2008年,廣晟微電子率先推出了可供商用的TD-SCDMA HSDPA射頻芯片,為保障北京奧運會對3G通信的需求,實現(xiàn)中國人在第二十九屆奧運會上提供3G通信服務(wù)的莊嚴(yán)承諾做出了重要貢獻。

為確保TD技術(shù)的先進性,廣晟微電子投入力量研發(fā)了滿足TD-HSPA+要求的射頻收發(fā)芯片。該芯片是采用先進的0.13um RFCMOS工藝開發(fā)的射頻芯片,提供了天線到基帶的完備方案,支持TD-SCDMA雙頻段,并且集成齊全的模擬基帶功能,直接提供數(shù)字IQ接口。由于內(nèi)部采用高性能的射頻前端,高效優(yōu)化的接收架構(gòu),使得接收通道在具備低至2.5dB的噪聲系數(shù)的同時,仍然保持充裕的非線性抑制空間。接收EVM(誤差矢量幅度)優(yōu)于4%使得HSPA+等3.9G應(yīng)用能順利開展。片內(nèi)集成14bit高動態(tài)范圍的ADC,再加上多種時隙模式的自動反饋控制,能夠在全程范圍內(nèi)保持輸出數(shù)字IQ信號的幅度,而無需基帶芯片的參與,保證了時分系統(tǒng)AGC的快速和精準(zhǔn),誤差可精確到1dB。發(fā)射通道集成10bit雙路DAC、低通濾波和功放驅(qū)動,在輸出功率0dBm以上時,具備-40dBc的ACLR(鄰道功率泄漏比),發(fā)射EVM優(yōu)于3%。創(chuàng)新的設(shè)計保證80dB的動態(tài)范圍。發(fā)射輸出集成Balun,節(jié)省外部元件,并且極低的遠端輸出噪聲使得發(fā)射SAW濾波器可被省去。包含VCO/PLL在內(nèi),該芯片接收、發(fā)射電流消耗能分別控制在50mA、100mA之內(nèi),待機模式耗電在uA數(shù)量級。

廣晟微電子一直注重自有技術(shù)創(chuàng)新,憑借完備的軟硬件開發(fā)設(shè)施以及實力雄厚的射頻芯片開發(fā)團隊,在開發(fā)該款芯片時運用了國際先進的集成電路設(shè)計技術(shù),從前端電路設(shè)計、系統(tǒng)仿真到后端版圖的全部工作均為自主開發(fā),是一款具備100%自主知識產(chǎn)權(quán)射頻產(chǎn)品。

據(jù)了解,基于在TD-SCDMA 射頻芯片研發(fā)上多年的技術(shù)積累和成功經(jīng)驗,廣晟微電子承擔(dān)了國家工信部“新一代寬帶無線移動通信網(wǎng)重大專項”TD-LTE終端射頻芯片研發(fā)課題的重要使命,目前已經(jīng)啟動了TD-LTE射頻芯片的研發(fā)工作。該芯片是一款符合3GPP TD-LTE 及國內(nèi)相關(guān)規(guī)范要求;支持多頻段,包括2300MHz~2400MHz、2010MHz~2025MHz和1880MHz~1920MHz;支持可變速率帶寬,包括5MHz、10MHz、15MHz和20MHz;支持64QAM、16QAM、QPSK、BPSK調(diào)制方式;下行支持MIMO方式為2×2多天線配置;支持無線信道跨頻段切換,切換時間<80us,方便組網(wǎng)頻點選擇;集成射頻收發(fā)前端(除PA外)和模擬基帶處理,提供數(shù)字基帶接口;接收機提供大于100dB動態(tài)范圍,步進精度至少1dB;發(fā)射機提供85dB動態(tài)范圍,步進精度至少0.5dB;發(fā)射誤差矢量幅度(EVM)小于2.5%;支持多接收時隙獨立增益自動控制,滿足無線資源快速調(diào)度的高水平芯片。廣晟微電子依靠多年的技術(shù)積累和不斷的自主創(chuàng)新,研究解決了高頻段(2300MHz～2400MHz)支持、數(shù)字鎖相環(huán)(DLL)技術(shù)、集成ABB的架構(gòu)技術(shù)、精確的可變帶寬、高精度調(diào)制解調(diào)以及高速、低功耗、高動態(tài)ADC技術(shù)等多方面的難點問題,已經(jīng)完成了TD-LTE射頻芯片的設(shè)計,2009年12月將可提供樣片,預(yù)計2010年6月可提供商用測試芯片,2010年底該芯片即可達到商用要求。