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低溫?zé)Y(jié)Dy-B-Si-O系玻璃介質(zhì)摻雜Ba0.6Sr0.4TiO3陶瓷

2012-09-18 07:59:20卓,馬成,劉山,馮俊,楊賀,姜
關(guān)鍵詞:干凝膠電性能介電常數(shù)

吳 凱 卓,馬 鐵 成,劉 貴 山,馮 俊,楊 蘭 賀,姜 宏 陽

(大連工業(yè)大學(xué) 紡織與材料工程學(xué)院,遼寧 大連 116034)

0 引言

鈦酸鍶鋇(BST)是一種具有典型的鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的鐵電材料,為鈦酸鍶和鈦酸鋇形成的連續(xù)固溶體,其居里溫度在Ba/Sr比為0~1連續(xù)可調(diào),在動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲器[1]、鐵電移相器[2]、螺旋共振器[3]、集成微波器件[4]等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。但是傳統(tǒng)固相法制備的BST 材料,燒結(jié)溫度一般為1 300~1 400 ℃,高溫?zé)Y(jié)能耗大,對器件內(nèi)電極材料要求較高,而且極易造成晶體顆粒過度長大,導(dǎo)致材料性能下降[5]。在BST 陶瓷中適量地?fù)诫s玻璃態(tài)物質(zhì)可有效地降低燒結(jié)溫度,控制介電損耗的增大,并提高陶瓷的致密度。張慶猛等[6]研究了BaO-SiO2-B2O3系玻璃介質(zhì)對Ba0.6Sr0.4TiO3陶瓷燒結(jié)溫度和介電性能的影響不同玻璃介質(zhì)體系對Ba0.6Sr0.4TiO3陶瓷燒結(jié)特性和性能的有不同的影響。作者研究了Dy-B-Si-O系玻璃介質(zhì)對Ba0.6Sr0.4TiO3陶瓷的影響。

1 實(shí) 驗(yàn)

1.1 樣品的制備

按n(Ba)∶n(Sr)=6∶4稱取一定量分析純醋酸鋇和醋酸鍶,在加熱、攪拌條件下溶解于一定量的去離子水中,制成含鋇、鍶的溶液A。將鈦酸四丁酯溶解于乙醇中(體積比約為1∶4),同時(shí)加入少量冰乙酸作為穩(wěn)定劑,充分?jǐn)嚢栊纬删鶆蚍€(wěn)定的含鈦前軀體溶液B。將溶液A 滴加入溶液B中,加熱劇烈攪拌30 min后形成淡黃、穩(wěn)定透明的BST 前軀體溶液。按表1給定的摩爾比稱取分析純正硅酸乙酯、硼酸三正丁酯、醋酸鏑,溶解于一定量的乙醇中,得到透明的玻璃相溶液,一邊強(qiáng)烈攪拌一邊將玻璃相溶液滴加入BST 前軀體溶液中,調(diào)節(jié)pH 為4.5,并加入適量的表面分散劑聚乙二醇400,在60 ℃水浴攪拌1h,得到淡黃、透明含Dy-B-Si-O 系玻璃介質(zhì)的BST 溶膠。溶膠經(jīng)80 ℃干燥24h得到干凝膠,將干凝膠在不同溫度下熱處理得到陶瓷粉體。粉體經(jīng)球磨造粒后,在200MPa壓制成直徑15mm、厚1.0mm樣片,在不同的溫度下燒結(jié)。樣品組成見表1。

表1 BST 樣品的組成Tab.1 Composition of BST samples

1.2 樣品的表征

分別采用D/MAX-3C 型X 射線衍射儀和JEOLJSM-6460LV 型掃描電子顯微鏡分析干凝膠的物相結(jié)構(gòu)和陶瓷斷面的顯微形貌,利用阿基米德排水法測量樣品的真密度,WCR-2D 微機(jī)差熱儀測量干凝膠的DTA 曲線。將制備好的樣品兩面拋光,超聲波清洗后雙面披銀,在550℃保溫30min燒成電極,采用TH2818自動(dòng)元件分析儀測試樣品在不同頻率下的介電性能。根據(jù)式(1)、(2)計(jì)算樣品的相對介電常數(shù)(εr)和介電損耗(tanδ)[7]:

