張晃初,龔 俊,潘湛昌,肖楚民,胡光輝,魏志鋼
(1.勝宏科技(惠州)有限公司,廣東 惠州 516000;2.廣東工業(yè)大學輕工化工學院,廣東 廣州 510006)
印刷電路板的蝕刻液分為酸性和堿性兩大類,因此印刷電路板經蝕刻后產生酸性蝕刻廢液和堿性蝕刻廢液,其中酸性蝕刻廢液主要含氯化銅和鹽酸等、堿性蝕刻廢液主要含銅氨配離子。目前蝕刻廢液的處理方法有溶劑萃取法、化學沉淀法、離子交換法、破絡處理法、電解法等[1~6]。沉淀法是通過加入試劑,將廢液中的銅離子轉變成氫氧化銅沉淀,然后加熱煅燒,得到最終產品氧化銅。該方法不僅經濟,而且去除銅效果較好,但由于廢液中含有大量的氯離子和銨離子,產品在沉淀過程中會吸附這些雜質離子而常常達不到工業(yè)應用標準。作者在此采用沉淀法以蝕刻廢液制備氧化銅,并優(yōu)化了工藝條件。
鹽酸,氫氧化鈉,硫代硫酸鈉,碘化鉀,硝酸銀,硫氰化鉀,酚酞,淀粉指示劑。
E型直熱式電熱恒溫干燥箱,SHB-Ⅲ型循環(huán)水式多用真空抽濾裝置,精密型電子天平,布氏漏斗。
按一定比例將酸性蝕刻廢液與堿性蝕刻廢液混合、過濾,沉淀出來的物質經加堿轉化成二次沉淀,洗滌、干燥、煅燒,得到氧化銅產物。
單獨取酸性蝕刻廢液直接加堿同法制備氧化銅產物。
Cu2+含量測定:取稀釋濾液10 mL,加入10 mL KI溶液,立即用Na2S2O3溶液滴定至淡黃色,然后加入淀粉溶液5 mL,繼續(xù)滴定至淡藍色,再加入10 mL KSCN溶液,搖勻,藍色轉深,再滴至藍色恰好消失,此時溶液為米色CuSCN懸浮液。
氯離子含量測定:在酸性條件下,加入過量0.5 mol·L-1AgNO3溶液,AgCl定量沉淀后,過量的AgNO3以Fe3+為指示劑用KSCN溶液滴定,微過量的SCN-與Fe3+形成Fe(SCN)2+的紅色絡離子而指示滴定終點。
銨離子含量測定:銨離子與甲醛反應生成六次甲基四胺,此反應在過量甲醛存在下能較迅速完成,并析出一定量的酸,析出的酸以酚酞作指示劑,用標準氫氧化鈉溶液滴定,然后根據所消耗氫氧化鈉溶液的量,計算銨離子的含量。
2.1.1 pH值對氫氧化銅沉淀的影響
取10 mL廢液,加入不同量1 mol·L-1的氫氧化鈉溶液,測定其pH值,過濾,將濾液稀釋10倍。取稀釋濾液10 mL,用1 mol·L-1的Na2S2O3溶液滴定,測得母液中Cu2+的含量,考察pH值對氫氧化銅沉淀的影響,結果見圖1。
圖1 pH值對氫氧化銅沉淀的影響
由圖1可知,pH值為9(Cu2+濃度為0.05 mol·L-1)時,母液中殘留的Cu2+濃度最低,氫氧化銅沉淀較完全。
2.1.2 pH值對堿式氯化銅沉淀的影響
將酸性蝕刻廢液和堿性蝕刻廢液按不同的比例混合,測定其pH值,過濾。取5 mL濾液,用1 mol·L-1的Na2S2O3滴定,測得母液中Cu2+的含量,考察pH值對堿式氯化銅沉淀的影響,結果見圖2。
圖2 pH值對堿式氯化銅沉淀的影響
由圖2可以看出,pH值控制在4.3(此時酸性蝕刻廢液和堿性蝕刻廢液的體積比為1.05∶1)時,母液中殘留的Cu2+濃度最低,堿式氯化銅沉淀較完全。
文獻報道,氫氧化銅在80 ℃以上就分解成氧化銅,但是當溫度升到1000 ℃時,氧化銅進一步分解成氧化亞銅,所以分解溫度一定要控制在100~1000 ℃之間。
取一定量的氫氧化銅沉淀(含有一定量水分),在不同溫度下加熱30 min,考察分解溫度對沉淀分解的影響,結果見表1。
表1 分解溫度對氫氧化銅沉淀分解的影響
從表1可以看出,最佳的分解溫度是500~600 ℃。
取一定量的氫氧化銅沉淀,在500 ℃下分解不同時間,結果見表2。
表2 分解時間對氫氧化銅沉淀分解的影響
從表2可以看出,氫氧化銅沉淀在500 ℃下分解30 min后,固體質量不再變化。從經濟和效率方面考慮,選擇最佳的分解溫度和時間為500 ℃、30 min。
由于自來水中的氯含量遠遠超過了產品的要求,所以采取先用自來水洗滌后用純凈水洗滌的方法(自來水和純凈水體積均為沉淀的5倍)洗滌沉淀,考察洗滌方式對氯離子和銨離子去除效果的影響,結果見圖3。
圖3 洗滌方式對氯離子、銨離子去除效果的影響
從圖3可以看出,取5倍于沉淀的自來水洗滌3次、純凈水洗滌3次后,產品中基本不含氯離子和銨離子。
取酸性產品、酸堿混合處理產品和標準產品進行XRD分析,結果見圖4。
圖4 不同產品的XRD圖譜
由圖4可以看出,產品中絕大部分都是氧化銅。
采用沉淀法以酸堿混合蝕刻廢液制取氧化銅的最佳工藝條件為:按照體積比1.05∶1的比例將酸、堿蝕刻廢液混合,控制pH=4.3,生成堿式氯化銅沉淀,經抽濾后,向沉淀中加入適量氫氧化鈉使得pH=8,再次過濾得到氧化銅和氫氧化銅混合物,分別用5倍量的自來水和純凈水洗滌沉淀3次,在500 ℃下煅燒30 min,最終得到氧化銅黑色固體。
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