石封茶,余 劍, 楊 廣
(電子工程學(xué)院, 合肥 230037)
射頻識別(RFID:Radio Frequency Identification)技術(shù)是從20世紀(jì)90年代興起的一種自動識別技術(shù),其通過無線射頻的方式進行非接觸雙向數(shù)據(jù)通信從而對目標(biāo)進行識別。目前廣泛地應(yīng)用于商品防偽、身份識別、倉儲管理、醫(yī)療衛(wèi)生和國防軍事等諸多領(lǐng)域[1-2]。它的核心部件包括讀寫器和射頻標(biāo)簽(tag),標(biāo)簽是RFID系統(tǒng)真正的數(shù)據(jù)載體,用來存儲需要識別和傳輸?shù)男畔?。RFID系統(tǒng)按射頻標(biāo)簽供電方式不同可分為無源系統(tǒng)和有源系統(tǒng),其中無源系統(tǒng)的標(biāo)簽內(nèi)無電池,需要從讀寫器的射頻場獲得能量,而有源系統(tǒng)的標(biāo)簽不需要從射頻場獲得能量,內(nèi)部帶有電池能主動發(fā)送信號與讀寫器通信[3-4]。
由于某些特殊應(yīng)用場合限制,有源標(biāo)簽需要實現(xiàn)具有防水、防塵等性能的全密閉封裝。傳統(tǒng)的充電方式是通過各種插口和連接電纜給標(biāo)簽電池充電,但在標(biāo)簽的實際使用過程中傳統(tǒng)的充電方式已不適用,而目前日趨成熟的無線充電技術(shù)提供了較好的解決方案。
無線充電是指不通過物理聯(lián)接就能傳送電能,實現(xiàn)為MP3、藍牙耳機、低功耗無線傳感器網(wǎng)絡(luò)以及病人體內(nèi)的醫(yī)用植入設(shè)備等耗電量相對較小的電子設(shè)備充電。目前,實現(xiàn)無線充電主要通過3種方式,即電磁感應(yīng)、無線電波,以及電磁共振作用。電磁感應(yīng)要求終端產(chǎn)品中次級線圈和電路之間必須進行屏蔽,增加了設(shè)計復(fù)雜度;無線電波方式傳輸功率小、功效低,發(fā)射的功率大部分以無線電波形式損耗掉[5-6]。
本文基于電磁共振原理設(shè)計實現(xiàn)了一種用于射頻有源標(biāo)簽充電的微距離無線充電器。該充電器能同時對40個標(biāo)簽充電且充電效果較好,經(jīng)過多次充電測試實驗,充電器性能穩(wěn)定。
首先,振蕩源將電源管理模塊輸出的直流電轉(zhuǎn)換成高頻交流電,然后經(jīng)功率放大,最后通過沒有任何有線連接的原、副線圈之間的耦合實現(xiàn)電能的無線饋送;副線圈耦合的電能經(jīng)能量轉(zhuǎn)換模塊后,輸送給充電電池,控制電路模塊實現(xiàn)充電過程控制[7]。其無線電能傳輸基本方案如圖1所示。
圖1 無線電能傳輸方案示意圖
電能發(fā)送的關(guān)鍵是要將振蕩器的輸出波形進行功率放大,再利用發(fā)射回路發(fā)射出去,振蕩器電路有多種,本設(shè)計采用多諧振蕩器作為振蕩源。電能發(fā)送電路原理圖如圖2所示。
圖2 電能發(fā)送原理圖
圖2中,無源晶振Y1、非門N1和N2、電阻R1構(gòu)成非對稱式多諧振蕩器[8]。這里無源晶振Y1相當(dāng)于電容,而且經(jīng)過實際測量用無源晶振代替電容產(chǎn)生的矩形波更穩(wěn)定。
非門N1、N2和N3采用由6個LOCMOS非門組成的芯片4069中的3個非門,4069工作電壓為3 V到15 V,非門傳播延時最大為20 ns,輸出轉(zhuǎn)換時間最大為120ns,滿足設(shè)計要求。電阻R1阻值為1 MΩ,晶振Y1標(biāo)稱值為10 MHz,4069供電電壓為5 V。由下式[8]:
可得振蕩器輸出矩形波的頻率。
振蕩器輸出的幅度5 V、頻率80 kHz方波,經(jīng)過非門N3緩沖,來激勵場效應(yīng)管Q1工作,并使其工作在放大區(qū)實現(xiàn)功率放大。Q1采用 MOSFET管 IRF540NS,其漏源擊穿電壓最小為100 V,漏源導(dǎo)通電阻最大為44mΩ,漏極電流最大為33 A,滿足設(shè)計要求。Q1由便攜式直流穩(wěn)壓電源(7.5 V/13 A)供電,供電電壓為7.5 V。電路設(shè)計中,電感L1和電容C1構(gòu)成的諧振回路采用與振蕩器的輸出方波頻率一致的諧振頻率,電感L1使用定制的單層多匝的平面空心矩形線圈,其感值為30 μH,由下式:
