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微波氫等離子體的特性

2011-02-01 03:34:36鄭曉毅
物理實(shí)驗(yàn) 2011年8期
關(guān)鍵詞:氫原子譜線(xiàn)氣壓

鄭曉毅,徐 偉

(廣州大學(xué)物理與電子工程學(xué)院,廣東廣州510006)

1 引 言

近年微波等離子體化學(xué)氣相沉積(MPCVD)技術(shù)的研究發(fā)展很快,在包括金剛石膜等新型功能材料的制備研究方面取得了令人矚目的成就.然而目前對(duì)MPCVD過(guò)程中薄膜的生長(zhǎng)機(jī)理還不能清楚地理解.因?yàn)榈入x子體作為一種大量微觀粒子組成的熱力學(xué)體系,其中的熱運(yùn)動(dòng)和電磁作用過(guò)程共存,因而描述其性質(zhì)的各種參量,如等離子體中的離子溫度、電子溫度、密度等會(huì)表現(xiàn)出相當(dāng)?shù)膹?fù)雜性[1],為了更好地研究等離子體中的物理化學(xué)過(guò)程以及改進(jìn)等離子體成膜工藝過(guò)程,有必要對(duì)其中各種參量進(jìn)行測(cè)量.一般的診斷方法有探針?lè)╗2]、質(zhì)譜法[3]和光譜法[4-5].探針?lè)ㄗ鳛橐环N成熟的探測(cè)手段,有著比較廣泛的應(yīng)用.但是由于是介入型探測(cè),會(huì)對(duì)微波體系產(chǎn)生一定的擾動(dòng).質(zhì)譜法測(cè)量精度高,但設(shè)備成本高,實(shí)驗(yàn)條件要求苛刻.而光譜法做為一種實(shí)時(shí)、對(duì)微波體系沒(méi)有擾動(dòng)、原位的探測(cè)手段則具有其他方法所不具備的優(yōu)點(diǎn).本文通過(guò)對(duì)MPCVD金剛石膜沉積過(guò)程中等離子體發(fā)射光譜的分析,來(lái)研究微波放電過(guò)程中的等離子體的特性.

在MPCVD鍍膜工藝中,影響成膜質(zhì)量的因素主要有氣體成分、工作氣壓、功率等.而氫氣作為最重要的參與氣體,氫離子對(duì)成膜過(guò)程中的石墨相具有優(yōu)先刻蝕的作用[6].本文主要利用發(fā)射光譜的方法,根據(jù)多普勒展寬[7]計(jì)算等離子體中的氫離子溫度,并研究其與工作氣壓及微波功率大小之間的變化規(guī)律.

2 實(shí) 驗(yàn)

利用實(shí)驗(yàn)室自行研究設(shè)計(jì)的直接耦合式微波等離子裝置(圖1),通過(guò)真空泵將反應(yīng)腔抽真空至5Pa,通入氣體流量為150~200mL/min的氫氣,微波源發(fā)出頻率為2.45GHz的微波,沿矩形波導(dǎo)以TE10模式傳輸,到達(dá)反應(yīng)腔激勵(lì)氣體放電從而產(chǎn)生等離子體.通過(guò)光纖將產(chǎn)生的穩(wěn)定等離子體球的發(fā)射光譜采集到光學(xué)多道分析儀,在計(jì)算機(jī)上進(jìn)行數(shù)據(jù)的采集和處理.實(shí)驗(yàn)采用的光學(xué)多道分析儀為美國(guó)Andor公司生產(chǎn)的Sharmrock SR500光學(xué)多道分析儀,光柵數(shù)為1 200mm-1,CCD尺寸為1 024×256像素,波長(zhǎng)范圍為190~1 000nm,分辨率達(dá)到0.05nm.

圖1 微波等離子體裝置結(jié)構(gòu)

3 結(jié)果與分析

3.1 理論模型與方法

一般來(lái)說(shuō),光譜線(xiàn)的加寬主要有自然加寬、多普勒加寬、Stark加寬、中性粒子引起的碰撞加寬以及由測(cè)量?jī)x器本身引起的儀器加寬[8-9].在我們的實(shí)驗(yàn)條件下,等離子體發(fā)射譜線(xiàn)的線(xiàn)型和線(xiàn)寬主要來(lái)自氣體的壓強(qiáng)、帶電粒子的熱運(yùn)動(dòng),所以自然加寬和碰撞加寬一般可以忽略.

又因?yàn)樵诟哳l等離子體放電條件下,氫原子的Hα(n=3→n=2)線(xiàn)的Stark效應(yīng)非常弱,其譜線(xiàn)的加寬主要是由多普勒加寬以及儀器加寬引起的[10-11].所以在實(shí)驗(yàn)中選取Hα線(xiàn)為研究對(duì)象,在獲得其總光譜半峰全寬ΔλDI后,根據(jù)文獻(xiàn)[12]中提到的比較成熟的近似經(jīng)驗(yàn)公式ΔλDI=(Δλ2D+Δλ2I)1/2就可以算出氫原子Hα線(xiàn)的多普勒展寬ΔλD.其中ΔλI是實(shí)驗(yàn)儀器所帶來(lái)的儀器加寬.多譜勒展寬與離子溫度Ti的關(guān)系為

由(1)式可知,實(shí)驗(yàn)中只需測(cè)得光譜線(xiàn)的半峰全寬ΔλD便可以得到等離子體中離子的溫度Ti.本實(shí)驗(yàn)中使用的多道光譜儀的儀器展寬由GY-100型He-Ne激光器測(cè)定,測(cè)得的儀器展寬為0.097nm,在測(cè)定等離子體中氫原子Hα線(xiàn)的儀器展寬時(shí),保持光譜儀的狹縫等儀器參量不變.

