禮潔冰,趙 暉,王曉輝,朱其柱
(沈陽理工大學材料科學與工程學院,遼寧沈陽110159)
鈦合金具有強度高、密度低、耐蝕及中溫性能穩(wěn)定等特性,廣泛應用于航天、航空、化工及生物醫(yī)療領域。由于硬度低,抗磨減摩性能差,限制了其應用,因此,利用表面改性技術改善鈦合金的摩擦學性能倍受關注[1],對鈦及其合金材料的表面處理研究顯得十分重要。
微弧氧化(MAO)又稱微等離子體氧化或陽極火花沉積,是近年興起的一種在Ti、A1、Mg等有色金屬表面原位生長氧化物陶瓷膜層的表面處理新技術[2-5],是國際研究的熱點。本文在恒壓模式下研究微弧氧化電參數(shù):電壓、脈寬、脈間對陶瓷膜表面形貌、厚度、粗糙度的影響。
試驗材料為TC4合金,其成分如表1所示。
表1 TC4鈦合金的成分 wt%
試樣規(guī)格為60mm×30mm×3mm標準長方體塊,均經(jīng)240#~1200#水磨砂紙逐次打磨、拋光、自來水漂洗、丙酮擦洗處理。電解液的主要成分為碳酸鈉、硅酸鈉、甘油,以去離子水配制,處理過程中通過循環(huán)水冷卻。采用雙極脈沖微弧氧化裝置對試樣進行表面陶瓷化處理,在微弧氧化階段采用恒壓模式進行微弧氧化,實驗參數(shù)如表2所示。
表2 微弧氧化工藝參數(shù)
微弧氧化處理后,從電解液中取出試樣,經(jīng)水洗、干燥后采用 S-3400N型掃描電子顯微鏡(SEM)觀察膜層的表面形貌。TT230數(shù)字覆蓋層測厚儀測量膜層厚度,利用北京市時代機電新技術公司生產(chǎn)的RM-20袖珍式表面粗糙度儀檢測膜層的粗糙度。
圖1a、1b是TC4合金在相同的脈寬脈間、不同的正向電壓參數(shù)作用下微弧氧化處理10min的表面形貌。由圖1a可看出,當電壓較低時,膜層表面的顆粒較小,微孔的孔徑也較小且較均勻;由圖1b可看出,當電壓較大時,膜層表面的顆粒變大,微孔的孔徑也增大。隨電壓的增大,微弧氧化表面微孔孔徑增大,微孔數(shù)量減少。在相同時間內(nèi),電壓越大,微弧火花放電密度越小,放電程度越劇烈,放電能量越大,放電微孔的孔徑也變大。從而,在微弧氧化過程中,從微孔中向外噴射的熔融物會更多。由圖1b、1c可看出,在電參數(shù)脈寬和電壓恒定的條件下,隨著脈間的增大,陶瓷膜表面微孔數(shù)量減少,孔徑變化不大。脈間增大,作用在陶瓷膜上的平均脈沖時間縮短,導致?lián)舸┨沾赡さ目锥措S之減少。由于脈寬沒有變化,擊穿的能量也沒有變化,所以孔徑的大小變化不大。由圖1c、1d可看出,在電參數(shù)脈間和電壓恒定的條件下,隨著脈寬的增加,陶瓷膜表面微孔孔徑開始減小,陶瓷膜致密性增強。脈寬影響單個脈沖的放電能量。脈寬越大,微弧火花放電程度越劇烈,在陶瓷膜上產(chǎn)生的能量也越大。在微弧氧化后期,陶瓷膜表面被大量熔融物質(zhì)覆蓋,微孔數(shù)量減少,火花放電的密度降低,擊穿孔洞的能量降低,陶瓷膜層微孔孔徑減小。
圖1 不同電參數(shù)下陶瓷膜的表面形貌
圖2是鈦合金在不同電參數(shù)下微弧氧化處理10min后氧化陶瓷膜厚度隨電參數(shù)的變化曲線。
圖2 不同電參數(shù)與陶瓷膜厚度的關系曲線
從圖2可看出,正向電壓的增大,相當于作用在陶瓷膜上的能量增大,使微弧氧化反應的驅(qū)動力增大,陶瓷膜厚度增長;增加脈寬,即增大單個脈沖的放電能量,相當于作用在陶瓷膜上的能量增大,噴出的熔融氧化物增多,陶瓷膜的厚度也迅速增長;增加脈間,作用在陶瓷膜上的脈沖時間會縮短,微弧氧化過程中參與反應的物質(zhì)減少,陶瓷膜厚度減小。故降低正向電壓,降低脈寬,增加脈間有利于得到較薄的微弧氧化陶瓷膜。
圖3是鈦合金在不同電參數(shù)下微弧氧化處理10min后氧化陶瓷膜粗糙度隨電參數(shù)的變化曲線。
圖3 不同電參數(shù)與陶瓷膜粗糙度的關系曲線
從圖3可看出,提高正向電壓,放電能量增大,膜層變厚,同時粗糙度也變大;增加脈寬,增大單個脈沖的放電能量使作用在陶瓷膜上的能量增大,噴出的熔融氧化物增多,因而陶瓷膜的粗糙度也增大;增加脈間,作用在陶瓷膜上脈沖時間減少,形成的孔洞較少,進入孔洞參加反應的電解質(zhì)也隨之減少,因而膜層較為致密,粗糙度值下降。故降低正向電壓、降低脈寬、增加脈間有利于陶瓷膜粗糙度的減小。
1)電壓恒定時,隨著脈寬、脈間的增大,陶瓷膜表面微孔數(shù)目減少,致密性增強;
2)降低正向電壓,降低脈寬,增加脈間有利于得到較薄的鈦合金微弧氧化陶瓷膜;
3)降低正向電壓,降低脈寬,增加脈間有利于鈦合金微弧氧化陶瓷膜的粗糙度減小。
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