可得C1容值為150 nF。在諧振狀態(tài)時,雖然激勵是方波,但是L1中電壓是同頻率的正弦波,從而能夠通過耦合把電能發(fā)送出去。
但是,實際應(yīng)用中往往有源標(biāo)簽數(shù)目較多,如果充電設(shè)備只能給一個標(biāo)簽充電則充電時間效率較低,若給多個標(biāo)簽充電則需配備多個充電設(shè)備,增加了成本。因為CMOS非門具有較好的帶負(fù)載能力,因此本設(shè)計實現(xiàn)了40路并行獨立的電能發(fā)送單元,非門N3輸出的方波通過4069的另外3個非門的再次緩沖輸出3路獨立的方波,其中兩路方波各帶3個4069,另一路方波帶2個4069,這樣就輸出了40路并行獨立的方波,從而激勵40路功放管工作,最后通過40路諧振回路把電能發(fā)送出去。其具體實現(xiàn)原理圖如圖3所示。
實際PCB板的設(shè)計過程中,為了濾除器件產(chǎn)生的高頻噪聲經(jīng)供電回路反饋傳播,并防止電源攜帶的噪聲對電路造成干擾,電源與地之間需要去耦電容。本設(shè)計采用的電容主要是:100 μF/25 V鉭電容與0.1 μF/25 V瓷片電容并聯(lián)聯(lián)接在7.5 V電源線與地之間(鉭電容1到2個,瓷片電容4到5個);每個4069芯片電源引腳與地之間接0.1 μF/25 V瓷片電容;7805輸入、輸出引腳與地間分別接100 μF/25 V鉭電容(電源管理芯片輸入電壓7.5 V、輸出電壓5 V);IRF540NS漏源兩極間(源極接地)用到了10 μF/25 V和100 μF/25 V兩種鉭電容(濾除不同頻率的諧波)。設(shè)計實現(xiàn)的PCB圖如圖4所示。
在同時為40個標(biāo)簽充電的過程中,整個電能發(fā)送板消耗的功率約為60W,隨著充電時間的延長,需要解決功放管IRF540NS的散熱問題。本設(shè)計選用了鋸齒狀的鋁散熱條固定在IRF540NS的背面絕緣層上,電能發(fā)送板實物如圖5所示。
圖4 電能發(fā)送板PCB圖
圖5 電能發(fā)送板實物圖
電能發(fā)送部分的線圈是采用與電容并聯(lián)諧振的架構(gòu),為了使回路獲得高Q值,進而能夠通過耦合獲得更大的電壓,因此電能接收部分的線圈也采用與電容并聯(lián)諧振的形式即利用電磁共振的方式進行電能傳輸,而且接收回路和發(fā)送回路的諧振頻率一致,這樣容易調(diào)整匹配且傳輸效率高[9]。
耦合接收的交流電能需轉(zhuǎn)換成直流電才能供標(biāo)簽內(nèi)電池充電,整流電路是實現(xiàn)能量轉(zhuǎn)換的最重要部分,它是將接收諧振回路耦合過來的頻率為80 kHz的交流電壓變換為直流電壓。整流電路一般有半波、全波、和橋式3種基本類型電路[10]。從電路復(fù)雜度看,橋式電路最復(fù)雜,全波電路次之,半波電路最簡單??紤]到標(biāo)簽微型化和成本兩方面因素,最終選擇了半波整流電路作為標(biāo)簽?zāi)芰哭D(zhuǎn)換關(guān)鍵電路,其電路原理圖和實物圖分別如圖6、圖7所示。
圖6 電能接收部分電路原理圖
圖7 標(biāo)簽實物圖
電路設(shè)計中,次級回路的電感、電容規(guī)格與初級回路的電感、電容規(guī)格一致。次級回路L2、C2通過電磁共振把能量耦合到接收端,耦合過來的交流電通過整流二極管D1半波整流將交流電壓變成單極性直流電壓,整流二極管選擇適用于高頻高速電路的肖特基勢壘二極管PMEG2010,其具有超低前向?qū)妷?最大值0.43V)、前向電流大(最大值為1A)、反向耐壓大(最大值為20V)等特點,滿足設(shè)計要求。濾波電容C3容值為2.2 μF,其兩端輸出較穩(wěn)定的直流。
電能發(fā)送板由便攜式直流穩(wěn)壓電源7.5 V/13 A供電,供電電壓為7.5 V,波形測量主要是振蕩器輸出的激勵波形和負(fù)責(zé)電能發(fā)送的LC回路輸出波形。用示波器測量到的激勵波形和LC回路輸出波形分別如圖8、圖9所示。
