胡志杰 李爭顯
摘 要:闡述了雙金屬電弧離子蒸發(fā)源的設(shè)計原則及結(jié)構(gòu)。利用雙金屬電弧離子蒸發(fā)源成功制備了TiAlN膜層,并對優(yōu)化的制備參數(shù)做了簡要介紹。
關(guān)鍵詞:電弧離子鍍離子蒸發(fā)源研制
中圖分類號:TG174 文獻(xiàn)標(biāo)識碼:A 文章編號:1674-098X(2012)05(a)-0014-02
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