式中,h為樣品的厚度,cm;Φ為樣品的電極直徑,cm;C為樣品的電容,pF;D為介質(zhì)損耗因數(shù);f為測試頻率。

2 結(jié)果與討論

2.1 干凝膠的差熱分析

不同樣品的差熱分析(DTA)曲線差別較小,圖1為樣品BSTD-2的DTA 曲線??梢钥闯?,干凝膠的分解分為3 個(gè)階段:第1 階段為0~181 ℃,在92.3 ℃有一個(gè)明顯的吸熱峰;第2階段為181~547℃,存在297.9和487.5℃兩個(gè)尖銳的放熱峰;第3階段為547℃以上,主要反應(yīng)為干凝膠中的無機(jī)鹽和有機(jī)鹽分解成為BaTiO3和SrTiO3,BaTiO3和SrTiO3進(jìn)一步與TiO2反應(yīng)生成Ba0.6Sr0.4TiO3。在616.8 ℃存在一個(gè)放熱峰,說明此溫度下鈣鈦礦型結(jié)構(gòu)開始形成。

圖1 樣品BSTD-2干凝膠的差熱譜圖Fig.1 DTA curve of dry gel of sample BSTD-2

2.2 干凝膠在不同溫度煅燒的XRD 分析

將Dy-B-Si-O 玻璃介質(zhì)摻雜Ba0.6Sr0.4TiO3陶瓷凝膠分別在500、600、700、800℃的馬弗爐中煅燒2h,研究樣品的晶化過程。由圖2可知,800℃時(shí)晶化程度較好,為最佳煅燒溫度,且與干凝膠的DTA 分析結(jié)論完全一致。

圖2 BSTD-2樣品干凝膠的XRD 譜圖Fig.2 XRD patterns of dry gelatum of sample BSTD-2

2.3 致密度分析

由圖3可以看出,樣品BST-P和BSTD-2的真密度隨溫度的升高先增大后減小,且樣品BST-P在1 250℃達(dá)到最大燒結(jié)密度4.93g/cm3,而BSTD-2在1 100℃達(dá)到最大燒結(jié)密度5.66g/cm3。

圖3 陶瓷真密度與燒結(jié)溫度關(guān)系曲線Fig.3 Variation of ceramic-density as a function of sintering temperature

圖4為樣品BST-P、BSTD-2 陶瓷斷面的SEM 照片。對比圖4(a)、(b)可以看出,摻雜的Dy-B-Si-O 玻璃介質(zhì)包裹了BST 相的陶瓷顆粒且填充了顆粒間的空隙,有效地促進(jìn)了燒結(jié),提高了陶瓷的致密度,從而降低了燒結(jié)溫度。

圖4 陶瓷樣品的SEM 照片F(xiàn)ig.4 SEM images of ceramic samples

2.4 介電性能分析

圖5 陶瓷樣品的介電性能與頻率的關(guān)系Fig.5 Frequency dependence of the dielectric properties of ceramic samples

圖5為Dy-B-Si-O系玻璃介質(zhì)摻雜BST陶瓷的介電常數(shù)和介電損耗與頻率的關(guān)系曲線。由圖5(a)、(b)可以看出,隨著Dy-B-Si-O 系玻璃介質(zhì)中Dy2O3組分含量的增加,介電常數(shù)增大,介電損耗先增大后減小。理論上講,玻璃介質(zhì)的存在增大BST 陶瓷的介電損耗,而玻璃介質(zhì)中Dy3+的存在可顯著降低BST 陶瓷的介電損耗[9],所以本研究中,Dy2O3組分為0.85%時(shí),由于玻璃介質(zhì)和Dy3+的綜合作用,其介電損耗與純BST陶瓷相比增加幅度較小,其介電常數(shù)增大。

3 結(jié)論

采用溶膠-凝膠法制備了Dy-B-Si-O 系玻璃介質(zhì)摻雜Ba0.6Sr0.4TiO3陶瓷粉體,所得陶瓷的主晶相為鈣鈦礦結(jié)構(gòu),干凝膠的最佳煅燒溫度為800 ℃。Dy-B-Si-O 系玻璃介質(zhì)的存在,有效降低了BST 陶瓷的燒結(jié)溫度,實(shí)現(xiàn)了BST 陶瓷的低溫?zé)Y(jié)。適量的Dy-B-Si-O 系玻璃介質(zhì)可提高BST 陶瓷的介電常數(shù),介電損耗可控制在0.01以下。

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