楊艷

（國家知識產(chǎn)權局專利局光電部，北京100088）

納米技術中國專利的分析研究

楊艷

（國家知識產(chǎn)權局專利局光電部，北京100088）

以CPRS文摘數(shù)據(jù)庫（CPRSABS）公開的納米技術相關專利文獻為基礎，從專利申請量、申請人、IPC分類等方面對納米技術相關中國專利申請深入分析。

納米技術；專利；數(shù)據(jù)庫

1 概述

納米技術是世界科技發(fā)達國家科技競爭的熱點領域之一，早在20世紀90年代，世界各國分別以各種形式支持了納米科技的發(fā)展，如美國的納米科學技術計劃，一些大型跨國公司也紛紛參與，積極開展納米科學技術的開發(fā)，形成了“納米科技”的熱潮。納米科技也是我國“國家中長期科學和技術發(fā)展規(guī)劃綱要（2006-2020）”確定的一項重點發(fā)展的前沿科學技術領域。納米科技作為各國重點發(fā)展的前沿科技領域，也引起學術界的普遍關注[1]。

專利是技術長信和科學技術發(fā)明的產(chǎn)物，發(fā)明專利具有超前技術、植根于科學研究等特征，可以代表現(xiàn)代科學技術發(fā)展的最新水平。發(fā)明專利在實施科學技術資產(chǎn)管理的時代具有不可替代的作用。本文選用中國與日本、美國和韓國在納米技術領域方面的專利進行對比分析，從專利數(shù)量與領域分布情況的角度分析各國的中國專利在納米技術領域的差異，有助于了解整個產(chǎn)業(yè)界中國納米科技發(fā)展的現(xiàn)狀[2]。

2 各國納米技術專利統(tǒng)計分析

研究各國納米技術專利在中國的專利發(fā)展情況，本文所依據(jù)的數(shù)據(jù)檢索自CPRS文摘數(shù)據(jù)庫（CPRSABS），納米技術高速發(fā)展階段（2000-2011年）期間的，時間限定在2013年1月31日以前公開的文件。由于2011和2012年的部分專利文獻還沒有入庫，因此未采納2012年的數(shù)據(jù)，其中2011年僅提供參考，通過綜合分析，相信這些數(shù)據(jù)并不影響對趨勢的預測。

在CPRS文摘數(shù)據(jù)庫中采用納米技術領域涉及的關鍵詞：納米、富勒烯、量子點、量子線、準晶體、自組裝、原子力顯微鏡、掃描顯微鏡、分子電子學、分子模擬、分子馬達、分子傳感器、分子仿真、分子器件、原子模擬進行檢索，得到65817篇專利申請，下面以這些專利申請為樣本，分析了納米技術領域在我國的專利技術現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢。

2.1 年度數(shù)量統(tǒng)計

圖1給出了納米技術領域在我國的專利申請分布情況，從圖中可以看出，中國申請人提出的申請數(shù)量最多，占86％，國外來說，美國申請的專利最多，排名第二的是日本，其次是韓國。我們應該對其他主要國家在中國申請的專利進行仔細解讀，以便今后我們的產(chǎn)品走向國際化。

圖1 納米技術領域在我國的專利申請分布情況

圖2和圖3給出了在納米技術高速發(fā)展的階段我國、日本、美國和韓國年度申請量趨勢分布情況，明顯看出，從2002年開始我國一直保持較高的增長幅度，處于上升階段；美國在2007年之前也保持增長趨勢，之后兩年出現(xiàn)負增長，從2010年開始增量又趨于明顯；日本在2007-2010年申請量保持平穩(wěn)趨勢，可見，日本關于納米技術領域的申請相對進入穩(wěn)定期，而韓國在2006年之前處于增長趨勢，后趨于平緩下行。

圖2 2000-2011年納米技術領域我國申請量曲線圖

圖3 2000-2011年納米技術領域國外各主要國家申請量曲線圖

2.2 領域分布統(tǒng)計（分類）對比各國研究熱點

圖4和圖5給出了納米技術相關專利IPC技術構成（小類）分析結果。結果顯示，我國排名第一的是A61K（醫(yī)用、牙科用或梳妝用的配制品），該小類共申請專利4701件；排名第二的是B01J（化學或物理方法）小類4361件；其次是C08L（高分子化合物的組合物）小類3904件。

圖4 我國納米技術構成分類分析

圖5 國外主要國家納米技術構成分類分析

然而，國外來說，美國、日本、韓國排名第一的都是H01L（半導體器件；其他類目未包含的電固體器件）。美國在H01L領域尤為突出，其他分類領域較為均衡；日本排名第二的C01B（非金屬元素，其化合物）同排名第一的H01L數(shù)量相當；而韓國同樣是在H01L領域比較突出，排名第二、三的分別是B82B（超微結構；超微結構的制造或處理）和C01B。

