任慧志

摘要：在相同氫稀釋硅烷濃度和相同的其它沉積參數(shù)情況下，在電池和玻璃上本征材料晶化程度不同，微結(jié)構(gòu)有差別。硅烷濃度SC=8％～2％區(qū)間采用提高氫稀釋硅烷濃度的方法沉積非晶硅，可使材料的有序度提高。本征層材料硅烷濃度SC=6％的電池在沉積時(shí)隨著襯底溫度的增高，電池的開路電壓逐漸減?。浑姵氐奶畛湟蜃与S著本征層壓力的增大也呈現(xiàn)上升趨勢(shì)，開路電壓隨著沉積壓力的增大又逐漸降低。

關(guān)鍵詞：非晶硅電池；溫度；功率