shí)代，我國提出了自主創(chuàng)新的TD-SCDMA技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，在一定程度上扭轉(zhuǎn)了國內(nèi)企業(yè)在國際通信標(biāo)準(zhǔn)中基本專利持有量低的被動(dòng)局面。由于我國企業(yè)擁有TD-SCDMA的主要基本專利，TD-SCDMA成為市場上唯一不用國內(nèi)企業(yè)向國際公司交納專利費(fèi)的3G技術(shù)制式。

步入4G階段，我國企業(yè)更加重視移動(dòng)通信領(lǐng)域的專利申請，專利總數(shù)顯著提升。但LTE的國際化發(fā)展、FDD/TDD融合以及終端2G/3G/4G多模需求等加速了TD-LTE專利的分散態(tài)勢，使得我國企業(yè)在TD-LTE專利領(lǐng)域的地位有所下降。根據(jù)ETSI披露的未經(jīng)詳細(xì)評估的LTE基本專利顯示，截至2012年底，我國移動(dòng)通信企業(yè)所持有的基本專利數(shù)量占比不到20%。特別是考慮到多模多頻的需求，國內(nèi)TD-LTE芯片及終端企業(yè)所面臨的專利形勢非常嚴(yán)峻，防御將是今后相當(dāng)長時(shí)間內(nèi)的主要任務(wù)。

2009年7月，日本INCJ（Innovation Network Corporation of Japan，日本產(chǎn)業(yè)革新機(jī)構(gòu)）正式成立，成為日本唯一由官方和民間共同出資、決策權(quán)完全交由民間投資機(jī)構(gòu)的知識產(chǎn)權(quán)保護(hù)組織。韓國在2010年成立的Intellectual Discovery，是由政府和民間合作建立的創(chuàng)新知識產(chǎn)權(quán)管理公司，通過保護(hù)和商業(yè)化優(yōu)秀的專利來加強(qiáng)韓國技術(shù)的全球競爭力?？梢?，日本和韓國都選擇通過第三方行業(yè)組織牽頭建立專利公司，集中運(yùn)營所擁有的專利，從而達(dá)到以企業(yè)間專利合作為紐帶建立專利防御體系、推動(dòng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的目標(biāo)。

結(jié)合國際領(lǐng)先經(jīng)驗(yàn)，筆者建議：

（1）盡快組建包括TD-LTE知識產(chǎn)權(quán)在內(nèi)的移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)專利公司，專利公司正式運(yùn)營后，主要以市場手段為企業(yè)提供知識產(chǎn)權(quán)風(fēng)險(xiǎn)防御。

（2）積極推動(dòng)金融業(yè)進(jìn)入知識產(chǎn)權(quán)保護(hù)領(lǐng)域，鼓勵(lì)多種金融資本通過投資的方式支持專利公司，還可用政策引導(dǎo)吸引民間資本參與專利公司，提高專利與市場對接的可能性，支持專利公司的發(fā)展，以知識產(chǎn)權(quán)保護(hù)促進(jìn)金融企業(yè)所投資企業(yè)、產(chǎn)業(yè)的健康發(fā)展。

（3）鼓勵(lì)相關(guān)企業(yè)積極參加專利公司，以公司股東整體的專利資源構(gòu)筑LTE階段的知識產(chǎn)權(quán)保護(hù)體系，助力LTE市場與產(chǎn)業(yè)的健康發(fā)展。

4 結(jié)束語

綜上所述，目前TD-LTE芯片在多模多頻、工藝制程、功耗控制等方面已基本達(dá)到商用水平，TD-LTE終端類型日漸豐富，手機(jī)性能基本與LTE FDD持平。而憑借TDD雙工的技術(shù)優(yōu)勢以及中國、印度、巴西等規(guī)模市場的發(fā)展?jié)摿Γ琓D-LTE吸引了越來越多運(yùn)營商及制造企業(yè)的關(guān)注。在TDD和FDD融合的必然發(fā)展趨勢下，TD-LTE終端產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié)所擁有的多廠商環(huán)境規(guī)模空前，產(chǎn)品更新演進(jìn)迅速。將TD-LTE技術(shù)與各類新興技術(shù)相結(jié)合并作為消費(fèi)電子進(jìn)行推廣，將是后續(xù)TD-LTE終端產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展趨勢。

與此同時(shí)，國內(nèi)核心芯片及終端企業(yè)在LTE階段將面臨更激烈的技術(shù)和市場競爭，進(jìn)一步的行業(yè)整合不可避免，如何推動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新、提高核心競爭力值得深入研究和探索。另外，LTE階段國內(nèi)芯片及終端企業(yè)將面臨嚴(yán)峻的專利形勢，建議通過專利公司的市場運(yùn)作模式，達(dá)到以企業(yè)間專利合作為紐帶建立知識產(chǎn)權(quán)保護(hù)體系、推動(dòng)產(chǎn)業(yè)健康發(fā)展的目標(biāo)。

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[5] 程慧. 智能手機(jī)的秘密[M]. 北京： 北京郵電大學(xué)出版社， 2013.

作者簡介

吳慧敏：碩士畢業(yè)于北京郵電大學(xué)通信與信息系統(tǒng)專業(yè)，現(xiàn)任職于TD產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟，主要從事TD核心芯片及終端業(yè)務(wù)應(yīng)用與發(fā)展規(guī)劃等相關(guān)工作。

王鵬：碩士畢業(yè)于電信科學(xué)技術(shù)研究院電磁場與微波技術(shù)專業(yè)，現(xiàn)任TD產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟產(chǎn)業(yè)部總監(jiān)，長期從事TD技術(shù)研究、頻率規(guī)劃、產(chǎn)業(yè)協(xié)調(diào)等工作。

周立剛：北京郵電大學(xué)博士，現(xiàn)任職于TD產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟，主要從事移動(dòng)通信領(lǐng)域的知識產(chǎn)權(quán)問題研究。endprint