圖8 激勵波形
圖9 LC回路輸出波形
由圖8、圖9可得,激勵波形是幅度5.0 V,周期12.5 μs的方波,LC回路輸出波形幅度15 V,是與激勵波形同頻率的正弦波。
充電過程中,為了防止漏磁導(dǎo)致的發(fā)射能量損耗,提高電能傳輸效率,接收和發(fā)射線圈的中心軸必須對準(zhǔn)且2者的垂直、水平距離應(yīng)盡可能小。電能發(fā)送板同時給40個標(biāo)簽充電 ,電池容量為80 mAh,帶有保護電路防止過充和過放,電池工作電壓3.5 V到4.2 V,標(biāo)簽置于密封的容器內(nèi),容器厚度約為3 mm(充電距離3 mm左右)。進行10次充電實驗,每次充電3 h左右,每次充電前對標(biāo)簽電池進行放電,使其電壓低于電池保護電路的保護電壓3.2 V。其充電實驗如圖10所示。
圖10 充電實驗圖
10次充電結(jié)束后,計算得平均電壓如表1所示。
表1 充電結(jié)束后電池電壓平均值
用萬用表對其中同一個標(biāo)簽進行10次充電電流的跟蹤,可得平均充電電流與充電時間的關(guān)系如圖11所示。
圖11 充電電流隨時間變化曲線圖
由于電池有保護電路,隨著充電時間推移,充電電流變小,充電過程變得緩慢,但此時電池容量越接近標(biāo)稱容量,直至電池充滿電后充電過程才結(jié)束。
對其中另一標(biāo)簽的電池進行10次放電實驗,10次充電結(jié)束后該標(biāo)簽電池電壓平均值約為3.90 V。每次放電在相同條件下進行,用75 Ω電阻接在電池的兩端,并用萬用表跟蹤放電電流,可得平均放電電流與放電時間的關(guān)系如圖12所示。
圖12 放電電流隨時間變化曲線圖
放電初期,放電電流曲線較平緩且電流較大,但隨著時間推移,電池電壓減小,電流下降較快。當(dāng)電壓下降到一定程度時,保護電路發(fā)揮作用,放電過程結(jié)束。
本文設(shè)計實現(xiàn)的無線充電器能同時對多個有源標(biāo)簽內(nèi)的小容量鋰聚合物電池充電,免去了連接充電線纜和插座的煩惱,同時獲得了較好的充電效果。對其它可供耗電量相對較小的袖珍型移動設(shè)備充電的無線充電器設(shè)計具有一定的參考的價值。目前,該充電器已應(yīng)用于某微型移動裝置的充電系統(tǒng)中。
[1]游戰(zhàn)清,李蘇劍.無線射頻識別技術(shù)(RFID)理論與應(yīng)用[M].北京:電子工業(yè)出版社,2004:8-10.
[2]廖同慶,張帆,沈國浩.SAW射頻識別系統(tǒng)中無源標(biāo)簽的小型化設(shè)計[J].電子測試,2010(9):58-61.
[3]Klaus Finkenzeller.射頻識別(RFID)技術(shù)——無線電感應(yīng)的應(yīng)答器和非接觸IC卡的原理與應(yīng)用[M].2版. 陳大才 譯.北京:電子工業(yè)出版社,2001:5-9.
[4]王瓊,施濤.RFID技術(shù)在手機支付領(lǐng)域中的應(yīng)用[J].電子測試,2009(6):49-52.
[5]王洪博,朱軼智,楊軍,孫倩.無線供電技術(shù)的發(fā)展和應(yīng)用前景[J].電信技術(shù),2010(9):56-59.
[6]陳玉芳.一種對植入式心臟起搏器進行體外無線充電的設(shè)計[J].中國醫(yī)療器械信息,2010,16(7):19-21.
[7]肖志堅,韓震宇,李紹卓.關(guān)于便攜式電子設(shè)備新型無線充電系統(tǒng)的研究[J].自動化技術(shù)與應(yīng)用,2007,26(12):114-116.
[8]閻石.數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)(第四版)[M].北京:高等教育出版社,1998:332-335.
[9]李敏.無線傳能充電器設(shè)計[J].黃岡職業(yè)技術(shù)學(xué)院學(xué)報,2009,11(02):44-45.
[10]謝嘉奎.電子線路(非線性部分)[M].4版.北京:高等教育出版社,2000:51-54.