3.2 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與分析

3.2.1 離子溫度隨功率的變化

表1列出了在保持氫氣流量為150mL/min,反應(yīng)腔的工作氣壓為1.28kPa,微波功率從600W變化到1 000W所得到的氫原子Hα線(xiàn)的總的譜線(xiàn)半峰全寬,以及最后所得到的譜線(xiàn)的多普勒展寬.

表1 譜線(xiàn)半峰全寬、多普勒展寬隨功率變化

圖2為根據(jù)測(cè)得的譜線(xiàn)的多普勒展寬計(jì)算得到的氫等離子體中的離子溫度Ti隨功率變化的情況.可看到,隨著功率的增加,離子溫度Ti先增加,在微波功率為800W時(shí)達(dá)到最大值,之后溫度不升反降.在800W處形成明顯的轉(zhuǎn)折點(diǎn).

圖2 離子溫度隨功率變化情況

我們認(rèn)為隨著微波源功率的不斷增加,反應(yīng)腔內(nèi)的等離子中的激發(fā)態(tài)氫原子的密度會(huì)不斷增加,在保持氣體流量以及工作氣壓不變的情況下,等離子體中的電子隨著微波源功率的增加,能量也會(huì)增加.開(kāi)始時(shí),等離子中激發(fā)態(tài)氫原子密度較低,電子與基態(tài)氫原子碰撞激發(fā)基態(tài)氫原子到激發(fā)態(tài).隨著激發(fā)態(tài)氫原子的密度不斷增加,電子的能量開(kāi)始不足使得激發(fā)態(tài)氫原子往更高的激發(fā)態(tài)激發(fā),所以這期間的碰撞使得離子溫度Ti增加.但電子的能量增加到一定程度后,能夠激發(fā)出更高激發(fā)態(tài)的氫原子,相應(yīng)地離子溫度Ti便降了下來(lái).

3.2.2 離子溫度隨反應(yīng)壓強(qiáng)的變化

表2列出了在保持氫氣流量為180mL/min,微波功率保持在700W,調(diào)節(jié)反應(yīng)腔的反應(yīng)壓強(qiáng)由710Pa變化到1 210Pa所得到的氫原子Hα線(xiàn)的總的譜線(xiàn)半峰全寬,以及最后所得到的譜線(xiàn)的多普勒展寬.

表2 譜線(xiàn)半峰全寬、多普勒展寬隨反應(yīng)壓強(qiáng)變化

圖3為根據(jù)所測(cè)得的譜線(xiàn)的多普勒展寬計(jì)算得出的氫等離子體中的離子溫度Ti隨反應(yīng)氣壓變化的情況.可以看到,隨著反應(yīng)氣壓的不斷增加,離子溫度Ti先增加,當(dāng)反應(yīng)氣壓為910Pa時(shí)達(dá)到最大值,之后離子溫度不升反降.在910Pa處形成明顯的轉(zhuǎn)折點(diǎn).

圖3 離子溫度隨反應(yīng)壓強(qiáng)變化情況

這是因?yàn)樵谖⒉ㄝx光放電激發(fā)等離子體中的微波功率吸收主要是通過(guò)碰撞過(guò)程來(lái)實(shí)現(xiàn)的,在碰撞放電時(shí),微波功率吸收存在最佳吸收功率,這個(gè)最佳吸收功率決定于電子與重粒子之間的碰撞頻率νe.在微波輝光放電過(guò)程中[13],電子與重粒子的彈性碰撞頻率νe通常在109~1011s-1,在固定的2.45GHz微波振蕩頻率和電場(chǎng)強(qiáng)度也即是微波功率下,νe決定于反應(yīng)腔內(nèi)的放電氣壓.即在該實(shí)驗(yàn)條件下,會(huì)存在一最佳的反應(yīng)壓強(qiáng),使得微波源功率被氣體最佳吸收.在這種情況下,等離子體中的電子能夠最大化地吸收微波源的能量,并與重粒子發(fā)生碰撞并把能量傳遞給重粒子,因此從圖3可看出,在910Pa處時(shí),離子溫度Ti達(dá)到了最大,也就是說(shuō)該處為最佳的工作氣壓.

4 結(jié) 論

通過(guò)光學(xué)多道分析儀采集氫等離子體的發(fā)射光譜,利用氫原子Hα線(xiàn)的多普勒展寬計(jì)算離子溫度.隨著微波功率的增加,離子溫度先增大后減小.這是因?yàn)榧ぐl(fā)態(tài)氫原子密度增加的緣故,也說(shuō)明了微波功率的調(diào)節(jié)決定了等離子中的各種不同激發(fā)過(guò)程.隨著工作氣壓的增加,離子溫度同樣也是先增加后減小,這是因?yàn)榇嬖谝蛔罴训姆磻?yīng)氣壓,使得微波功率能被最佳吸收.

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