全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)、驗(yàn)證和制造軟件及知識(shí)產(chǎn)權(quán)（IP）供應(yīng)商新思科技有限公司宣布：即日起推出其用于臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司（TSMC）28納米高性能（HP）和移動(dòng)高性能（HPM）工藝技術(shù)的DesignWare嵌入式存儲(chǔ)器和邏輯庫(kù)知識(shí)產(chǎn)權(quán)（IP）。Synopsys的DesignWare嵌入式存儲(chǔ)器和邏輯庫(kù)專為提供高性能、低漏電及動(dòng)態(tài)功率而設(shè)計(jì)，使工程師們能夠優(yōu)化其整個(gè)系統(tǒng)級(jí)芯片（SoC）設(shè)計(jì)的速度與能效，這種平衡在移動(dòng)應(yīng)用中至關(guān)重要。與DesignWare STAR Memory System?的嵌入式測(cè)試與修復(fù)技術(shù)相結(jié)合，Synopsys的嵌入式存儲(chǔ)器和標(biāo)準(zhǔn)元件庫(kù)為設(shè)計(jì)者提供了一個(gè)先進(jìn)、全面的IP解決方案，可生成高性能、低功耗的28納米SoC，并降低了測(cè)試與制造成本。

新的DesignWare IP擴(kuò)展了Synopsys豐富的、包括高速低功率存儲(chǔ)器和標(biāo)準(zhǔn)元件庫(kù)的產(chǎn)品組合，其發(fā)貨量已經(jīng)超過(guò)了十億片芯片，并可支持從180納米到28納米一系列代工廠與工藝。DesignWare 28納米邏輯庫(kù)利用多種閾值變量與柵極長(zhǎng)度偏移組合，來(lái)為多樣化的SoC應(yīng)用提供最佳性能與功率消耗。這些邏輯庫(kù)提供多樣的、易于綜合的單元集及布線器友好的標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)架構(gòu)，它們專為基于最小的芯片面積和高制造良品率的數(shù)GHz級(jí)性能而設(shè)計(jì)。功率優(yōu)化包（POK）為設(shè)計(jì)師提供了先進(jìn)的功率管理能力，它們由廣受歡迎的低功耗設(shè)計(jì)流程支持，包括關(guān)斷、多電壓和動(dòng)態(tài)電壓頻率調(diào)整（DVFS）。

將高速度、高密度和超高密度組合在一起的DesignWare嵌入式存儲(chǔ)器，為設(shè)計(jì)師在其SoC中所用的每個(gè)存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)性能、功率和面積的平衡帶來(lái)了靈活性。對(duì)于諸如移動(dòng)設(shè)備等功率敏感應(yīng)用，所有的Synopsys 28納米存儲(chǔ)器都整合了源偏壓和多種功率管理模式，可明顯地減少漏電與動(dòng)態(tài)功率消耗。Synopsys的超高密度兩端口靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（SRAM）和16Mbit單端口SRAM編譯器，相比于標(biāo)準(zhǔn)的高密度存儲(chǔ)器可進(jìn)一步降低面積尺寸和漏電高達(dá)40%，可使SoC開發(fā)者實(shí)現(xiàn)融合了高性能、小體積和極低功耗的差異化存儲(chǔ)器。DesignWare STAR存儲(chǔ)器系統(tǒng)，在與Synopsys的嵌入式存儲(chǔ)器集成后，可提供比傳統(tǒng)的附加式內(nèi)置自測(cè)試（BIST）和修復(fù)方案更小的面積和更快的時(shí)序收斂，同時(shí)還提供流片后調(diào)試和診斷性能。這縮短了設(shè)計(jì)時(shí)間、降低了測(cè)試成本并提高了制造良品率。