沈海軍,劉新寧,景為平,孫海燕,
(1.東南大學(xué),南京 210096;2.南通大學(xué)江蘇省專用集成電路設(shè)計(jì)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,南通 226019;3.南通富士通微電子股份有限公司,南通 226006)
在集成電路封裝的質(zhì)量控制中,鍵合拉力作為產(chǎn)品質(zhì)量考量的重要因素之一,有著非常重要的地位。對(duì)于同一根鍵合連接線,當(dāng)線弧的高度不同時(shí),其鍵合拉力的測(cè)量結(jié)果存在著一定的差異。文章即是為了驗(yàn)證這種差異,并從中發(fā)現(xiàn)產(chǎn)生這種差異的原因及規(guī)律,為實(shí)際生產(chǎn)中鍵合工藝的優(yōu)化、鍵合弧高的控制、鍵合拉力的合理規(guī)范以及產(chǎn)品整體厚度的控制、制品異常分析提供依據(jù)。
圖1為鍵合拉力測(cè)試的理論圖示。F1為第一焊點(diǎn)受到的拉力,F(xiàn)2為第二焊點(diǎn)受到的拉力,F(xiàn)wp為線弧測(cè)試的讀出拉力。根據(jù)力的分解原理:
文章主要從第一焊點(diǎn)斷裂和第二焊點(diǎn)斷裂兩種失效模式來(lái)討論鍵合的拉力情況。首先通過(guò)理論分析來(lái)判定當(dāng)前焊線鍵合拉力的變化規(guī)律。
通過(guò)公式(1)可以看出:F1跟角度θ1成正比。設(shè)定Fwp恒定,即當(dāng)以一定的力垂直(根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)MIL STD 883,Method2011)去拉該焊線時(shí),隨著角度θ1的變化,第一焊點(diǎn)的受力隨著該角度的增大而增大。即線弧越高,拉力越大;反之,拉力則越小。由此可以說(shuō)明,導(dǎo)致第一焊點(diǎn)頸部斷裂的力的大小,跟線弧的高低有很大的關(guān)聯(lián)。這一結(jié)論在實(shí)際的測(cè)量結(jié)果中可以通過(guò)有效的數(shù)據(jù)得到佐證。
通過(guò)公式(2)可以看出:F2跟角度θ2成正比。設(shè)定Fwp值恒定,即當(dāng)以一定的力垂直去拉該焊線時(shí),隨著角度θ2的變化,第二焊點(diǎn)的受力隨著該角度的增大而增大。即線弧越高,拉力越大;反之,拉力則越小。據(jù)此可以說(shuō)明,導(dǎo)致第二焊點(diǎn)根部斷裂的力的大小,跟線弧的高低有必然的聯(lián)系。同樣,這一結(jié)論在實(shí)際的測(cè)量結(jié)果中可以通過(guò)有效的數(shù)據(jù)得到佐證。
圖2為本文實(shí)際操作的焊接示意圖。H表示線弧高度;Die指芯片,用于焊接線弧的第一焊點(diǎn);Lead指內(nèi)引線腳,用于焊接線弧的第二焊點(diǎn)。焊線采用純度為99.99%、線徑為25μm的金線,所有線弧的投影等長(zhǎng),通過(guò)改變線弧的高度(即H值的大?。﹣?lái)測(cè)試鍵合拉力的變化,并驗(yàn)證理論分析的結(jié)論。
表1為兩種不同線弧高度情況下所測(cè)得鍵合拉力結(jié)果。結(jié)果表明:鍵合拉力的平均值隨著線弧高度的不同,之間存在著明顯差異。樣本1因線弧較低,拉力的平均值及CPK都偏??;樣本2因線弧較高,拉力的平均值及CPK值也較大。通過(guò)這一結(jié)果,可以得出:鍵合弧度的高低直接影響拉力的數(shù)值及穩(wěn)定性。
圖3表示兩組不同線弧高度情況下鍵合拉力結(jié)果的趨勢(shì)對(duì)比。由圖可以看出:樣本2的所有拉力數(shù)據(jù)均基于5g~8g之間,整體過(guò)程也比較穩(wěn)定;樣本1的所有拉力數(shù)值也同樣基于5g~8g之間,但其拉力平均值及CPK都低于樣本2。這一結(jié)果同理論分析是一致的,這可以為實(shí)際生產(chǎn)中鍵合的工藝優(yōu)化、產(chǎn)品的弧高控制及拉力的判定基準(zhǔn)提供理論依據(jù)和實(shí)際證明。
通過(guò)以上理論分析及實(shí)際的測(cè)量結(jié)果,可以得出:在集成電路的封裝工藝中,鍵合線弧高度的變化作為鍵合拉力的一個(gè)重要影響因素,直接影響其結(jié)果。鍵合線弧的高度越高,其拉力值就越大,整體拉力也趨向平穩(wěn);反之,拉力則越小,整體拉力也不夠穩(wěn)定。這對(duì)于實(shí)際生產(chǎn)中鍵合的弧高控制以及合理規(guī)范拉力的標(biāo)準(zhǔn)提供了理論及現(xiàn)實(shí)依據(jù)。
[1]Lee Levine.Understanding the Wire Bonding Pull Test[M].2005:4.
[2]Saraswati, Ei Phyu Theint, D. Stephan,et al..Looping Behaviour of Gold Ball Bonding Wire[M].2004:3.
[3]MIL-STD883E[P].31 DEC 1996: 5-7.
[4]電子封裝技術(shù)叢書編委會(huì).集成電路封裝試驗(yàn)手冊(cè)[M].北京:電子工業(yè)出版社,1998.136-137.
[5]K&S.Maxum Basic Process Parameters Guidelines[M].2005:21-22.