2.3 申請人分析統(tǒng)計

從納米技術相關中國專利申請的申請人構成來看，高校和科研機構占了一半以上，見圖6。這一點說明，目前納米技術在中國仍然是一個有待于深入研究的技術，離大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化還有一定距離。

圖6 國內申請人類型分布

國內各地區(qū)的申請呈不均衡態(tài)勢，體現(xiàn)出一定的地區(qū)優(yōu)勢：國內從事納米技術研發(fā)的高校、科研機構、企業(yè)主要集中在經(jīng)濟較為發(fā)達、資金實力較為雄厚、科研院校較為集中的省市地區(qū)，如北京、上海、江蘇等地，這些省市都是較早開展研究與申請該領域相關專利的地區(qū)，見圖7，對該項技術的發(fā)展具有明顯的推動作用。

圖7 國內申請人地區(qū)分布數(shù)量

通過對納米技術領域相關中國申請專利的申請人進行統(tǒng)計，如表1所示，發(fā)現(xiàn)中國排名前三位的是清華大學，上海交通大學，浙江大學；然而，美國排名前三的分別是國際商業(yè)機器公司、英特爾公司、通用電器；日本排名靠前的是索尼公司、松下電器；韓國排名靠前的是三星電子、樂金顯示有限公司。

3 我國存在的問題

通過上述對納米技術領域各主要國家的專利分析得出我國的納米專利發(fā)展非?？欤沁€存在以下問題：

1）根據(jù)統(tǒng)計分析我們可以發(fā)現(xiàn)，我國的優(yōu)勢學科領域為納米化學、納米材料、納米器件，在納米材料制造、納米微觀屬性研究等方面較強，而在納米通信技術方面尤其是納米光電領域的研究有明顯的不足，不利于納米主流技術的發(fā)展，以及對國外企業(yè)的阻擊。

2）學術機構研究的比例高達60％以上，高產(chǎn)機構全部都是高等院校和科研機構且比較分散，我國的企業(yè)還遠未成為國內科學技術的創(chuàng)新主體，對當前迅速變化的市場、稍縱即逝的發(fā)展機會、瞬變的主流技術等情報分析認識不足；這一點與國外情況恰恰相反，國外的高科技專利不僅僅是由研究機構申請的，而且絕大部分都是由企業(yè)或大公司申請的。從國內外申請專利的主體來看，說明我國納米技術型企業(yè)的創(chuàng)新能力仍然不足，還有待進一步的提高。

4 納米技術專利戰(zhàn)略

在納米技術領域，我國的發(fā)展可謂突飛猛進，但要成為專利強國還任重道遠?；谏鲜龇治?，筆者提出如下建議：

4.1增強產(chǎn)學研之間的合作

近年來，我國納米技術專利發(fā)展迅速，但與市場脫節(jié)的狀況尚未根本改變。我國企業(yè)依然不是我國科學技術的創(chuàng)新主體，而技術發(fā)明所產(chǎn)生的經(jīng)濟效益、社會效益需要企業(yè)去創(chuàng)造，故應當加大高?？蒲谐晒霓D化效果與效率。我國也應當根據(jù)新形勢進行調整，加強高等院校與產(chǎn)業(yè)界的合作，促進中國納米技術產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

4.2加大對相關企業(yè)的扶持力度

具體地說，我國也應當運用政策扶植手段，激勵我國產(chǎn)業(yè)界申請專利，為我國企業(yè)發(fā)展保駕護航；在國家科研基金申請中，應當鼓勵企業(yè)和科研院所、大專院校合作申請，加強專利申請的系統(tǒng)性，將資助重點由單個專利轉向專利簇群，注重核心專利的申請和保護；加強弱勢領域的研發(fā)，大力發(fā)展納米主流技術。

最后，外國企業(yè)正在我國實施“專利跑馬占地”的戰(zhàn)略，已對我國科技創(chuàng)新和自主知識產(chǎn)權占有市場份額的空間形成了嚴重的威脅，我們必須積極應對，抓緊落實我國的專利與標準戰(zhàn)略。

表1 各國家納米技術領域申請專利的主要單位

[1]朱相麗.國際納米技術市場及納米制造技術的發(fā)展方向[J].新材料產(chǎn)業(yè)，2007（10）：62-65.

[2]楊祖國，李文蘭.中國專利引文分析研究[J].情報科學，2005，23（5）：700-707.

〔責任編輯 高 ?！?/p>

The Stndy of Nanotechnology Patent in China

YANG Yan
（Departmentof Optics and Electronics Technology,State Intellectual Property Office of the P.R.China,Beijing，100088）

Based on public nanotechnology related patent documents of CPRS database（CPRSABS）,this article intensively analyses nanotechnology related Chinese patent documents from the amount of patent application,the applicant,IPC classification and other aspects.

nanotechnology；patent；CPRSABS

O421.1

A

2013-07-20

楊艷（1981-），女，北京人，碩士,主任科員，研究方向：納米技術專利與國際專利申請的審查工作。

1674－0874（2013）05－0023－02